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전도체 패턴의 형성이 용이한 복합소재와 그 복합소재를 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2015146480
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전도체 패턴 형성이 용이한 복합소재와 그 복합소재를 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 복합소재는 3차원 형태의 부품으로 제작 가능한 화이버 형태의 소재 및 상기 화이버 형태의 소재에 코팅되며 레이저 조사시 활성화되어 도금 공정에서 금속층을 형성하는 Cu3N 소재를 포함하며, 본 발명에 따른 복합소재를 이용할 경우 종래의 전도체 패턴 형성 방식에 비하여 단순한 공정으로 용이하게 전도체 패턴을 형성할 수 있도록 한다.
Int. CL C03C 25/42 (2006.01) B29C 71/00 (2006.01) B29B 15/10 (2006.01)
CPC B29B 15/10(2013.01) B29B 15/10(2013.01) B29B 15/10(2013.01)
출원번호/일자 1020140035536 (2014.03.26)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1595295-0000 (2016.02.12)
공개번호/일자 10-2015-0111766 (2015.10.06) 문서열기
공고번호/일자 (20160218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유명재 대한민국 서울특별시 광진구
2 임호선 대한민국 서울특별시 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인지명 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로**** 차우빌딩*층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0292187-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.12.30 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.02.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0012558-54
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0316787-37
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.07.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0664994-53
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0664995-09
7 등록결정서
Decision to grant
2015.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0827624-56
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
3차원 형태의 부품으로 제작 가능한 화이버 형태의 소재; 및상기 화이버 형태의 소재에 액상 형태로 흡착되어 코팅되며, 레이저 조사시 활성화되어 도금 공정에서 금속층을 형성하는 Cu3N 소재를 포함하는 전도체 패턴 형성이 용이한 복합소재
2 2
제1항에 있어서,상기 화이버 형태의 소재는 글래스 화이버, 카본 화이버, 셀루로우스 화이버, 케나프 화이버, 그라파이트 화이버 및 카본 나노튜브 중 어느 하나인 것인 전도체 패턴 형성이 용이한 복합소재
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 화이버 형태의 소재는 산 또는 염기로 세척되어 커플링제로 표면처리된 것인 전도체 패턴 형성이 용이한 복합소재
5 5
제4항에 있어서,상기 커플링제는 실란 커플링제, 폴리머 커플링제, 중합성 커플링제 및 알콕시티오황산계 커플링제 중 어느 하나이며, 상기 화이버 형태의 소재 종류에 따라 선택되는 것인 전도체 패턴 형성이 용이한 복합소재
6 6
화이버 형태의 소재 및 액상 형태의 Cu3N 조성물을 포함하는 혼합물을 가열하여 상기 화이버 형태의 소재를 제외한 나머지 혼합물을 용해시키는 단계;상기 혼합물을 냉각하고 탈기시키는 단계;상기 탈기된 혼합물을 열처리하는 단계; 및상기 열처리된 혼합물을 세척 및 건조시키는 단계를 포함하는 전도체 패턴 형성이 용이한 복합소재 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 세척 및 건조된 혼합물을 사출성형하고, 상기 사출성형된 혼합물의 표면에 레이저를 조사하여 패터닝하는 단계; 및상기 패터닝된 혼합물을 도금하는 단계를 더 포함하는 전도체 패턴 형성이 용이한 복합소재 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 패터닝된 혼합물을 도금하는 단계는,상기 패터닝된 혼합물을 무전해 도금 방법으로 도금한 후, 전해 도금 방법으로 도금하는 것인 전도체 패턴 형성이 용이한 복합소재 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2015147561 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 (주)파트론 지식경제 기술혁신사업-글로벌전문기술개발사업(WC-300) 4G-LTE 스마트폰을 위한 LDS(Laser Direct Structuring)기술을 이용한 주파수 튜닝기술이 내장된 Housing Embedded 안테나/MEMSMIC복합 모듈개발