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광통신용 신호 처리 필터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015146429
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이 발명은 광통신용 신호 처리 필터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 롱 패스 필터는 기판 위에 이산화티타늄층과 이산화규소층을 번갈아 총 29층을 적층한 구조이고, 기판 바로 위와 마지막 층, 7번째 및 9번째 층에 적층되는 이산화티타늄층의 두께는 1/2이고, 8번째 적층되는 이산화규소층의 두께는 1/1.05이고, 나머지 이산화규소층와 이산화티타늄층의 두께는 모두 1로 한다. 쇼트 패스 필터는 기판 위에 이산화티타늄층과 이산화규소층을 번갈아 총 27층을 적층한 구조이고, 기판 바로 위에 적층되는 1번째와 3번째, 5번째 및 마지막 층인 27번째에 적층되는 이산화티타늄층의 두께는 1/2이고, 4번째층에 적층되는 이산화규소층의 두께는 1/0.8이고, 나머지 이산화규소층과 이산화티타늄층의 두께는 모두 1이다. 이와 같이 롱 패스 필터와 쇼트 패스 필터를 제작하면, 파장에 대한 광투과율의 감쇠 현상이 줄어들고 해당 파장을 갖는 광신호의 투과성이 향상되어 독립성이 증대되고 전송시 잡음에 의한 오차 발생률이 감소하기 때문에 광신호의 전송 효율이 극대화된다.
Int. CL G02B 6/293 (2006.01.01) G02B 6/12 (2006.01.01)
CPC G02B 6/29361(2013.01) G02B 6/29361(2013.01)
출원번호/일자 1019970068055 (1997.12.12)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자 10-0266038-0000 (2000.06.20)
공개번호/일자 10-1999-0049173 (1999.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000915) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.12)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김명진 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 임영민 대한민국 경기도 평택시
3 이한영 대한민국 경기도 고양시 일산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용식 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
3 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 평택시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.12.12 수리 (Accepted) 1-1-1997-0213368-01
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.12 수리 (Accepted) 1-1-1997-0213369-46
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.12 수리 (Accepted) 1-1-1997-0213370-93
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005793-30
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1999.02.23 수리 (Accepted) 1-1-1999-5084116-27
6 등록사정서
Decision to grant		 2000.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0118445-10
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판 위에 적층되어 있는 다수의 이산화티타늄층과 다수의 이산화규소층으로 이루어진 신호 간섭 장치에서,

상기 이산화티타늄층은 15층으로 이루어지고, 상기 이산화규소층은 상기 이산화티타늄층의 사이에 각각 위치하여 총 14층으로 이루어지며, 상기 기판 위로부터 7번째와 9번째층인 이산화티타늄층의 두께는 다른 이산화티타늄층의 두께의 1/2이고, 8번째층인 이산화규소층은 다른 이산화규소층 두께의 1/1

2 2

기판 위에 적층되어 있는 다수의 이산화티타늄층과 다수의 이산화규소층으로 이루어진 신호 간섭 장치에서,

상기 이산화티타늄층은 14층으로 이루어지고, 상기 이산화규소층은 상기 이산화티타늄층의 사이에 각각 위치하며 총 13층으로 이루어지며, 상기 기판 위로부터 3번째와 5번째층인 이산화티타늄층의 두께는 다른 이산화티타늄층의 두께의 1/2이고, 4번째층인 이산화규소층은 다른 이산화규소층 두께의 1/0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.