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후막형전계발광소자

  • 기술번호 : KST2015146557
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 후막형 전계발광소자는 외피막 상에 기판을 정렬하고 그 기판 상에 형성된 배면전극과, 상기 배면전극 상에 형성된 반사절연층과, 상기 반사절연층 상에 형성된 형광체층과, 상기 형광체층 상에 형성된 투명전극을 포함한다. 그리고, 본 발명은 외부로부터 침투하는 수분을 방지하기 위해 상기 배면전극, 반사절연층, 형광체층 및 투명전극을 둘러싸고 페닐린(parylene)으로 이루어진 방습막을 구비한다. 본 발명의 후막형 전계발광소자는 수분차단특성이 우수하고 가격이 저렴한 페닐린을 방습막으로 사용함으로써 제조단가를 낮출 수 있고 수명을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H05B 33/02 (2006.01.01) G09F 9/30 (2006.01.01) E01F 9/00 (2016.01.01)
CPC H05B 33/02(2013.01) H05B 33/02(2013.01) H05B 33/02(2013.01)
출원번호/일자 1019970011801 (1997.03.31)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자 10-0248192-0000 (1999.12.16)
공개번호/일자 10-1998-0075560 (1998.11.16) 문서열기
공고번호/일자 (20000315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.03.31)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박용규 대한민국 경기도 송탄시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 권석흠 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)(유미특허법인)
3 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
4 윤창일 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 평택시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.03.31 수리 (Accepted) 1-1-1997-0038330-61
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.03.31 수리 (Accepted) 1-1-1997-0038331-17
3 특허출원서
Patent Application		 1997.03.31 수리 (Accepted) 1-1-1997-0038329-14
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005793-30
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1999.02.23 수리 (Accepted) 1-1-1999-5083980-70
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0274108-26
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.10.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5374644-92
8 의견서
Written Opinion		 1999.10.28 수리 (Accepted) 1-1-1999-5374663-59
9 등록사정서
Decision to grant		 1999.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0357935-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

외피막 상에 형성된 배면전극;

상기 배면전극 상에 형성된 반사절연층;

상기 반사절연층 상에 형성된 형광체층;

상기 형광체층 상에 형성된 투명전극; 및

상기 배면전극, 반사절연층, 형광체층 및 투명전극을 둘러싸고 페닐린(parylene)으로 이루어진 방습막을 구비하여 외부로부터 침투하는 수분을 방지하는 것을 특징으로 하는 후막형 전계발광소자

2 2

외피막 상에 형성되어 외부로부터의 수분을 방지하고 페닐린(parylene)으로 이루어진 제1 방습막;

상기 제1 방습막 상에 형성된 배면전극;

상기 배면전극 상에 형성된 반사절연층;

상기 반사절연층 상에 형성된 형광체층;

상기 형광체층 상에 형성된 투명전극; 및

외부로부터 침투하는 수분을 방지하기 위해 상기 배면전극, 반사절연층, 형광체층 및 투명전극을 둘러싸고 페닐린(parylene)으로 이루어진 제2 방습막을 구비하여 외부로부터 침투하는 수분을 방지하는 것을 특징으로 하는 후막형 전계발광소자

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.