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수신한 광신호를 전류신호로 변환하며, CMOS 공정으로 제작되는 포토 다이오드;
상기 포토 다이오드가 형성된 기판(Substrate) 상에 형성되어, 상기 전류신호를 전압신호로 변환하는 전치 증폭단; 및
상기 기판 상에 형성되어 상기 전압신호를 디지털신호로 변환하여 출력하는 결정 회로를 포함하되,
상기 전치 증폭단 및 상기 결정 회로는 각각 피모스(PMOS) 및 앤모스(NMOS) 트랜지스터를 포함하며,
상기 포토 다이오드는 P영역과 N영역을 포함하고,
상기 P영역은 핸드부와 상기 핸드부로부터 연장되어 형성된 핑거부를 포함하고,
상기 N영역은 상기 P영역을 감싸도록 'ㄷ'자 형으로 형성되며,
상기 포토 다이오드, 상기 전치 증폭단 및 결정 회로는 CMOS 공정을 통해 원칩(One-chip)으로 구성되는 것인 원칩형 광수신 장치
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제1항에 있어서,
상기 기판 상에 형성된 더미 포토 다이오드를 더 포함하고,
상기 전치 증폭단은 상기 더미 포토 다이오드의 전류신호와 상기 포토 다이오드의 전류를 차동 증폭을 하는 원칩형 광수신 장치
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제1항에 있어서, 상기 전치 증폭단은
트랜스 임피던스 이득을 갖는 원칩형 광수신 장치
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제1항에 있어서, 상기 전치 증폭단은,
공통게이트 트랜스임피던스 증폭단, 공통소스 증폭단, 공통드레인 증폭단 및 레귤레이트 캐스코드 증폭단 중 적어도 하나를 포함하는 원칩형 광수신 장치
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제1항에 있어서, 상기 전치 증폭단 및 상기 결정 회로 사이에 연결되어
상기 전압신호를 증폭하여 상기 증폭된 전압신호를 상기 결정 회로에 제공하는 주증폭단을 더 포함하는 원칩형 광수신 장치
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CMOS 공정을 통하여 기판(Substrate) 상에 광신호를 전류신호로 변환하는 포토 다이오드를 형성하는 단계; 및
상기 기판 상에 상기 전류신호를 디지털신호로 변환하는 광수신 모듈을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 포토 다이오드를 형성하는 단계에서, 상기 포토 다이오드는 P영역과 N영역을 포함하고, 상기 P영역은 핸드부와 상기 핸드부로부터 연장되어 형성된 핑거부를 포함하고, 상기 N영역은 상기 P영역을 감싸도록 'ㄷ'자 형으로 형성되며,
상기 광수신 모듈은 피모스(PMOS) 및 앤모스(NMOS) 트랜지스터를 포함하며, CMOS 공정을 통해 원칩으로 구성되는 것인 원칩형 광수신 장치의 제조 방법
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제7항에 있어서,
상기 기판 상에 더미 포토 다이오드를 형성하는 단계를 더 포함하는 원칩형 광수신 장치의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 광수신 모듈을 형성하는 단계는,
상기 기판 상에 상기 전류신호를 전압신호로 변환하는 전치 증폭단을 형성하는 단계;
상기 기판 상에 상기 전압신호를 상기 디지털 신호로 변환하는 결정 회로를 형성하는 단계
를 포함하는 원칩형 광수신 장치의 제조 방법
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