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다채널 광 스위치 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015146645
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다채널 광 스위치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 상부에 일정간격으로 이격된 수평 요홈들과 수직 요홈들이 형성되어 있으며, 상기 수평 요홈들과 수직 요홈들이 교차되어, 사면이 요홈들로 둘러싸인 N x M 개의 공간 각각에 마이크로 액추에이터와 이 마이크로 액추에이터의 동작에 의해 직선운동 하는 마이크로 미러를 포함하는 MEMS 소자가 형성되어 있는 기판을 형성하는 제 1 단계와; 실리카 기판과, 상기 실리카 기판으로부터 돌출되어 형성된 광도파로로 이루어진 PLC(Planar Lightwave Circuit) 소자를 형성하는 제 2 단계와; 상기 MEMS 소자가 형성되어 있는 기판의 요홈들에 상기 PLC 소자의 광도파로를 삽입시키면서, 상기 광도파로의 외곽선이 상기 MEMS 소자의 외곽선에 일치되도록 정렬하는 제 3 단계와; 상기 PLC 소자와 상기 MEMS 소자가 형성된 기판의 가장자리를 접착시키는 제 4 단계를 수행하여 다채널 광 스위치를 제조한다. 따라서 본 발명은 수직과 수평 요홈이 교차된 영역에 PLC 소자의 광도파로가 만나는 공간 각각에 N x M 개의 MEMS 소자의 마이크로 미러가 동작되어, 광의 스위칭을 수행할 수 있는 다채널 광 스위치 소자를 구현할 수 있고, 투명한 실리카 기판에서 PLC 소자가 제조됨으로써, MEMS 소자가 형성된 기판과 PLC 소자의 정렬을 용이하게 할 수 있고, 광도파로의 외곽선과 MEMS 소자의 외곽선을 일치시켜 정렬함으로써, 다채널의 모든 광축을 일치시킬 수 있는 효과가 있다. 다채널 광 스위치, 정렬, 광도파로, 마이크로 미러, 마이크로 액추에이터
Int. CL G02B 26/08 (2006.01)
CPC G02B 6/3546(2013.01) G02B 6/3546(2013.01) G02B 6/3546(2013.01) G02B 6/3546(2013.01)
출원번호/일자 1020030067973 (2003.09.30)
출원인 전자부품연구원, 유일광통신 주식회사
등록번호/일자 10-0581143-0000 (2006.05.10)
공개번호/일자 10-2005-0031725 (2005.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20060516) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.09.30)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 유일광통신 주식회사 대한민국 광주광역시 광산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박광범 대한민국 경기도평택시
2 김선주 대한민국 광주광역시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 유일광통신 주식회사 대한민국 광주광역시 광산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2003-0365846-10
2 출원인 변경 신고서
Applicant change Notification
2003.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2003-0395109-26
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.04.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.05.18 수리 (Accepted) 9-1-2005-0027749-73
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0587842-94
7 의견서
Written Opinion
2006.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2006-0035571-67
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.01.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0035581-13
9 등록결정서
Decision to grant
2006.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0251819-42
