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상호 이격된 복수개의 비아홀들이 형성되며, 비아홀들 내부 각각에 저온동시 소성 분말과 비클이 혼합된 페이스트로 이루어진 유전체막이 채워져 있고, 상기 비아홀들 내부 각각에 채워진 유전체막 상부를 감싸는 상부전극이 형성되어 있으며, 상기 유전체막의 유전율보다 작은 유전율을 갖는 제 1 그린시트를 형성하는 제 1 단계와;상기 제 1 그린시트의 상부전극과 전기적으로 연결시키도록 내부에 도전성 물질이 충진된 비아홀이 형성되어 있고, 상기 도전성 물질과 전기적으로 연결되는 상부 전극패드가 상부에 형성되어 있는 제 2 그린시트를 형성하는 제 2 단계와;상기 제 1 그린시트의 유전체막 하부에 접촉되는 하부전극이 상부에 형성되어 있고, 상기 하부전극과 전기적으로 연결시키도록 내부에 도전성 물질이 충진된 비아홀이 형성되어 있으며, 상기 비아홀과 전기적으로 연결된 하부 전극패드가 하부에 형성되어 있는 제 3 그린시트를 형성하는 제 3 단계와;상기 제 3 그린시트의 하부전극에 상기 제 1 그린시트의 유전체막이 접촉되고, 상기 제 1 그린시트의 상부전극에 상기 제 2 그린시트의 도전성물질이 접촉되도록, 상기 제 3 그린시트 상부에 제 1 그린시트와 제 2 그린시트를 순차적으로 적층시키는 제 4 단계와;상기 제 4 단계 후에, 소성시키는 제 5 단계로 구성된 이종 유전체를 이용한 내장형 캐패시터의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 제 1 단계는, 테이프 상부에 저온동시소성 세라믹 분말과 유기바인더, 용제, 분산제 등을 혼합하여 생성되는 슬러리를 캐스팅(Casting)하고, 건조시켜 제 1 그린시트를 형성하는 단계와; 상기 제 1 그린시트와 테이프를 관통하는 상호 이격된 복수개의 비아홀들을 펀칭공정을 수행하여 형성하는 단계와; 상기 복수개의 비아홀들 각각에, 상기 제 1 그린시트의 유전율보다 높은 유전율을 갖는 저온동시소성 분말과 비클이 혼합된 페이스트를 충진하고 건조시켜, 상기 복수개의 비아홀들에 채워진 유전체막을 형성하는 단계와; 상기 유전체막 상부를 감싸도록, 상기 제 1 그린시트 상부에 상부전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 그린시트에서 테이프를 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 이종 유전체를 이용한 내장형 캐패시터의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 복수개의 비아홀들에 충진시키는 페이스트의 점도는, 1000 ~ 2000 Pa
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제 4 항에 있어서, 상기 제 2 단계는, 테이프 상부에 저온동시소성 세라믹 분말과 유기바인더, 용제, 분산제 등을 혼합하여 생성되는 슬러리를 캐스팅(Casting)하고, 건조시켜 제 2 그린시트를 형성하는 단계와; 상기 테이프 상부에 형성된 제 2 그린시트와 테이프를 관통하는 비아홀을 펀칭공정을 수행하여 형성하는 단계와; 상기 비아홀에 도전성 물질인 전도성 페이스트를 충진하고 건조시켜, 상기 비아홀을 채우는 단계와; 상기 도전성 물질이 채워진 비아홀 상부를 감싸도록, 상기 제 2 그린시트 상부에 상부 전극패드를 형성하는 단계와; 연이어, 상기 제 2 그린시트에서 테이프를 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 이종 유전체를 이용한 내장형 캐패시터의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 테이프 상부에 저온동시소성 세라믹 분말과 유기바인더, 용제, 분산제 등을 혼합하여 생성되는 슬러리를 캐스팅(Casting)하고, 건조시켜 제 3 그린시트를 형성하는 단계와; 상기 테이프 상부에 형성된 제 3 그린시트와 테이프를 관통하는 비아홀을 펀칭공정을 수행하여 형성하는 단계와; 상기 비아홀에 도전성 물질인 전도성 페이스트를 충진하고 건조시켜, 상기 비아홀을 채우는 단계와; 상기 도전성 물질이 채워진 비아홀 상부를 감싸도록, 상기 제 3 그린시트 상부에 하부 전극을 형성하고, 상기 제 3 그린시트에서 테이프를 제거한 후, 상기 제 3 그린시트 하부에 하부 전극 패드를 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 이종 유전체를 이용한 내장형 캐패시터의 제조 방법
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제 4 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 5 단계의 소성온도는, 800 ~ 900℃인 것을 특징으로 하는 이종 유전체를 이용한 내장형 캐패시터의 제조 방법
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제 4 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 5 단계의 소성온도는, 800 ~ 900℃인 것을 특징으로 하는 이종 유전체를 이용한 내장형 캐패시터의 제조 방법
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