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고상의 단일 시클로 올레핀 폴리머로 이루어진 모수지;
상기 모수지를 용해하는 유기 용매;
모수지에 대하여 5% 내지 20%의 중량비율에 해당하는 양의 가교제;
상기 가교제의 반응 촉매로 작용하는 개시제; 및
실리카 원료를 포함하여 이루어지되,
상기 실리카 원료의 배합에 의하여 수지 조성물의 열팽창 계수가 낮아지는 것을 특징으로 하는 저유전율, 저손실 및 낮은 열팽창계수를 가지는 열경화성 수지 조성물
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제1항에 있어서, 상기 실리카 원료는
10㎚ 내지 90㎛의 평균 입도를 가지는 것
을 특징으로 하는 저유전율, 저손실 및 낮은 열팽창계수를 가지는 열경화성 수지 조성물
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3
제1항에 있어서, 상기 실리카 원료는
10㎡/g 내지 1000㎡/g의 비표면적 특성을 가지는 것
을 특징으로 하는 저유전율, 저손실 및 낮은 열팽창계수를 가지는 열경화성 수지 조성물
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4
제1항에 있어서, 상기 유기 용매는
끓는 점이 150℃ 이하인 것
을 특징으로 하는 저유전율, 저손실 및 낮은 열팽창계수를 가지는 열경화성 수지 조성물
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5
제1항에 있어서, 상기 개시제는
퍼옥시 에스테르(peroxy ester)계 개시제 또는 디알킬(dialkyl)계 개시제인 것
을 특징으로 하는 저유전율, 저손실 및 낮은 열팽창계수를 가지는 열경화성 수지 조성물
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6
제1항에 있어서, 상기 가교제는
열가교성 수지로써, N,N~-M-PHENYLENEDIMALEIMIDE계 가교제인 것
을 특징으로 하는 저유전율, 저손실 및 낮은 열팽창계수를 가지는 열경화성 수지 조성물
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7
제1항에 있어서, 상기 개시제는
상기 가교제에 대하여 1/20 내지 1/5의 중량비율에 해당하는 양으로 포함되는 것
을 특징으로 하는 저유전율, 저손실 및 낮은 열팽창계수를 가지는 열경화성 수지 조성물
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8
제1항에 있어서, 상기 열경화성 수지 조성물은
경화 후에 1㎓ 내지 20㎓의 고주파 대역에서 유전율이 3
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9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 열경화성 수지 조성물을 이용하여 형성된 수지층을 1층 이상 포함하는 적층체를 회로 가공하여 이루어진 칩 내장형 기판
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10
시클로 올레핀 폴리머로 이루어진 모수지를 유기 용매를 이용하여 용해하는 단계;
상기 용해된 모수지에, 상기 모수지를 가교시키는 가교제 및 상기 가교제의 반응을 촉진시키는 개시제를 가교 결합하여 열경화성 수지 조성물을 생성하는 단계;
상기 생성된 열경화성 수지 조성물에 실리카 원료를 혼합하여 필름 조성물을 제작하는 단계;
상기 필름 조성물을 적층하는 단계;
상기 적층된 필름 조성물의 최상단과 최하단에 금속박을 배치하는 단계; 및
상기 적층된 필름 조성물 및 금속박을 100℃ 내지 300℃의 범위로 열가압을 하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선용 기판의 제작 방법
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