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무카드뮴 코어-멀티셸 양자점으로서, a) 인듐 포스파이드를 포함하는 코어, b) 상기 코어의 표면 위로 성장된, 제 1 재료의 제 1 셸, 및 c) 상기 제 1 셸의 표면 위로 성장된, 상기 제 1 셸의 상기 제 1 재료와는 별개의 제 2 재료의 제 2 셸을 포함하고,상기 코어와 상기 제 1 셸 사이의 격자 상수 차이가 2% 내지 8% 이고,상기 코어와 상기 제 2 셸 사이의 격자 상수 차이가 13% 미만인, 무카드뮴 코어-멀티셸 양자점
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 셸의 상기 제 1 재료는 아연 셀레나이드, 아연 설파이드 또는 이들의 혼합물을 포함하는, 무카드뮴 코어-멀티셸 양자점
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 셸의 상기 제 2 재료는 아연 셀레나이드, 아연 설파이드 또는 이들의 혼합물을 포함하는, 무카드뮴 코어-멀티셸 양자점
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 셸은 코어와 제 2 셸의 격자 상수 사이에 놓이는 격자 상수를 갖는, 무카드뮴 코어-멀티셸 양자점
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 셸과 상기 제 2 셸 사이의 격자 상수 차이가 3% 내지 9% 인, 무카드뮴 코어-멀티셸 양자점
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 코어와 상기 제 2 셸 사이의 격자 상수 차이가 5% 내지 13% 인, 무카드뮴 코어-멀티셸 양자점
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 셸의 상기 제 1 재료는 아연 셀레나이드를 포함하고, 상기 제 2 셸의 상기 제 2 재료는 아연 설파이드를 포함하는, 무카드뮴 코어-멀티셸 양자점
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제 1 항 또는 제 2 항에 따른 무카드뮴 코어-멀티셸 양자점의 제조 방법으로서, a) 인듐 포스파이드 나노입자를 포함하는 베이스 (base) 용액을 제공하는 단계, b) 적어도 하나의 아연 카르복실레이트를 제공하는 단계, c) 적어도 하나의 황 소스 또는 셀레늄 소스를 제공하는 단계, d) 단계 a) 의 인듐 포스파이드 나노입자를 포함하는 상기 베이스 용액을 단계 b) 의 적어도 하나의 아연 카르복실레이트와 접촉시키는 단계, e) 단계 d) 로부터 획득되는 혼합물을 단계 c) 의 적어도 하나의 황 소스 또는 셀레늄 소스와 접촉시키는 단계, f) 단계 e) 로부터 획득되는 혼합물을 단계 b) 의 적어도 하나의 아연 카르복실레이트와 접촉시키는 단계, 및 g) 단계 f) 로부터 획득되는 혼합물을 단계 c) 의 적어도 하나의 황 소스 또는 셀레늄 소스와 접촉시키는 단계를 포함하고, 상기 무카드뮴 코어-멀티셸 양자점은 원 포트 (one-pot) 프로세스로 제조되는, 무카드뮴 코어-멀티셸 양자점의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 인듐 포스파이드 나노입자를 포함하는 상기 베이스 용액은, i) 인듐(Ⅲ) 아세테이트, 인듐(Ⅲ) 플루오라이드, 인듐(Ⅲ) 클로라이드, 인듐(Ⅲ) 브로마이드, 인듐(Ⅲ) 아이오다이드, 인듐(Ⅲ) 나이트레이트, 인듐(Ⅲ) 트리플레이트, 인듐(Ⅲ) 토실레이트, 인듐(Ⅲ) 메실레이트, 인듐(Ⅲ) 술페이트, 인듐(Ⅲ) 아세틸-아세토네이트, 인듐(Ⅲ) tert-부톡사이드, 인듐(Ⅲ) 하이드록사이드, 인듐(Ⅲ) 퍼클로레이트, 인듐(Ⅲ) 설파이드 및 이들의 혼합물을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 인듐(Ⅲ) 염을, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 카프로산, 헵탄산, 카프릴산, 카프르산, 라우르산, 미리스트산, 팔미트산, 스테아르산, 베헨산, 아크릴산, 메타크릴산, 부트-2-엔산, 부트-3-엔산, 펜트-2-엔산, 펜트-4-엔산, 헥스-2-엔산, 헥스-3-엔산, 헥스-4-엔산, 헥스-5-엔산, 헵트-6-엔산, 옥트-2-엔산, 데스-2-엔산, 언데스--10-엔산, 도데스-5-엔산, 