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상부에 일정간격으로 이격된 수평 요홈들과 수직 요홈들이 형성되어 있으며, 상기 수평 요홈들과 수직 요홈들이 교차되어, 사면이 요홈들로 둘러싸인 N x M 개의 공간 각각에 마이크로 액추에이터와 이 마이크로 액추에이터의 동작에 의해 직선운동 하는 마이크로 미러를 포함하는 MEMS 소자가 형성되어 있으며;실리카 기판과, 상기 실리카 기판으로부터 돌출되어 형성된 광도파로로 이루어진 PLC(Planar Lightwave Circuit) 소자의 광도파로가 상기 MEMS 소자의 수평 및 수직 요홈들에 삽입되어 상기 광도파로의 외곽선과 상기 MEMS 소자의 외곽선이 일치되어 있으며;상기 PLC 소자와 상기 MEMS 소자가 형성된 기판의 가장자리가 접착되어 있으며,상기 광도파로들은 수평 및 수직 요홈들이 교차되는 영역에서 만나며, 만나는 끝부분은 좁게 경사지게 되어 있는 다채널 광 스위치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 접착은 점도가 15,000~25,000cps인 자외선 경화 에폭시에 의한 접착인 것을 특징으로 하는 다채널 광 스위치
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 MEMS 소자에는 상기 마이크로 미러 부분을 감싸는 돌출구조가 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 다채널 광 스위치의 제조 방법
5 5
상부에 일정간격으로 이격된 수평 요홈들과 수직 요홈들이 형성되어 있으며, 상기 수평 요홈들과 수직 요홈들이 교차되어, 사면이 요홈들로 둘러싸인 N x M 개의 공간 각각에 마이크로 액추에이터와 이 마이크로 액추에이터의 동작에 의해 직선운동 하는 미러를 포함하는 MEMS 소자가 형성되어 있는 기판을 형성하는 제 1 단계와; 실리카 기판과, 상기 실리카 기판으로부터 돌출되어 형성된 광도파로로 이루어진 PLC(Planar Lightwave Circuit) 소자를 형성하는 제 2 단계와; 상기 MEMS 소자가 형성되어 있는 기판의 요홈들에 상기 PLC 소자의 광도파로를 삽입시키면서, 상기 광도파로의 외곽선이 상기 MEMS 소자의 외곽선에 일치되도록 정렬하는 제 3 단계와; 상기 PLC 소자와 상기 MEMS 소자가 형성된 기판의 가장자리를 접착시키는 제 4 단계로 구성된 다채널 광 스위치의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서 상기 제 1 단계의 MEMS 소자가 형성되어 있는 기판을 형성하는 것은, 제 1 실리콘층, 산화막과 제 2 실리콘층이 순차적으로 적층되어 있는 SOI기판을 준비하는 단계와; 상기 SOI기판의 제 2 실리콘층의 일부를 식각하여, 기판 상부에 일정간격으로 이격된 수평 요홈들과 수직 요홈들을 형성하며, 상기 수평 요홈들과 수직 요홈들이 교차되어, 사면이 요홈들로 형성된 N x M 개의 공간 각각에 상기 산화막으로부터 돌출된 마이크로 미러와 마이크로 액추에이터의 형상 및 지지부를 형성하는 단계와; 상기 마이크로 미러와 마이크로 액추에이터의 하부에 있는 산화막을 제거하여, 상기 마이크로 미러와 마이크로 액추에이터를 부상시키는 단계와; 상기 지지부의 상부에 금속으로 간격층을 형성하는 단계를 수행하여 형성하는 것을 특징으로 하는 다채널 광 스위치의 제조 방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 제 2 단계의 PLC 소자의 형성은, 실리카 기판 상부에 하부 클래드층을 형성하는 단계와; 상기 하부 클래드층 상부에 코어층을 형성하는 단계와; 상기 코어층의 일부를 식각하여, 하부 클래드층으로부터 돌출된 코어를 형성하는 단계와; 상기 코어를 감싸며 상기 하부 클래드층 상부에 상부 클래드층을 형성하는 단계와; 상기 상부 클래드층과 하부 클래드층의 일부를 식각하여 상기 코어를 내장한 하부 클래드층과 상부 클래드층으로 이루어진 광 도파로를 상기 실리카 기판으로부터 돌출되게 형성하는 단계를 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 다채널 광 스위치의 제조 방법
8 8
제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리카 기판은, 양면 연마된 투명한 기판인 것을 특징으로 하는 다채널 광 스위치의 제조 방법
9 9
제 5 항에 있어서, 상기 제 4 단계의 상기 PLC 소자와 상기 MEMS 소자가 형성된 기판의 가장자리를 접착시키는 것은, 점도가 15,000~25,000cps인 자외선 경화 에폭시를 사용하여 접착시키는 것을 특징으로 하는 다채널 광 스위치의 제조 방법
10 10
제 5 항에 있어서, 상기 제 4 단계 후, 프레넬(Fresnel) 반사에 의한 광 반사 손실을 최소화하기 위해, 상기 자외선 경화 에폭시로 접착된 PLC 소자와 상기 MEMS 소자가 형성된 기판의 가장자리 단면을 경사 연마하는 제 5 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 다채널 광 스위치의 제조 방법
11 10
제 5 항에 있어서, 상기 제 4 단계 후, 프레넬(Fresnel) 반사에 의한 광 반사 손실을 최소화하기 위해, 상기 자외선 경화 에폭시로 접착된 PLC 소자와 상기 MEMS 소자가 형성된 기판의 가장자리 단면을 경사 연마하는 제 5 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 다채널 광 스위치의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.