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가스 센서 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015146350
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가스 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 가스 센서가 만들어지는 기판의 뒷면을 식각하여 생기는 홈을 그대로 이용하여 감지물질을 도포 시킴으로써, 종래 기술과 같은 가스 감지물질 지지대를 별도로 제작하여 접합하는 공정이 필요하지 않고, 감지물질을 고온에서 소결할 때 지지부가 분리되는 문제를 제거할 수 있으며, 또한 반도체 포토 리소그래피 공정을 이용하여 감지 물질 지지를 위한 홈을 형성하기 때문에 별도의 가스 감지물질 지지대의 정렬장치가 필요 없는 효과가 있다. 가스, 센서, 지지대, 감지물질, 식각
Int. CL G01N 27/14 (2006.01)
CPC G01N 27/185(2013.01)G01N 27/185(2013.01)
출원번호/일자 1020040058192 (2004.07.26)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0679894-0000 (2007.02.01)
공개번호/일자 10-2006-0009559 (2006.02.01) 문서열기
공고번호/일자 (20070207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.07.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박광범 대한민국 경기도 평택시
2 박효덕 대한민국 경기도 평택시 세교*로 **
3 박준식 대한민국 경기도 군포시 고산로***번길 **, *
4 신규식 대한민국 경기도 남양주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
4 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 제일테크 주식회사 경기도 평택시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2004-0330884-60
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0207042-18
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.05.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0333539-17
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2006.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2006-0332324-30
6 의견서
Written Opinion		 2006.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2006-0333529-61
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2006.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0530599-14
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2006.09.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2006-0032627-06
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0701956-77
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.12.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0944304-60
11 의견서
Written Opinion		 2006.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0944226-07
12 등록결정서
Decision to grant		 2007.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0055413-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판 상부에 제 1 실리콘 산화막이, 실리콘 기판 하부에 제 2 실리콘 산화막이 형성되어 되어 있고; 상기 실리콘 기판 상부에 있는 제 1 실리콘 산화막 중앙 상부에 감지 전극 패턴이 형성되어 있으며, 상기 감지 전극 패턴에서 연장된 한 쌍의 감지 전극 패드가 제 1 실리콘 산화막 일측 상부에 형성되어 있고; 제 1 절연막이 상기 감지 전극 패턴과 한 쌍의 감지 전극 패드를 감싸며, 상기 제 1 실리콘 산화막 상부에 형성되어 있고; 상기 제 1 절연막 중앙 상부에 가열 전극 패턴이 형성되어 있으며, 상기 가열 전극 패턴에서 연장된 한 쌍의 가열 전극 패드가 상기 제 1 절연막 타측 상부에 형성되어 있고; 제 2 절연막이 상기 가열 전극 패턴과 한 쌍의 가열 전극 패드를 감싸며, 상기 제 1 절연막 상부에 형성되어 있고; 상기 한 쌍의 감지 전극 패드가 노출되도록, 상기 제 1과 2 절연막의 일부가 제거되어 있으며, 상기 한 쌍의 가열 전극 패드가 노출되도록, 상기 제 2 절연막의 일부가 제거되어 있고; 상기 제 2 실리콘 산화막, 실리콘 기판과 제 1 실리콘 산화막 중앙 하부가 순차적으로 제거되어 상기 제 1 절연막 및 감지 전극 패드의 하부가 노출되어 있고; 상기 노출된 제 1 절연막 및 감지 전극 패턴 하부에 감지물질이 도포되어 있는 구조로 이루어진 가스 센서
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 절연막은, 실리콘 질화막(Si3N4)으로 형성되어 있고, 상기 제 2 절연막은, 실리콘 질화막(Si3N4) 또는 실리콘 산화막(SiO2)으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가스 센서
3 3
실리콘 기판 상부에 제 1 실리콘 산화막을 형성하고, 실리콘 기판 하부에 제 2 실리콘 산화막을 형성하는 제 1 단계와;상기 실리콘 기판 상부에 있는 제 1 실리콘 산화막 중앙 상부에 감지 전극 패턴을 형성하고, 상기 감지 전극 패턴에서 연장된 한 쌍의 감지 전극 패드를 제 1 실리콘 산화막 일측 상부에 형성하는 제 2 단계와;상기 제 1 실리콘 산화막 상부에, 상기 감지 전극 패턴과 한 쌍의 감지 전극 패드를 감싸도록 제 1 절연막을 형성하는 제 3 단계와;상기 제 1 절연막 중앙 상부에 가열 전극 패턴을 형성하고, 상기 가열 전극 패턴에서 연장된 한 쌍의 가열 전극 패드를 상기 제 1 절연막 타측 상부에 형성하는 제 4 단계와;상기 제 1 절연막 상부에, 상기 가열 전극 패턴과 한 쌍의 가열 전극 패드를 감싸도록 제 2 절연막을 형성하는 제 5 단계와;상기 한 쌍의 감지 전극 패드가 노출되도록, 상기 제 1과 2 절연막의 일부를 식각하고, 상기 한 쌍의 가열 전극 패드가 노출되도록, 상기 제 2 절연막의 일부를 식각하고, 상기 제 2 실리콘 산화막 중앙 하부를 식각하여 실리콘 기판의 일부를 노출시키는 제 6 단계와;상기 노출된 실리콘 기판을 제거하여 제 1 실리콘 산화막의 일부를 노출시키는 제 7 단계와;상기 노출된 제 1 실리콘 산화막을 제거하여 상기 제 1 절연막 및 감지 전극 패드의 하부를 노출시키는 제 8 단계와;상기 실리콘 기판을 뒤집어서, 상기 노출된 제 1 절연막 및 감지 전극 패턴상부에 감지물질을 도포하는 제 9 단계로 구성된 가스 센서의 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 제 1 절연막은, PECVD 증착방법으로 실리콘 질화막(Si3N4)을 형성하고,상기 제 2 절연막은,PECVD 증착방법으로 실리콘 질화막(Si3N4) 또는 실리콘 산화막(SiO2)을 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
5 5
제 3 항에 있어서, 제 7 단계에서 상기 노출된 실리콘 기판을 제거하는 것은, TMAH 또는 KOH 실리콘 식각 용액을 사용하여 실리콘 기판을 제거하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
6 6
제 3 항에 있어서, 제 8 단계에서 상기 제 1 실리콘 산화막을 제거하는 것은, BOE(Buffed oxide etchant)를 사용하여 실리콘 산화막 만을 선택적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
7 6
제 3 항에 있어서, 제 8 단계에서 상기 제 1 실리콘 산화막을 제거하는 것은, BOE(Buffed oxide etchant)를 사용하여 실리콘 산화막 만을 선택적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.