올레산, 가돌레산, 에루크산 (gadoleic acid), 리놀레산, α-리놀렌산, γ-리놀레산, 칼렌드산 (calendic acid), 에이코사트리엔산 (eicosatrienoic acid), 아라키돈 산, 스테아리돈산 (stearidonic acid), 벤조산, 파라-톨루엔산, 오르토-톨루엔산, 메타-톨루엔산, 하이드로신남산, 나프텐산, 신남산 및 이들의 혼합물을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 카르복시산과 접촉시키는 단계, ii) 단계 i) 로부터 획득되는 혼합물을 적어도 하나의 아연 카르복실레이트와 접촉시키는 단계, 및 iii) 단계 ii) 로부터 획득되는 혼합물을 트리스(트리메틸실릴)포스핀과 접촉시키는 단계에 의해 획득되는, 무카드뮴 코어-멀티셸 양자점의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 아연 카르복실레이트는, 아연 아세테이트, 아연 플루오라이드, 아연 클로라이드, 아연 브로마이드, 아연 아이오다이드, 아연 나트이레이트, 아연 트리플레이트, 아연 토실레이트, 아연 메실레이트, 아연 옥사이드, 아연 술페이트, 아연 아세틸아세토네이트, 아연 톨루엔-3,4-디티올레이트, 아연 p-톨루엔-술포네이트, 아연 디에틸디티오카르바메이트, 아연 디벤질티오카르바메이트 및 이들의 혼합물을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 아연 염을, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 카프로산, 헵탄산, 카프릴산, 카프르산, 언데칸산 (undecanoic acid), 라우르산, 미리스트산, 팔미트산, 스테아르산, 베헨산, 아크릴산, 메타크릴산, 부트-2-엔산, 부트-3-엔산, 펜트-2-엔산, 펜트-4-엔산, 헥스-2-엔산, 헥스-3-엔산, 헥스-4-엔산, 헥스-5-엔산, 헵트-6-엔산, 옥트-2-엔산, 데스-2-엔산, 언데스--10-엔산, 도데스-5-엔산, 올레산, 가돌레산, 에루크산, 리놀레산, α-리놀렌산, γ-리놀레산, 칼렌드산, 에이코사트리엔산, 아라키돈 산, 스테아리돈산, 벤조산, 파라-톨루엔산, 오르토-톨루엔산, 메타-톨루엔산, 하이드로신남산, 나프텐산, 신남산, 파라-톨루엔술폰산 및 이들의 혼합물을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 카르복시산과 접촉시킴으로써 획득되는, 무카드뮴 코어-멀티셸 양자점의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 황 소스 또는 셀레늄 소스는 원소 황, 옥탄티올, 도데칸티올, 옥타데칸티올, tert-부탄티올, 트리부틸-포스판 설파이드, 사이클로헥실 이소치오시아네이트, α-톨루엔티올, 에틸렌 트리티오카보네이트, 알릴 메르캅탄, 비스(트리메틸실릴) 설파이드, 트리옥틸포스판 설파이드, 트리옥틸포스핀 셀레나이드 및 이들의 혼합물을 포함하는 그룹으로부터 선택되는, 무카드뮴 코어-멀티셸 양자점의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 단계 e) 및/또는 단계 g) 로부터 획득되는 혼합물이 180℃ 내지 320℃ 의 온도로 가열되는, 무카드뮴 코어-멀티셸 양자점의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,OLED, 태양 전지, 발광체, X선 신틸레이터, 형광 수집기 (fluorescence collectors), 유기 전계효과 트랜지스터에서 사용되거나, 생분석 (bioanalysis) 에서 형광성 라벨로서 사용되거나, 또는 형광성 안전 장치로서 사용되기 위한 무카드뮴 코어-멀티셸 양자점
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제 1 항 또는 제 2 항에 따른 적어도 하나의 무카드뮴 코어-멀티셸 양자점을 갖는 광전자 부품
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제 10 항에 있어서, 단계 e) 및/또는 단계 g) 및/또는 단계 iii) 로부터 획득되는 혼합물이 180℃ 내지 320℃ 의 온도로 가열되는, 무카드뮴 코어-멀티셸 양자점의 제조 방법
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