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비대칭적인 전극 전도도를 이용한 리튬니오베이트 기판의분극 반전 방법

  • 기술번호 : KST2015146517
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비대칭적인 전극 전도도를 이용한 리튬니오베이트(LiNbO3) 기판의 분극 반전 방법에 관한 것으로, LiNbO3 기판 하부에 하부전극을 형성하고, 상기 LiNbO3 기판 상부에 주기적인 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴과 상기 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 LiNbO3 기판 상부를 감싸며, 상기 하부전극의 전기전도도보다 작은 전기전도도를 갖는 상부전극을 형성하는 단계와; 상기 상부전극과 하부전극에 전기장을 인가하여, 상기 LiNbO3 기판에 분극 반전을 일으키는 단계로 구성된다. 따라서, 본 발명은 LiNbO3기판의 상부전극의 전기전도도를 하부전극의 전기전도도보다 작게하여 1mm이상의 두께를 갖는 LiNbO3 기판이 분극 반전될 때, 급격히 발생하는 이온의 이동을 줄여서 이온들의 이동으로 인한 스트레스로 LiNbO3기판이 손상되는 것을 미연에 방지할 수 있게 됨으로, 고출력의 비선형 파장변화 소자를 대량생산할 수 있는 효과가 있다. 비대칭, 전기전도도, 리튬니오베이트, 상부전극, 하부전극, 고출력
Int. CL G02F 1/015 (2013.01) G02B 6/293 (2013.01)
CPC G09G 3/3614(2013.01)
출원번호/일자 1020030086497 (2003.12.01)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2005-0052915 (2005.06.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.12.01)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서용곤 대한민국 전라남도여수시
2 이한영 대한민국 경기도용
3 양우석 대한민국 경기도성남시분당구
4 김우경 대한민국 경기도군포시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2003-0458919-03
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.08.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0060090-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0466199-84
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2005.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0599406-26
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1
LiNbO3 기판 하부에 하부전극을 형성하고, 상기 LiNbO3 기판 상부에 주기적인 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴과 상기 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 LiNbO3 기판 상부를 감싸며, 상기 하부전극의 전기전도도보다 작은 전기전도도를 갖는 상부전극을 형성하는 단계와; 상기 상부전극과 하부전극에 전기장을 인가하여, 상기 LiNbO3 기판에 분극 반전을 일으키는 단계로 구성된 비대칭적인 전극 전도도를 이용한 리튬니오베이트 기판의 분극 반전 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 상부전극과 하부전극은 액상전극인 것을 특징으로 하는 비대칭적인 전극 전도도를 이용한 리튬니오베이트 기판의 분극 반전 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 액상전극은 LiCl을 녹인 용액을 사용하여 형성한 전극이며, 상기 하부 액상 전극을 상부 액상 전극보다 전기전도도를 크게 하기 위하여 상기 하부 액상 전극의 LiCl 농도가 상기 상부 액상 전극의 LiCl 농도보다 높게 형성된 것을 특징으로 하는 비대칭적인 전극 전도도를 이용한 리튬니오베이트 기판의 분극 반전 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 상부전극은 액상전극이고, 상기 하부전극은 금속전극인 것을 특징으로 하는 비대칭적인 전극 전도도를 이용한 리튬니오베이트 기판의 분극 반전 방법
5 5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부전극의 전기전도도는 10 ~ 200㎲/㎝이고, 상기 하부전극의 전기전도도는 1 ~ 10s/㎝인 것을 특징으로 하는 비대칭적인 전극 전도도를 이용한 리튬니오베이트 기판의 분극 반전 방법
6 6
LiNbO3 기판 하부에 금속전극을 형성하고, 상기 LiNbO3 기판 상부에 상기 하부전극의 전기전도도보다 작은 전기전도도를 갖는 주기적인 금속 전극 패턴을 형성하는 단계와; 상기 금속전극과 주기적인 금속 전극 패턴에 전기장을 인가하여, 상기 LiNbO3 기판에 분극 반전을 일으키는 단계로 구성된 비대칭적인 전극 전도도를 이용한 리튬니오베이트 기판의 분극 반전 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 금속전극의 전기전도도는 10 ~ 200㎲/㎝이고, 상기 주기적인 금속 전극 패턴의 전기전도도는 10 ~ 104s/㎝인 것을 특징으로 하는 비대칭적인 전극 전도도를 이용한 리튬니오베이트 기판의 분극 반전 방법
8 7
제 6 항에 있어서, 상기 금속전극의 전기전도도는 10 ~ 200㎲/㎝이고, 상기 주기적인 금속 전극 패턴의 전기전도도는 10 ~ 104s/㎝인 것을 특징으로 하는 비대칭적인 전극 전도도를 이용한 리튬니오베이트 기판의 분극 반전 방법
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