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전기, 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물에 있어서,기판; 상기 기판 상에 형성된 탄소나노튜브 전도성막; 및 상기 전도성막 상에 적어도 하나의 티타늄 알콕시화물(titanium alkoxide)을 포함하는 후처리 용액 및 반응개시 용액을 이용하여 형성되며 탄소나노튜브와 티타늄 화합물을 포함하고 0 초과 50 nm 이하의 두께로 형성되는 화합물막을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기, 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물
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제1항에 있어서, 상기 티타늄 화합물은티타늄 수산화물과 티타늄 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기, 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물
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제1항에 있어서, 상기 티타늄 알콕시화물은 티타늄(titanium)-산소원자-유기치환기(R) 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기, 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물
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제1항에 있어서, 상기 티타늄 알콕시화물은 유기치환기(R)의 형태에 따라 titanium methoxide, titanium ethoxide, titanium propoxide, titanium isopropoxide, titanium butoxide, titanium pentoxide 중 적어도 어느 하나가 선택되는 것을 특징으로 하는 전기, 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물
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전기, 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물에 있어서,기판; 상기 기판 상에 형성된 탄소나노튜브 전도성막; 및 상기 전도성막 상에 적어도 하나의 티타늄 알콕시화물(titanium alkoxide)을 포함하는 후처리 용액 및 반응개시 용액을 이용하여 형성되며 탄소나노튜브와 티타늄 화합물을 포함하는 화합물막을 포함하고,상기 티타늄 알콕시화물은 상기 반응개시 용액과 접촉하여 분해, 교환, 치환, 또는 축합 반응을 통하여 티타늄 화합물로 석출되는 종류의 것을 선택하는 것을 특징으로 하는 전기, 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물
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제1항에 있어서, 상기 반응개시 용액은 물, 산, 염기, 알코올, -OH 작용기를 가지는 고분자 용액 및 -COOH 작용기를 가지는 고분자 용액 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기, 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물
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전기, 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물에 있어서,기판; 상기 기판 상에 형성된 탄소나노튜브 전도성막; 상기 전도성막 상에 적어도 하나의 티타늄 알콕시화물(titanium alkoxide)을 포함하는 후처리 용액 및 반응개시 용액을 이용하여 형성되며 탄소나노튜브와 티타늄 화합물을 포함하는 화합물막; 및상기 화합물막 상에 고분자 물질을 코팅하여 형성된 고분자막을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기, 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물
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제8항에 있어서, 상기 고분자 물질은 -COOH, -OH 기능기를 가지는 물질임을 특징으로 하는 전기, 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물
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제8항에 있어서, 상기 고분자막 상에 상기 후처리 용액 및 반응개시 용액의 접촉을 통해 형성된 복합체막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기, 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물
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제1항에 있어서, 상기 기판은 유리, 석영(quartz), 글라스 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼, 투명 및 불투명 플라스틱 기판, 투명 및 불투명 고분자 필름 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물
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전기, 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물에 있어서,기판; 상기 기판 상에 형성된 탄소나노튜브 전도성막; 및 상기 전도성막 상에 적어도 하나의 티타늄 알콕시화물(titanium alkoxide)을 포함하는 후처리 용액 및 반응개시 용액을 이용하여 형성되며 탄소나노튜브와 티타늄 화합물을 포함하는 화합물막을 포함하고,상기 전도성막은 단일벽 탄소나노튜브, 기능화된 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 기능화된 이중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 기능화된 다중벽 탄소나노튜브 중 적어도 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물
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전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 있어서, 기판을 마련하는 과정과, 상기 기판 상에 탄소나노튜브 분산 용액을 이용하여 전도성막을 형성하는 과정과, 상기 전도성막 상에 적어도 하나의 티타늄 알콕시화물(titanium alkoxide)을 포함하는 후처리 용액 및 반응개시 용액을 이용하여 탄소나노튜브와 티타늄 화합물을 포함하는 화합물막을 0 초과 50 nm 이하의 두께로 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기, 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법
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제13항에 있어서, 상기 티타늄 화합물은 티타늄 수산화물과 티타늄 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기, 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법
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제13항에 있어서, 상기 티타늄 알콕시화물은 티타늄(titanium)-산소원자-유기치환기(R) 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법
