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SOI 기판 상에 마스크를 이용하여 소정 영역의 활성 실리콘 및 매몰 산화막을 식각하여 P 형의 하부 실리콘 기판을 노출시키는 단계; 상기 노출된 P 형 기판에 N 형의 이온을 주입하여 N 형 영역을 형성하는 단계; 상기 하부 실리콘 기판을 노출시키는 단계에서 식각되지 않은 활성 실리콘을 패턴하여 십자형 활성 실리콘을 형성하는 단계; 상기 십자형 활성 실리콘의 마주보는 두 영역의 소정 부분에 N 형 이온을 주입하여 N 형 영역을 형성하는 단계; 상기 십자형 활성 실리콘의 상기 N 형 영역이 형성된 영역을 제외한 마주보는 두 영역의 소정 부분에 P 형 이온을 주입하여 P 형 영역을 형성하는 단계; 상기 십자형 활성 실리콘의 상부에 게이트 산화막 및 게이트를 형성하는 단계; 및 상기 십자형 활성 실리콘의 P 형 영역과 상기 포토 다이오드의 N 형 영역을 연결하는 연결부를 형성하는 단계 를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 고감도 이미지센서의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 연결부를 형성하는 단계 이후 십자형 활성 실리콘 및 게이트 상부에 차광막을 형성하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 고감도 이미지센서의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 차광막의 재질은 알루미늄임을 특징으로 하는 고감도 이미지센서의 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 십자형 활성 실리콘의 P 형 영역은 소오스 및 드레인임을 특징으로 하는 고감도 이미지센서의 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 십자형 활성 실리콘의 소정 부분은 마주보는 두 영역의 양 끝단임을 특징으로 하는 고감도 이미지센서의 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 게이트를 형성하는 단계는 게이트 산화막 및 실리콘을 순차적으로 증착하고, 패턴 및 식각 공정하여 십자형 활성 실리콘의 중앙 상부에 형성됨을 특징으로 하는 고감도 이미지센서의 제조방법
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P 형의 하부 기판의 표면부에 N 형 영역이 형성되어 하부 기판과 PN 접합을 이루고 있는 포토 다이오드영역; 상기 포토 다이오드 영역과 이격되어 십자형으로 형성된 활성 실리콘 단결정; 상기 십자형 활성 실리콘 단결정의 일측의 양끝단에 소오스 및 드레인 영역; 상기 소오스 및 드레인 영역의 타측의 양끝단에 형성된 불순물 주입 영역; 상기 소오스와 드레인 영역 사이의 채널 영역; 상기 채널 영역 상부에 형성된 게이트 산화막 및 게이트 산화막 상부에 형성된 게이트; 및 상기 불순물 주입 영역과 상기 포토 다이오드의 N 형 영역을 연결하는 연결부 로 이루어짐을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 7항에 있어서, 상기 십자형 활성 실리콘 및 게이트 상부에 형성된 차광막을 더 포함함을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 8항에 있어서, 상기 차광막의 재질은 알루미늄임을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 십자형 활성 실리콘 단결정의 소오스 및 드레인 영역이 N 형으로 도핑되어 있음을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 십자형 활성 실리콘 단결정의 소오스 및 드레인 영역을 제외한 두 끝단의 가장자리가 P 형으로 도핑되어 있음을 특징으로 하는 고감도 이미지 센서
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제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 십자형 활성 실리콘은 포토 다이오드의 정공이 이동하여 축적되어짐으로써 LBT를 형성함을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 포토 다이오드는 매립형 포토 다이오드임을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 포토 다이오드는 매립형 포토 다이오드임을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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