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탄소나노튜브를 구비한 마이크로 히터

  • 기술번호 : KST2015146661
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 히팅 구조물의 발열효율을 향상시키기 위한 탄소나노튜브를 구비한 마이크로 히터를 제공함에 그 목적이 있다. 본 발명의 탄소나노튜브를 구비한 마이크로 히터는 MEMS 공정을 이용하여 형성한 마이크로 히터에 있어서, 외부에서 인가된 전압을 이용하여 열을 방출하기 위해 기판과 이격되어 형성된 히팅 구조물; 상기 히팅구조물 상부에 형성되어 산화현상을 방지하는 패시배이션층; 상기 히팅 구조물 상부에 형성되어 발열효율을 향상시키기 위한 탄소나노튜브; 상기 히팅 구조물로부터 방출되는 열을 반사시키기 위하여 상기 기판 상에 박막 형태로 형성된 반사판; 상기 히팅 구조물 하부에 진공상태로 형성된 캐비티; 및 상기 히팅 구조물에 전압을 인가하기 위한 전극 패드를 포함한다.마이크로, 히터, 반사판, 탄소, 나노, 튜브
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) H01L 29/00 (2011.01)
CPC H05B 3/145(2013.01) H05B 3/145(2013.01) H05B 3/145(2013.01) H05B 3/145(2013.01)
출원번호/일자 1020070068369 (2007.07.06)
출원인 전자부품연구원, 경기도
등록번호/일자 10-0889332-0000 (2009.03.20)
공개번호/일자 10-2009-0004281 (2009.01.12) 문서열기
공고번호/일자 (20090326) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.06)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 경기도 대한민국 경기도 수원시 팔달구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍성민 대한민국 경기 용인시 수지구
2 황학인 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 경기도 대한민국 경기도 수원시 팔달구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2007-0496167-04
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.05.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0034179-26
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0331445-04
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0585572-82
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.08.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0585565-62
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.11.06 수리 (Accepted) 4-1-2008-5176113-43
8 등록결정서
Decision to grant
2008.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0624585-71
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1
MEMS 공정을 이용하여 형성한 마이크로 히터에 있어서,외부에서 인가된 전압을 이용하여 열을 방출하기 위해 기판과 이격되어 형성된 히팅 구조물;상기 히팅구조물 상부에 형성되어 산화현상을 방지하는 패시배이션층;상기 히팅 구조물 상부에 형성되어 발열효율을 향상시키기 위한 탄소나노튜브;상기 히팅 구조물로부터 방출되는 열을 반사시키기 위하여 상기 기판 상에 박막 형태로 형성된 반사판;상기 히팅 구조물 하부에 진공상태로 형성된 캐비티; 및상기 히팅 구조물에 전압을 인가하기 위한 전극 패드를 포함하는 탄소나노튜브를 구비한 마이크로 히터
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제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브의 가로세로비는 5:1 내지 18:1인 탄소나노튜브를 구비한 마이크로 히터
3 3
삭제
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제1항에 있어서,상기 캐비티의 두께는 상기 히팅 구조물에서 방출되는 열이 갖는 파장의 1/3 내지 1/5인 파장인 탄소나노튜브를 구비한 마이크로 히터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.