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1
인체를 감지하는 센서에 있어서,
멤브레인 구조가 형성된 제1기판;
상기 제1기판 상에 형성된 절연막;
상기 절연막의 멤브레인 구조 상에 형성되어 적외선 흡수막을 투과한 적외선을 감지하는 적외선 감지막;
상기 적외선 감지막에서 감지한 신호를 전달하기 위해 외부 회로와 연결되는 한 쌍의 전극;
상기 적외선 감지막과 이격되어 형성되고 적외선을 흡수하는 적외선 흡수막; 및
상기 절연막 상에 형성되고 상기 적외선 흡수막을 지지하는 제2기판
을 포함하는 적외선 센서
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2
인체를 감지하는 센서에 있어서,
멤브레인 구조가 형성된 제1기판;
상기 제1기판 상에 형성된 절연막;
상기 절연막의 멤브레인 구조 상에 형성되어 적외선 흡수막을 통과한 적외선을 감지하는 적외선 감지막;
상기 적외선 감지막 상에 형성되어 적외선을 흡수하는 적외선 흡수막; 및
상기 적외선 감지막에서 감지한 신호를 전달하기 위해 외부회로와 연결된 한 쌍의 전극
을 포함하는 적외선 센서
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3
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 절연막 상에 상기 적외선 감지막과 일정거리 이격되어 주변 온도를 감지하는 온도 감지막; 및
상기 온도 감지막에서 감지한 신호를 전달하기 위해 외부회로와 연결되는 한 쌍의 전극
을 더 포함하는 적외선 센서
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4
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 적외선 흡수막은 감지하고자 하는 8 내지 10 ㎛ 파장의 적외선을 흡수하는 적외선 센서
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5
제 4항에 있어서,
상기 적외선 흡수막은 적외선 필터를 더 포함하는 적외선 센서
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6
제 1항에 있어서,
상기 적외선 흡수막과 상기 적외선 감지막 사이의 공간은 진공상태인 적외선 센서
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7
제 1항에 있어서,
상기 적외선 흡수막은 상기 적외선 감지막과 λ/4의 거리에 위치하는 적외선 센서
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8
인체를 감지하는 센서의 제조방법에 있어서,
제1기판에 절연막을 형성하는 단계;
상기 절연막 상에 적외선 감지막과 온도 감지막을 리소그래피 공정으로 형성하는 단계;
상기 적외선 감지막과 온도 감지막의 양 끝단에 한 쌍의 전극을 각각 형성하고, 외부회로와 연결하기 위한 단자를 형성하는 단계;
상기 적외선 감지막이 위치한 상기 절연막 하부의 제1기판을 식각하여 멤브레인 구조로 형성하는 단계;
제2기판에 적외선 흡수막을 형성하는 단계;
상기 적외선 흡수막 하부의 제2기판 및 상기 온도 감지막이 위치하는 부분을 식각하여 각각 제1중공부 및 제2중공부를 형성하는 단계; 및
상기 제1기판과 제2기판을 접합하는 단계
를 포함하는 적외선 센서의 제조방법
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9
제 8항에 있어서,
상기 제1중공부는 진공 상태인 적외선 센서의 제조방법
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10
제 8항에 있어서,
상기 제2기판은 높이와 식각하는 각도를 조절하여 감지 유효각도가 설정되는 적외선 센서의 제조방법
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11
제 8항에 있어서,
상기 적외선 흡수막은 상기 적외선 감지막과 λ/4의 거리에 위치하는 적외선 센서
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12
제 8항에 있어서,
상기 제2기판은 상기 제1기판과 Si-Si 진공 접합 또는 접착 폴리머를 이용하여 접합하는 적외선 센서의 제조방법
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13
인체를 감지하는 센서의 제조방법에 있어서,
제1기판에 절연막을 형성하는 단계;
상기 절연막 상에 적외선 감지막과 온도 감지막을 리소그래피 공정으로 형성하는 단계;
상기 적외선 감지막 상에 적외선 흡수막을 형성하는 단계;
상기 적외선 감지막 및 온도 감지막의 양 끝단에 한 쌍의 전극을 각각 형성하고, 외부회로와 연결하기 위한 단자를 형성하는 단계;
상기 적외선 감지막이 위치한 상기 절연막 하부의 제1기판을 식각하여 멤브레인 구조로 형성하는 단계;
상기 적외선 감지막 상부에 적외선 흡수막을 형성하는 단계
를 포함하는 적외선 센서의 제조방법
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제 8항 또는 제 13항에 있어서,
상기 멤브레인을 형성하는 식각은 식각홀을 통해 XeF4 가스를 주입하여 하는 건식식각인 적외선 센서의 제조방법
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