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후광 펌핑 방식의 반도체 레이저 장치 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015146590
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 후광 펌핑 방식의 반도체 레이저 장치 및 이의 제조 방법이 제공된다. 후광 펌핑 방식의 반도체 레이저 장치는 옵티컬 에폭시(optical epoxy)를 이용하여 반도체 패키지의 하면과 서브마운트의 일면를 결합시키는 후광 펌핑 방식의 반도체 레이저 장치 및 이의 제조 방법을 제공할 수 있게 되어, 후광 펌핑 방식의 반도체 레이저 장치는 대량 생산이 가능한 양산성을 확보할 수 있고 신뢰성을 확보할 수 있게 된다.
Int. CL H01S 5/022 (2006.01) H01S 5/12 (2006.01)
CPC H01S 5/02248(2013.01) H01S 5/02248(2013.01) H01S 5/02248(2013.01)
출원번호/일자 1020110121686 (2011.11.21)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0055975 (2013.05.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.21)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준호 대한민국 서울특별시 강서구
2 한철구 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0919971-79
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.06.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.07.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0057236-42
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0253055-55
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0533042-16
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.06.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0533050-71
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0745997-90
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2013.11.29 수리 (Accepted) 7-1-2013-0046976-28
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.12.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-1206036-84
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-1205997-56
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.02.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0088871-03
13 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2014.03.10 수리 (Accepted) 7-1-2014-0009085-96
14 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2014.05.27 수리 (Accepted) 7-8-2014-0013476-92
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광펌핑 방식에 의해 제1 파장의 광을 방출시키는 레이저칩이 탑재된 반도체 패키지;상기 반도체 패키지에서 발생하는 열을 외부로 방출하기 위한 서브마운트(submount);상기 반도체 패키지의 하면과 상기 서브마운트의 일면를 결합시키는 옵티컬 에폭시(optical epoxy);상기 반도체 패키지의 상면에서 소정의 거리만큼 이격되어 위치하며, 상기 레이저칩에서 발생한 광의 일부를 투과시켜 외부로 출력하고, 나머지 일부를 레이저칩으로 반사하는 미러; 및상기 서브마운트의 하면과 대향하도록 배치된 것으로, 제2 파장의 광펌핑용 광을 상기 반도체 패키지에 방출하는 펌프 레이저부;를 포함하는 후광 펌핑 방식의 반도체 레이저 장치
2 2
제 1항에 있어서, 상기 옵티컬 에폭시는,특정 파장에 대해 투명한 것을 특징으로 하는 후광 펌핑 방식의 반도체 레이저 장치
3 3
제 1항에 있어서, 상기 옵티컬 에폭시는,두께가 제1 파장을 4n(n은 자연수)으로 나눈 값(즉, λ/4n)인 것을 특징으로 하는 후광 펌핑 방식의 반도체 레이저 장치
4 4
제 1항에 있어서, 상기 서브마운트는, 다른 일면에 옵티컬 씬 필름(optical thin film)이 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 후광 펌핑 방식의 반도체 레이저 장치
5 5
광펌핑 방식에 의해 제 1 파장의 광을 방출시키는 레이저칩이 탑재된 반도체 패키지, 상기 반도체 패키지에서 발생하는 열을 외부로 방출하기 위한 서브마운트, 상기 반도체 패키지의 상면에서 소정의 거리만큼 이격되어 위치하며, 상기 레이저칩에서 발생한 광의 일부를 투과시켜 외부로 출력하고, 나머지 일부를 레이저칩으로 반사하는 미러 및 상기 서브마운트의 하면과 대향하도록 배치된 것으로, 제2 파장의 광펌핑용 광을 상기 반도체 패키지에 수직하게 방출하는 펌프 레이저부를 포함하는 후광 펌핑 방식의 반도체 레이저 장치 제조방법에 있어서, 상기 서브마운트의 일면에 액체 상태의 옵티컬 에폭시(optical epoxy)를 떨어뜨리는 단계;상기 서브마운트에 떨어진 액체 상태의 옵티컬 에폭시를 상기 반도체 패키지의 하면으로 누르는 단계; 및상기 옵티컬 에폭시에 자외선을 가하여 상기 옵티컬 에폭시를 경화시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 후광 펌핑 방식의 반도체 레이저 장치 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 옵티컬 에폭시는,특정 파장에 대해 투명한 것을 특징으로 하는 후광 펌핑 방식의 반도체 레이저 장치 제조방법
7 7
제 5항에 있어서, 상기 누르는 단계는,상기 옵티컬 에폭시의 두께가 제1 파장을 4n(n은 자연수)으로 나눈 값(즉, λ/4n)이 될 정도의 압력으로 누르는 것을 특징으로 하는 후광 펌핑 방식의 반도체 레이저 장치 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 서브마운트의 다른 일면에 옵티컬 씬 필름(optical thin film)을 결합하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 후광 펌핑 방식의 반도체 레이저 장치 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.