요약 | 광변조기의 미세전극 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 기판 상에 투명한 유전막을 형성하는 단계와, 상기 유전막 상에 크롬(Cr)막을 형성하는 단계와, 상기 크롬막 상에 금(Au)막을 형성하는 단계와, 상기 금막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 금막 및 크롬막을 식각하여 금막 패턴 및 크롬막 패턴을 형성는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와, 상기 금막 패턴 상에 금을 전기도금(electroplating)하여 도금막 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광변조기의 미세전극 형성방법을 제공한다. 본 발명의 광변조기의 미세전극 형성방법은 양산공정에 적용하기 용이하고 미세전극의 두께를 종래기술보다 두꺼운 10㎛이상까지 형성할 수 있다. |
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Int. CL | G02F 1/03 (2006.01.01) |
CPC | G02F 1/0316(2013.01) G02F 1/0316(2013.01) |
출원번호/일자 | 1019960037669 (1996.08.31) |
출원인 | 한국전자기술연구원 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-1998-0017848 (1998.06.05) 문서열기 |
공고번호/일자 | |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 포기 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (1998.11.19) |
심사청구항수 | 8 |