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높은 Ｑ값의 표면탄성파 공진기

  • 기술번호 : KST2015146421
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 1-포트형 표면탄성파 공진기 구조에 대한 것이다. 종래의 표면탄성파 공진기는 삽입손실을 감소시키기 위하여 IDT 개수와 반사기수를 증가시키면 칩크기가 증가하고 IDT개수의 증가로 회절현상이 발생하여 주파수 특성에 이상특성을 야기시키는 원인이 되어 왔다.본 발명은 도1의 1-포트형 표면탄성파 공진기의 기본 구조에 도 8과 같이 석영 웨이퍼(2) 상에 산화아연 압전박막(3)과 IDT(4)를 증착시켜 제작한 1-포트형 표면탄성파 공진기(1)의 구조로서, IDT 전극주기(LT)와 반사기 주기(LR)의 비는 LR ≒ 1.007×LT 이고, IDT와 반사기 사이의 거리(DT)는 LT/4 로 하여 제작한 1-포트형 표면탄성파 공진기이다. 본 발명은 종래의 1-포트형 표면탄성파 공진기의 이상 특성을 방지하고 실질적인 삽입손실 개선과 Q값 증진을 위한 표면탄성파 공진기를 제공함을 목적으로 한다.
Int. CL H03H 9/25 (2006.01)
CPC H03H 9/25(2013.01) H03H 9/25(2013.01) H03H 9/25(2013.01)
출원번호/일자 1019990058038 (1999.12.15)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2001-0056544 (2001.07.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.12.15)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양형국 대한민국 경기도평택시
2 박종철 대한민국 경기도성남시분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1999-0172027-10
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0261838-16
3 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2001.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2001-5326133-86
4 의견서
Written Opinion		 2001.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2001-0310552-45
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.11.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0310553-91
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2002.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0141449-12
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

1-포트형 표면탄성파 공진기에 있어서, 석영 웨이퍼(2) 상에 산화아연 압전박막(3)과 IDT(Interdigital Transducer)(4)를 증착시켜 제작한 1-포트형 표면탄성파 공진기(1) 구조인 것을 특징으로 하는 높은 Q값의 표면탄성파 공진기
2 2

제 1항에 있어서, IDT 전극주기(LT)와 반사기 주기(LR)의 비는 LR ≒ 1

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.