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집적광학소자및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015146457
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 파릴렌 버퍼층을 구비하는 집적광학소자를 개시한다. 본 발명은 기판의 표면 근방에 형성된 광도파로와, 상기 광도파로 및 기판 상에 형성된 파릴렌 버퍼층과, 상기 파릴렌 버퍼층의 표면 일부를 노출하는 도전패턴과, 상기 도전패턴 상에 형성된 전극패턴과, 상기 전극 패턴 상에 접착된 외부단자를 포함한다. 본 발명의 집적 광학소자는 두께가 얇은 파릴렌 버퍼층을 도입함으로써 저전압 구동을 하는데 유리하며, 공정을 단순화할 수 있기 때문에 재현성 있는 소자제작이 가능하고 제작단가를 낮출 수 있다.
Int. CL G02B 6/132 (2006.01.01) G02B 6/122 (2006.01.01)
CPC G02B 6/132(2013.01) G02B 6/132(2013.01)
출원번호/일자 1019960080029 (1996.12.31)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자 10-0234915-0000 (1999.09.20)
공개번호/일자 10-1998-0060666 (1998.10.07) 문서열기
공고번호/일자 (19991215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.31)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤대원 대한민국 경기도 평택시
2 윤형도 대한민국 경기도 송탄시
3 김성구 대한민국 경기도 평택시
4 허현 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
5 반재경 대한민국 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 권석흠 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)(유미특허법인)
3 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
4 윤창일 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1996.12.31 수리 (Accepted) 1-1-1996-0259311-31
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005793-30
3 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification
1999.02.23 수리 (Accepted) 1-1-1999-5083976-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1999.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0167699-00
5 의견서
Written Opinion
1999.06.23 수리 (Accepted) 1-1-1999-5228792-05
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1999.06.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5228804-65
7 등록사정서
Decision to grant
1999.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0263912-61
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판의 표면 근방에 형성된 광도파로; 상기 광도파로 및 기판 상에 형성된 파릴렌 버퍼층; 상기 파릴렌 버퍼층의 표면 일부를 노출하는 도전패턴; 상기 도전패턴 상에 형성된 전극패턴; 및 상기 전극 패턴 상에 접착된 외부단자를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적광학소자

2 2

제1항에 있어서, 상기 기판은 LiNbO3, LiTaO3, GaAs, InP 또는 유리로 구성된 것을 특징으로 하는 집적광학소자

3 3

제1항에 있어서, 상기 도전패턴은 금 박막으로 구성된 것을 특징으로 하는 집적광학소자

4 4

제1항에 있어서, 상기 전극패턴은 금 후막으로 구성된 것을 특징으로 하는 집적광학소자

5 5

제1항에 있어서, 상기 전극패턴 및 상기 파릴렌 버퍼층 상에 소자보호용 파릴렌막이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 집적광학소자

6 6

기판의 표면 근방에 광도파로를 형성하는 단계; 상기 광도파로 및 기판 상에 파릴렌 버퍼층을 형성하는 단계, 상기 파릴렌 버퍼층 상에 도전막을 형성하는 단계, 상기 도전막을 식각하여 상기 파릴렌 버퍼층의 표면 일부를 노출하는 도전패턴을 형성하는 단계, 상기 도전패턴 상에 전극패턴을 형성하는 단계; 및 상기 전극 패턴 상에 외부단자를 접착하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적광학소자의 제조방법

7 7

제6항에 있어서, 상기 도전막은 금 박막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 집적광학소자의 제조방법

8 8

제6항에 있어서, 상기 전극패턴 및 상기 파릴렌 버퍼층 상에 소자보호용 파릴렌막이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 집적광학소자의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.