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고감도 나노 포토디텍터의 구조

  • 기술번호 : KST2015146265
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 활성화된 SOI(Silicon On Insulator,이하 SOI) 웨이퍼부에 형성된 채널; 상기의 채널을 감싸고 있는 게이트 절연막; 상기 채널의 캐리어의 흐름을 제어하기 위해 연결된 게이트; 상기 채널 영역의 양끝에 형성된 소오스와 드레인; 및 상기 게이트와 소오스 및 드레인부와 연결된 금속층을 포함하여 이루어진 SOI MOSFET(Metal-Oxide Semicondutor Field Effect Transistor, 이하 MOSFET)를 기본 구조로 하여, 나노 사이즈의 채널을 형성하는 구조 및 게이트와 채널의 중성영역인 바디가 전기적으로 연결된 구조로 이루어짐을 특징으로 하는 고감도 나노 포토디텍터에 관한 것이다. 본 발명의 포토디텍터는 플로우팅 게이트와 중성영역인 바디가 전기적으로 연결된 MOSFET형 구조를 가지는 동시에 나노 사이즈 레벨의 채널폭을 가짐으로써 기존의 구조에 비해 단위 면적당 광에 대한 감도가 매우 뛰어나고, 또한 SOI 구조의 기판위에 형성된 나노 사이즈의 채널을 통해 국부적인 전위방벽에 의한 암전류를 현저히 감소시키며 다이나믹 레인지가 넓어지는 장점이 있다. 따라서, 본 발명의 고감도 나노 포토디텍터는 입사하는 광량에 매우 민감하게 반응하는 고감도 포토디텍터를 제조 할 수 있는 장점이 있다. 고감도, 나노, 포토디텍터, SOI, MOSFET, 양자채널
Int. CL H01L 31/10 (2011.01)
CPC H01L 31/112(2013.01) H01L 31/112(2013.01)
출원번호/일자 1020030028681 (2003.05.06)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0544235-0000 (2006.01.11)
공개번호/일자 10-2004-0095079 (2004.11.12) 문서열기
공고번호/일자 (20060123) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.05.06)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조영창 대한민국 경기도오산시
2 최홍구 대한민국 경기도성남시분당구
3 김훈 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2003-0161871-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0008156-18
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0242050-04
6 의견서
Written Opinion		 2005.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0408809-42
7 등록결정서
Decision to grant		 2005.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0508006-66
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
활성화된 SOI 웨이퍼부에 형성된 채널; 상기의 채널을 감싸고 있는 게이트 절연막; 상기 채널의 캐리어의 흐름을 제어하기 위해 연결된 게이트; 상기 채널 영역의 양끝에 형성된 소오스와 드레인; 및 상기 게이트, 소오스 및 드레인부와 연결된 금속층을 포함하여 이루어진 SOI MOSFET를 이용한 포토디텍터의 구조에 있어서, 나노 사이즈의 양자채널이 형성된 구조; 및 채널의 중성영역인 바디는 게이트와 전기적으로 연결된 구조 를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 고감도 나노 포토디텍터
2 2
제 1항에 있어서, 상기의 양자채널을 감싸고 있는 게이트 절연막은 SiO2를 포함한 산화물이나 질화물로 이루어져 있음을 특징으로 하는 고감도 나노 포토디텍터
3 3
제 1항에 있어서, 상기의 양자채널을 감싸고 있는 게이트 절연막의 두께는 1nm 내지 500nm 이내임을 특징으로 하는 고감도 나노 포토디텍터
4 4
제 1항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인부와 연결된 금속층은 Al, Ti, W, In, Co, Au, Ni 및 Cr 중의 어느 하나를 포함하는 순수 금속이나, 상기 금속들 중 임의의 둘 이상를 포함하는 금속합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 고감도 나노 포토디텍터
5 5
제 1항에 있어서, 상기 MOSFET은 N-P-N형 MOSFET 또는 P-N-P형 MOSFET임을 특징으로 하는 고감도 나노 포토디텍터
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 나노 사이즈의 양자채널을 형성하는 구조는 포토마스크를 사용하여 식각하는 방법을 포함한 이빔 리소그래피를 이용하여 형성됨을 특징으로 하는 고감도 나노 포토디텍터
7 7
제 1항에 있어서, 상기 양자채널의 폭은 1nm 내지 200nm 이내임을 특징으로 하는 고감도 나노 포토디텍터
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 채널의 중성영역인 바디와 게이트는 콘텍홀을 통하여 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 고감도 나노 포토디텍터
9 8
제 1 항에 있어서, 상기 채널의 중성영역인 바디와 게이트는 콘텍홀을 통하여 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 고감도 나노 포토디텍터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.