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필드에미션디바이스의팁구조및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015146449
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 필드 에미션 디바이스(field emission device)에 사용되는 필드 에미터 팁의 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 마스킹기법 및 실리콘(Si)등의 무거운 이온들을 이용하는 이온주입법등을 이용하여 기판자체에 실리콘등의 이온을 주입함으로써 전자를 방출하는 필드 에미터 팁을 형성한 필드 에미션 디바이스의 에미터 팁의 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명에서는 상기 필드 에미터 팁이 상기 기판의 소정부분에 마스킹을 통해 이온이 주입되어 상기 기판자체내에 뽀쭉한 산형태로 형성된다. 본 발명의 필드 에미터 팁의 제조방법은, 기판에 이온을 주입하여 기판자체내에 필드 에미터 팁을 제조하는 제조방법에 있어서, 기판을 준비하는 단계와 상기 기판자체에 이온이 주입되는 부분을 제외하고는 포토레지스트를 입히는 마스킹단계와, 상기 포토레지스트가 입혀지지 않은 기판의 부분에 골형태로 이온을 주입하는 단계와, 상기 포토레지스트 부분의 상방에 광차단층을 입히는 단계, 및 상기 포토레지스트를 제거하기 위하여 상기 광차단층을 통해 광을 조사하여 포토레지스트부분을 현상하여 상기 기판자체내에 뽀쭉한 산형태의 필드에미터 팁을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01J 1/304 (2006.01.01) H01J 9/02 (2006.01.01)
CPC H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01)
출원번호/일자 1019950033934 (1995.09.30)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1997-0017858 (1997.04.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 포기
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.11.19)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박용규 대한민국 경기도수원시팔달구
2 박준상 대한민국 서울특별시송파구
3 한정인 대한민국 서울특별시송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 권석흠 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)(유미특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1995.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1995-0136859-08
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.10.04 수리 (Accepted) 1-1-1995-0136860-44
3 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.07.03 수리 (Accepted) 1-1-1995-0136861-90
4 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.11.19 수리 (Accepted) 1-1-1995-0754084-59
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1999.02.22 수리 (Accepted) 1-1-1999-5079031-27
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.22 수리 (Accepted) 4-1-1999-0036562-16
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0212393-17
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-5332089-15
9 의견서
Written Opinion		 2000.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2000-5370707-14
10 등록사정서
Decision to grant		 2001.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0133181-04
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판과, 필드 에미터 팁 및 상기 필드 에미터 팁에서 전류가 방출되도록 그 주변에 전기장이 형성되도록 소정의 전압이 인가되는 다수의 게이트 전극을 구비한 필드 에미션 디바이스에 있어서, 상기 필드 에미터 팁은 상기 기판의 소정부분에 마스킹을 통해 이온이 주입되어 기판차체내에서 뽀쭉한 산형태로 형성된 것을 특징으로 하는 필드 에미션 디바이스

2 2

제1항에 있어서, 상기 기판상에의 이온주입은 골형태로 주입되는 것을 특징으로 하는 필드 에미션 디바이스

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 필드 에미터 팁은 코운타입인 것을 특징으로 하는 필드 에미션 디바이스

4 4

기판에 이온을 주입하여 기판자체에 필드 에미터 팁을 제조하는 제조방법에 있어서, 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판자체에 이온이 주입되는 부분을 제외하고는 포토레지스트를 입히는 마스킹단계와, 상기 포토레지스트가 입혀지지 않는 기판의 부분에 골형태로 이온을 주입하는 단계와, 상기 포토레지스트 부분의 상방에 광차단층을 입히는 단계, 및 상기 포토레지스터를 제거하기 위하여 상기 광차단층을 통해 광을 조사하여 포토레지스트부분을 현상하여 상기 기판자체내에 뽀쭉한 산형태의 필드 에미터 팁을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 필드 에미터 팁의 제조방법

5
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.