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NASICON 구조 바나듐 인산화물의 마그네슘 이차전지용 양극 재료

  • 기술번호 : KST2015146642
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 NASICON 구조를 가지는 바나듐 인산화물의 마그네슘 이차전지용 양극 재료에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 고전압의 방전 전압에 의해 고에너지밀도 달성이 가능한 마그네슘 이차전지용 양극 재료에 관한 것이다.
Int. CL H01M 10/054 (2010.01) H01M 4/40 (2006.01) H01M 4/58 (2015.01)
CPC H01M 4/5825(2013.01) H01M 4/5825(2013.01) H01M 4/5825(2013.01) H01M 4/5825(2013.01) H01M 4/5825(2013.01) H01M 4/5825(2013.01) H01M 4/5825(2013.01) H01M 4/5825(2013.01)
출원번호/일자 1020130089289 (2013.07.29)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1645406-0000 (2016.07.28)
공개번호/일자 10-2015-0014081 (2015.02.06) 문서열기
공고번호/일자 (20160804) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.29)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영준 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 김점수 대한민국 경기 화성시 영통로**번길 **,
3 우상길 대한민국 경기 용인시 기흥구
4 조우석 대한민국 경기 성남시 분당구
5 박민식 대한민국 경기 수원시 영통구
6 임태은 대한민국 서울 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 하나 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 *, *층(역삼동, 삼흥역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0682707-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.07.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0062911-40
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0749907-29
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-1274433-69
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0108035-18
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.03.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0204900-16
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0204901-62
9 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2015.03.16 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2015-0250966-31
10 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2015.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0059294-70
11 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2015.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0074608-10
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0441714-14
13 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2015.08.03 수리 (Accepted) 7-1-2015-0035265-07
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2015-0844774-93
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2015.08.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0844775-38
16 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.09.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0618827-71
17 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-1086677-16
18 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-1204794-96
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0029235-91
20 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.01.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0029241-65
21 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2016.05.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0331282-24
22 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1259423-85
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
아래 화학식 1로 표시되는 NASICON 구조 바나듐 인산화물의 마그네슘 이차전지용 양극 재료가 [화학식 1] NaV2(PO4)3 아래 화학식 2와 같이 마그네슘 이온이 삽입 탈리되고,
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
i) Na3V2(PO4)3를 합성하는 단계; 및 ii) 상기 Na3V2(PO4)3로부터 산화제를 이용하여 화학적으로 Na 를 탈리시키는 단계; 를 포함하는 제 1 항에 의한 NASICON 구조 바나듐 인산화물의 마그네슘 이차전지용 양극 재료의 제조 방법
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 의한 NASICON 구조 바나듐 인산화물의 마그네슘 이차전지용 양극 재료를 포함하는 마그네슘 이차전지
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 마그네슘 이차전지의 전압은 2
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 지식경제부 전자부품연구원 에너지자원융합원천기술개발 마그네슘 전지 기술개발