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1
대상물 상부에 제 1 막과 제 2 막을 형성하는 단계와;
상기 제 2 막을 패터닝하여, 상기 제 1 막을 노출시키는 제 1 개구를 형성하는 단계와;
상기 제 1 개구에 노출된 제 1 막을 제거하여 제 2 개구를 형성하는 단계와;
상기 제 2 막을 제거하는 단계와;
상기 제 1 막 상부에 제 3 막을 형성하고, 상기 제 2 개구를 노출시키며, 상기 제 2 개구의 폭(W1)보다 넓은 폭(W2)을 갖는 제 3 개구를 상기 제 3 막에 형성하는 단계와;
상기 제 3 막 상부, 제 2 개구 및 제 3 개구에 금속을 증착하는 단계와;
상기 제 3 막 상부에 있는 금속 및 상기 제 3 막을 제거하는 단계와;
상기 제 1 막을 제거하여, 상기 대상물 상부에 T형 게이트를 형성하는 단계로 이루어진 반도체 소자의 게이트 형성 방법
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| 2 |
2
청구항 1에 있어서,
상기 제 1 막은,
무기물질로 이루어지고,
상기 제 2 막과 제 3 막은,
유기 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 형성 방법
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3
청구항 2에 있어서,
상기 무기물질은,
산화막 또는 질화막이고,
상기 유기물질은,
포토레지스트막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 형성 방법
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| 4 |
4
청구항 2에 있어서,
상기 제 1 막의 제거는,
습식 식각하여 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 형성 방법
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5
청구항 2에 있어서,
상기 제 2 막과 제 3 막의 제거는,
유기 용매로 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 형성 방법
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| 6 |
6
대상물 상부에 산화막 또는 질화막과 제 1 포토레지스트막을 순차적으로 형성하는 단계와;
상기 제 1 포토레지스트막을 패터닝하여, 상기 산화막 또는 질화막을 노출시키는 제 1 개구를 형성하는 단계와;
상기 제 1 개구에 노출된 산화막 또는 질화막을 제거하여 제 2 개구를 형성하는 단계와;
상기 제 1 포토레지스트막을 제거하는 단계와;
상기 산화막 또는 질화막 상부에 제 2 포토레지스트막을 형성하고, 상기 제 2 개구를 노출시키며, 상기 제 2 개구의 폭(W1)보다 넓은 폭(W2)을 갖는 제 3 개구를 상기 제 2 포토레지스트막에 형성하는 단계와;
상기 제 2 포토레지스트막 상부, 제 2 개구 및 제 3 개구에 금속을 증착하는 단계와;
상기 제 2 포토레지스트막 상부에 있는 금속 및 상기 제 2 포토레지스트막을 제거하는 단계와;
상기 산화막 또는 질화막을 선택적으로 제거하여, 상기 대상물 상부에 머리 부분과 다리 부분으로 이루어진 T형 게이트를 형성하고, 상기 T형 게이트의 머리 부분 하부에 산화막 또는 질화막을 남겨놓는 단계로 이루어진 반도체 소자의 게이트 형성 방법
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7
청구항 6에 있어서,
상기 산화막 또는 질화막을 선택적으로 제거하여, 상기 대상물 상부에 머리 부분과 다리 부분으로 이루어진 T형 게이트를 형성하는 것은,
상기 산화막 또는 질화막을 건식 식각하여, 상기 대상물 상부에 머리 부분과 다리 부분으로 이루어진 T형 게이트를 형성하는 것인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 형성 방법
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