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저온 소결 압전체 조성 및 이 조성에 따른 저온 소결압전체 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015146274
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 저온 소결 압전체 조성 및 이 조성에 따른 저온 소결 압전체 제조 방법은 치환된 저온 소결 PZT계 압전체 또는 복합 3성분계 저온 소결 PZT계 압전체 중 하나에 대한 조성물에 대한 질량을 측정하는 단계, 상기 질량을 측정한 저온 소결 PZT계 압전체 조성물들을 섞어 가열하는 하소 단계, 저온 소결 조제인 BaO-CuO의 질량을 측정하여 하소 단계를 마친 저온 소결 PZT계 압전체 조성물과 섞는 단계, 저온 압전체 조성물을 일정 온도로 가열하여 소결하는 단계, 소결 단계를 마친 저온 압전체에 전극을 형성하고 전계를 가하여 분극 공정을 실시한 다음, 전극에 전원을 인가하여 저온 압전체의 물성을 평가하는 단계를 포함한다.따라서, 저온 소결 압전체를 제조함에 있어서 저온 소결 조제로 BaO-CuO를 사용할 경우 물성이 개선된 압전체를 만들 수 있을 뿐만 아니라 소결 온도를 낮출 수 있다.압전체, BaO-CuO, 저온소결
Int. CL H01L 41/43 (2013.01) C04B 35/46 (2013.01)
CPC H01L 41/43(2013.01) H01L 41/43(2013.01) H01L 41/43(2013.01)
출원번호/일자 1019990048845 (1999.11.05)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0350853-0000 (2002.08.19)
공개번호/일자 10-2001-0045525 (2001.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20020909) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.11.05)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박준식 대한민국 경기도군포시
2 장세홍 대한민국 경기도 평택시 세교공원로 **
3 황학인 대한민국 경기도안양시동안구
4 최연식 대한민국 경기도 평택시 추담로 **-*
5 박광범 대한민국 경기도평택시
6 이경일 대한민국 서울특별시 강남구
7 신상모 대한민국 경기도용인시
8 김성진 대한민국 경기도 성남시 분당구
9 정재우 대한민국 경기도수원시팔달구
10 서용교 대한민국 경기도용인시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송만호 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
2 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 평택시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.11.05 수리 (Accepted) 1-1-1999-0143621-52
2 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.11.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-0153997-82
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0226463-22
4 의견서
Written Opinion		 2001.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2001-0278089-65
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2002.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0140787-50
6 명세서 등 보정서 (심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2002.05.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2002-5007428-20
7 등록결정서
Decision to grant		 2002.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0250926-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1

치환된 저온 소결 PZT계 압전체 또는 복합 3성분계 저온 소결 PZT계 압전체 중 하나에 대한 조성물에 대한 질량을 측정하는 단계;

상기 질량을 측정한 저온 소결 PZT계 압전체 조성물들을 섞어 가열하는 하소 단계:

저온 소결 조제인 BaO-CuO의 질량을 측정하여 상기 하소 단계를 마친 저온 소결 PZT계 압전체 조성물과 섞는 단계;

상기 저온 압전체 조성물을 일정 온도로 가열하여 소결하는 단계;

상기 소결 단계를 마친 저온 압전체에 전극을 형성하고 전계를 가하여 분극 공정을 실시한 다음, 상기 전극에 전원을 인가하여 저온 압전체의 물성을 평가하는 단계를 포함하는 저온 소결 압전체 제조 방법

2 2

제1항에 있어서,

상기 치환된 저온 소결 PZT계 압전체의 조성은 (Pb1-xSrX)(Zr0

3 3

제1항에 있어서,

상기 치환된 저온 소결 PZT계 압전체의 조성은 Pb1-x/2(Zr0

4 4

제1항에 있어서,

상기 복합 3성분계 저온 소결 PZT계 압전체의 조성은 x(Pb0

5 5

제1항 내지는 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 BaO-CuO는 BaO와 CuO의 조성비를 3mole 대 7mole로 하여 840℃로 4시간동안 가열하여 제조하는 것을 특징으로 하는 저온 소결 압전체 제조 방법

6 6

제4항에 있어서,

상기 (Ni1/3, Nb2/3)는 Ni1/3와 Nb2/3의 비율을 1mole 대 1mole로 하여 혼합한 후, 1000℃로 4시간동안 가열하여 제조하는 것을 특징으로 하는 저온 소결 압전체 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.