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로직 레벨 변환기

  • 기술번호 : KST2015146241
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단일 전위 전원과 적은 수의 MOSFET를 사용함으로써 설계 및 레이아웃을 용이하게 하고 레이아웃 면적을 감소시킬 수 있도록 한 로직 레벨 변환기에 관한 것이다.본 발명의 로직 레벨 변환기는 상대적 저전위 전원에서 동작하는 P채널 MOSFET와 N채널 MOSFET가 직렬 연결되어 이루어져서 입력 단자로부터 입력되는 상대적 저전위 신호의 로직 레벨을 반전된 상태의 상대적 고전위 신호의 로직 레벨로 변환하여 출력하는 전단 인버터; 상기 전단 인버터의 상기 P채널 MOSFET와 상대적 고전위 전원(avdd)에 사이에 연결되어 능동 부하로 기능하는 N채널 MOSFET 및 상기 상대적 고전위 전원(avdd)과 접지단 사이에 직렬로 연결되는 P채널 MOSFET와 N채널 MOSFET로 이루어져서 상기 전단 인버터의 출력을 반전시키는 중단 인버터를 포함하여 이루어진다.
Int. CL H03K 19/0185 (2006.01)
CPC H03K 19/018507(2013.01) H03K 19/018507(2013.01) H03K 19/018507(2013.01)
출원번호/일자 1020100131771 (2010.12.21)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1156735-0000 (2012.06.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120614) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.21)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박규호 대한민국 서울특별시 강남구
2 박종범 대한민국 서울특별시 중구
3 이윤식 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 다래 대한민국 서울 강남구 테헤란로 ***, **층(역삼동, 한독타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0844973-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.09.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.10.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0082669-49
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.11.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0649710-16
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.01.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0008735-22
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0008734-87
7 등록결정서
Decision to grant
2012.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0289878-56
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상대적 저전위 전원에서 동작하는 P채널 MOSFET와 N채널 MOSFET가 직렬 연결되어 이루어져서 입력 단자로부터 입력되는 상대적 저전위 신호의 로직 레벨을 반전된 상태의 상대적 고전위 신호의 로직 레벨로 변환하여 출력하는 전단 인버터;상기 전단 인버터의 상기 P채널 MOSFET와 상대적 고전위 전원(avdd)에 사이에 연결되어 능동 부하로 기능하는 N채널 MOSFET 및상기 상대적 고전위 전원(avdd)과 접지단 사이에 직렬로 연결되는 P채널 MOSFET와 N채널 MOSFET로 이루어져서 상기 전단 인버터의 출력을 반전시키는 중단 인버터를 포함하여 이루어진 로직 레벨 변환기
2 2
제 1 항에 있어서,상기 상대적 고전위 전원(avdd)과 접지단 사이에 직렬로 연결되는 P채널 MOSFET와 N채널 MOSFET로 이루어져서 상기 중단 인버터의 출력을 반전시키는 후단 인버터를 더 구비한 것을 특징으로 하는 로직 레벨 변환기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 융합신호 SoC 연구센터 반도체연구조합 정보통신 산업원천기술개발사업 Configurable 디바이스 및 회로구현기술