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미세 구조물 형성을 위한 리가 공정

  • 기술번호 : KST2015146439
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 리가(LIGA) 공정에 관한 것으로서, 우선, 패턴이 형성되어 있는 박막으로 이루어진 X-선용 마스크를 기판에 부착되어 있지 않고 양면이 노출되어 있는 감광막에 정렬시킨 다음, X-선을 조사하고 현상하여 감광막 패턴을 형성한다. 이때, 현상액에 의한 식각은 감광막의 윗면과 아래면을 통하여 이루어지므로 경사 식각이 가지는 폭이 줄어들어 기판에 부착되어 있는 채로 노광할 때보다 오차가 줄어든다. 또한, 감광막이 기판에 부착되어 있지 않으므로 X-ray의 광자에 의한 산란 또는 2차 전자 효과는 발생하지 않으므로, 현상 후에 감광막 패턴의 오차가 줄어든다.
Int. CL G03F 1/22 (2012.01.01)
CPC G03F 1/22(2013.01)
출원번호/일자 1019970068059 (1997.12.12)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자 10-0249317-0000 (1999.12.23)
공개번호/일자 10-1999-0049177 (1999.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.12)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신상모 대한민국 경기도 용인시
2 박순섭 대한민국 경기도 평택시
3 홍성제 대한민국 경기도 과천시
4 황학인 대한민국 경기도 안양시 동안구
5 최성호 대한민국 경기도 평택시
6 정석원 대한민국 충청남도 공주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용식 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
3 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 평택시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.12 수리 (Accepted) 1-1-1997-0213381-95
2 특허출원서
Patent Application		 1997.12.12 수리 (Accepted) 1-1-1997-0213380-49
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.12 수리 (Accepted) 1-1-1997-0213382-30
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005793-30
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1999.02.23 수리 (Accepted) 1-1-1999-5084120-11
6 등록사정서
Decision to grant		 1999.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0378613-88
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

양면이 노출되어 있는 감광막에 마스크를 통하여 X-선을 조사하는 단계,

상기 감광막을 현상하여 감광막 구조물을 형성하는 단계

도금 기저막 및 접착막이 차례로 형성되어 있는 기판의 상부에 상기 감광막 구조물을 부착하는 단계,

상기 감광막 구조물로 가려지지 않고 노출된 상기 접착막을 제거하여 상기 도금 기저막을 드러내는 단계,

전기 도금 공정을 통하여 상기 노출된 도금 기저막의 상부에 금속 구조물을 형성하는 단계,

상기 감광막 구조물 및 상기 접착막을 제거하는 단계를 포함하는 리가 공정

2 2

제1항에서, 상기 접착막은 상기 감광막 구조물과 동일한 물질로 형성하는 리가 공정

3 3

제2항에서, 상기 접착막 및 상기 감광막은 PMMA(poly methyl methacrylate)로 형성하는 리가 공정

4 4

제3항에서, 상기 도금 기저막은 Au, Cr, Ni, Ti의 단일막 또는 이들의 이중막으로 형성하는 리가 공정

5 5

제4항에서, 상기 도금 기저막을 드러내는 단계는 산소 가스를 이용한 반응성 이온 식각(RIE ; ractive ion etching) 방법으로 행하는 리가 공정

6 6

제5항에서, 상기 금속 구조물은 Ni, Cu, Au 또는 Ni-Fe 중 하나의 금속으로 형성하는 리가 공정

7 7

제6항에서, 상기 금속 구조물을 상기 Ni로 형성하는 경우에는 상기 금속 구조물의 수명을 연장하기 위하여 Ni의 상부에 Ni-P의 혼합물을 코팅하는 리가 공정

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.