요약 | 본 발명은 전자장치용 투명전극에 관한 것으로, 본 발명의 투명전극은, Mg, Ba와 Ca 중 선택된 어느 한 물질로 이루어진 제 1 금속층과; 상기 제 1 금속층 상부에 형성되며, Ag 또는 Al로 이루어진 제 2 금속층으로 형성하거나, 또는, Ca\CaOx\Ag, CaOx\Ag, CaOx\Ag\AgOx, Ca\AgOx, CaOx\AgOx와 Ca\Ag\AgOx 중 선택된 어느 하나의 적층막으로 형성한다. 따라서, 본 발명은 투명전극 증착시 하부층에 손실을 주지 않고, 전기 전도도가 우수하며, 두께를 얇게 형성하여도 투과도를 우수하게 할 수 있으며, 기존의 ITO막에 비하여 저가의 재료, 장비와 공정으로 우수한 품질의 투명 전극을 얻을 수 있는 효과가 있다. 투명전극, 금속, Ca, Ag, 산화막 |
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Int. CL | G02F 1/1343 (2006.01) |
CPC | G02F 1/134309(2013.01) G02F 1/134309(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020030071327 (2003.10.14) |
출원인 | 전자부품연구원 |
등록번호/일자 | 10-0576685-0000 (2006.04.27) |
공개번호/일자 | 10-2005-0035618 (2005.04.19) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20060510) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2003.10.14) |
심사청구항수 | 3 |