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마그네슘 염, 1,2-디메톡시에탄, 및 하기 화학식 1로 표시되는 글라임(glyme)계 유기용매를 포함하는 제1 전해질; 및고분자 및 하기 화학식 2로 표시되는 루이스 염기와 하기 화학식 3으로 표시되는 루이스 산의 반응 생성물인 그리냐드 유도체를 포함하고, 음극 표면에 위치하는 막(layer) 형태인 제2 전해질;을 포함하고,상기 막(layer) 형태인 제2 전해질에 의해, 상기 제1 전해질과 상기 음극이 물리적으로 분리되어, 상기 제1 전해질에 포함된 유기용매와 상기 음극의 반응이 억제되고, 상기 음극 표면에 산화막(MgO/Mg(OH)2)이 형성되는 것을 억제하거나, 상기 음극 표면에 형성되는 산화막을 제거하는 것인,마그네슘 이차전지용 전해질:[화학식 1][화학식 2]R3aMgCl2-a[화학식 3]R4bAlCl3-b상기 화학식 1 내지 3에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 비치환된 C2 내지 C20 알킬기, 또는 이들의 조합이고,n은 2 내지 5의 정수이고,R3 및 R4는 각각 독립적으로, 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합이고,a는 0 내지 2의 정수이고,b는 0 내지 3의 정수이다
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제1항에 있어서,상기 그리냐드 유도체는 하기 화학식 4로 표시되는 화합물인 마그네슘 이차전지용 전해질:[화학식 4](R3aMgCl2-a)2-AlCl3상기 화학식 4에서, R3는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합이고,a는 0 내지 3의 정수이다
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제1항에 있어서,상기 그리냐드 유도체는 하기 화학식 5로 표시되는 화합물인 마그네슘 이차전지용 전해질:[화학식 5]Mg(AlCl4-bR4b)2상기 화학식 5에서, R4는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합이고,b는 0 내지 3의 정수이다
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제1항에 있어서,상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로, 비치환된 C2 내지 C20 알킬기인 마그네슘 이차전지용 전해질
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제1항에 있어서,상기 글라임(glyme)계 유기용매는 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르, 또는 이들의 조합인 마그네슘 이차전지용 전해질
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제1항에 있어서,상기 글라임(glyme)계 유기용매는, 상기 1,2-디메톡시에탄과 상기 화학식 1로 표시되는 용매를 1 내지 99 : 99 내지 1의 부피비로 포함하는 마그네슘 이차전지용 전해질
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제1항에 있어서,상기 글라임(glyme)계 유기용매는, 1,2-디메톡시에탄 및 디에틸렌글리콜디메틸에테르를 포함하는 마그네슘 이차전지용 전해질
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제7항에 있어서,상기 1,2-디메톡시에탄과 상기 디에틸렌글리콜디메틸에테르는 1 내지 90 : 90 내지 1의 부피비로 포함되는 것인 마그네슘 이차전지용 전해질
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제1항에 있어서,상기 글라임(glyme)계 유기 용매는 상기 마그네슘 이차 전지용 전해질의 총량에 대하여 80 내지 99 중량%로 포함되는 것인 마그네슘 이차전지용 전해질
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제1항에 있어서,상기 마그네슘 염은, 마그네슘 비스(트리플루오로메탄설포닐)이미드(magnesium bis(trifluoromethanesulfonyl)limide: Mg(TFSI)2), 마그네슘 비스(헥사플루오로포스페이트)(magnesium bis(hexafluorophosphate): Mg(PF6)2), 마그네슘 비스(퍼클로레이트)(magnesium bis(perchlorate): Mg(ClO4)2), 마그네슘 비스(트리플루오로메탄설포닐)이미드 (magnesium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide: Mg(CF3SO3N)2), 마그네슘 비스(옥살레이토)보레이트 (magnesium bis(oxalato)borate (Mg(BOB)2), 마그네슘 비스(테트라플루오로보레이트)(magnesium bis(tetrafluoroborate):Mg(BF4)2), 마그네슘 비스(퍼플루오로에탄설포닐)이미드 (magnesium bis(perfluoroethanesulfonyl)imide :Mg(BETI)2), 마그네슘트리플루오로메탄설포네이트 (magnesium trifluoromethanesulfonate:Mg(CF3SO3)2), 또는 이들의 조합을 포함하는 것인 마그네슘이차전지용 전해질
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제1항에 있어서,상기 마그네슘 염의 농도는 0
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제1항에 있어서, 상기 고분자 및 상기 그리냐드 유도체는, 상기 제2 전해질의 총량에 대하여 상기 고분자 10 내지 50 중량%, 및 상기 그리냐드 유도체 50 내지 90 중량%로 포함되는 것인 마그네슘 이차 전지용 전해질
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제1항에 있어서, 상기 제2 전해질의 두께는 1 ㎛ 내지 10 ㎛인 마그네슘 이차 전지용 전해질
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제1항에 있어서, 상기 고분자는 비닐리덴플루오라이드-헥사플루오로프로필렌코폴리머(PVDF-co-HFP, HFP 함량: 6-15 중량%), 폴리비닐리덴플루오라이드(PVDF), 폴리바이닐아세테이트 (PVAc), 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA), 폴리아크릴로니트릴(PAN), 폴리비닐알코올(PVA), 폴리에틸렌옥사이드(PEO), 또는 이들의 조합인 마그네슘 이차 전지용 전해질
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제1항에 있어서, 상기 고분자의 중량평균분자량(Mw)은 100,000 내지 600,000인 마그네슘 이차 전지용 전해질
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제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 전해질;양극; 및음극;을 포함하는 마그네슘 이차전지
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