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제13항에 있어서, 상기 티타늄 알콕시화물은 유기치환기(R)의 형태에 따라 titanium methoxide, titanium ethoxide, titanium propoxide, titanium isopropoxide, titanium butoxide, titanium pentoxide 중 적어도 어느 하나가 선택되는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법
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전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 있어서, 기판을 마련하는 과정과, 상기 기판 상에 탄소나노튜브 분산 용액을 이용하여 전도성막을 형성하는 과정과, 상기 전도성막 상에 적어도 하나의 티타늄 알콕시화물(titanium alkoxide)을 포함하는 후처리 용액 및 반응개시 용액을 이용하여 탄소나노튜브와 티타늄 화합물을 포함하는 화합물막을 형성하는 과정을 포함하고,상기 티타늄 알콕시화물은 상기 반응개시 용액과 접촉하여 분해, 교환, 치환, 또는 축합 반응을 통하여 티타늄 화합물로 석출되는 종류의 것을 선택하는 것을 특징으로 하는 전기, 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법
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제13항에 있어서, 상기 후처리 용액에서 상기 티타늄 알콕시화물의 농도는 0 wt% 초과 30 wt% 이하인 것을 특징으로 하는 전기, 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법
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제13항에 있어서, 상기 후처리 용액의 용매는 methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol 등의 알코올 및 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법
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전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 있어서, 기판을 마련하는 과정과, 상기 기판 상에 탄소나노튜브 분산 용액을 이용하여 전도성막을 형성하는 과정과, 상기 전도성막 상에 적어도 하나의 티타늄 알콕시화물(titanium alkoxide)을 포함하는 후처리 용액 및 반응개시 용액을 이용하여 탄소나노튜브와 티타늄 화합물을 포함하는 화합물막을 형성하는 과정을 포함하고,상기 반응개시 용액은 물, 산, 염기, 알코올, -OH 작용기를 가지는 고분자 용액 및 -COOH 작용기를 가지는 고분자 용액 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기, 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법
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전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 있어서, 기판을 마련하는 과정과, 상기 기판 상에 탄소나노튜브 분산 용액을 이용하여 전도성막을 형성하는 과정과, 상기 전도성막 상에 적어도 하나의 티타늄 알콕시화물(titanium alkoxide)을 포함하는 후처리 용액 및 반응개시 용액을 이용하여 탄소나노튜브와 티타늄 화합물을 포함하는 화합물막을 형성하는 과정을 포함하고,상기 화합물막을 형성하는 과정은 상기 후처리 용액을 상기 전도성막 상에 코팅한 후, 상기 후처리 용액이 건조되기 전, 상기 반응개시 용액을 접촉시킴으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법
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제21항에 있어서, 상기 접촉은 딥(dip) 코팅, 스프레이(spray) 코팅, 스핀(spin) 코팅, 솔루션 캐스팅(solution casting), 도롭핑(dropping), 롤(roll) 코팅, 그라비아 코팅, 바코팅(bar coating) 중 어느 하나의 방법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 전기, 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법
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전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 있어서, 기판을 마련하는 과정과, 상기 기판 상에 탄소나노튜브 분산 용액을 이용하여 전도성막을 형성하는 과정과, 상기 전도성막 상에 적어도 하나의 티타늄 알콕시화물(titanium alkoxide)을 포함하는 후처리 용액 및 반응개시 용액을 이용하여 탄소나노튜브와 티타늄 화합물을 포함하는 화합물막을 형성하는 과정과,상기 화합물막 상에 고분자 물질을 코팅하여 고분자막을 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기, 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법
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제23항에 있어서, 상기 고분자 물질은 -COOH, -OH 기능기를 가지는 물질임을 특징으로 하는 전기, 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법
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제23항에 있어서, 상기 고분자막 상에 상기 후처리 용액의 코팅 및 반응개시 용액의 접촉을 통해 복합체막을 형성하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기, 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법
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전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 있어서, 기판을 마련하는 과정과, 상기 기판 상에 탄소나노튜브 분산 용액을 이용하여 전도성막을 형성하는 과정과, 상기 전도성막 상에 적어도 하나의 티타늄 알콕시화물(titanium alkoxide)을 포함하는 후처리 용액 및 반응개시 용액을 이용하여 탄소나노튜브와 티타늄 화합물을 포함하는 화합물막을 형성하는 과정을 포함하고,상기 마련하는 과정 중, 상기 전도성막을 형성하는 과정 전, 상기 기판에 피라나(Piranha) 용액 처리, 산 처리, 염기 처리, 플라즈마 처리, 상압 플라즈마처리, 오존 처리, UV 처리, SAM(self assembled monolayer) 처리, 및 고분자 또는 단분자 코팅 방법 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 표면 처리를 수행하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법
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제13항에 있어서, 상기 전도성막을 형성하는 과정은 상기 기판 상에 상기 탄소나노튜브 분산 용액을 딥(dip) 코팅, 스프레이(spray) 코팅, 스핀(spin) 코팅, 솔루션 캐스팅(solution casting), 도롭핑(dropping), 롤(roll) 코팅, 그라비아 코팅 등의 방법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 코팅하는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법
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