| 1 |
1
규칙적으로 배열된 다수의 미세 관통공을 구비한 무기물 기판을 준비하는 단계(단계 a);상기 무기물 기판상에 전도성 금속층을 형성하는 단계(단계 b); 및상기 단계 b를 거친 무기물 기판을 소정의 온도로 열처리함으로써 용융된 상기 전도성 금속층이 상기 미세 관통공으로 흘러들어가 충전되도록 하는 단계(단계 c);를 포함하는 금속 리플로우법을 이용한 비등방성 소재의 제조방법
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 무기물 기판은,알루미늄 양극산화물, 티타니아, 메조다공성 분자체 및 제올라이트 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금속 리플로우법을 이용한 비등방성 소재의 제조방법
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 미세 관통공은,상기 무기물 기판에 대하여 수직 배향된 것을 특징으로 하는 금속 리플로우법을 이용한 비등방성 소재의 제조방법
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 단계 a는,판상의 기판을 준비하여 어닐링한 후 일렉트로 폴리싱하는 전처리 단계(단계 a-1);상기 전처리된 기판을 1차 아노다이징하는 단계(단계 a-2);상기 1차 아노다이징된 기판을 에칭하여 산화층을 제거하는 단계(단계 a-3); 및상기 산화층이 제거된 기판을 2차 아노다이징 하는 단계(단계 a-4)를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 리플로우법을 이용한 비등방성 소재의 제조방법
|
| 5 |
5
청구항 4에 있어서,상기 단계 a-4 이후,산 처리하여 상기 단계들에 의해 형성된 다수의 미세 관통공을 확대하는 단계(단계 a-5)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 리플로우법을 이용한 비등방성 소재의 제조방법
|
| 6 |
6
청구항 4에 있어서,상기 어닐링은,질소 분위기에서 450~550℃의 온도로 4~6시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 금속 리플로우법을 이용한 비등방성 소재의 제조방법
|
| 7 |
7
청구항 4에 있어서,상기 일렉트로 폴리싱은,에탄올:과염소산의 5:5~7:3의 부피비로 혼합된 혼합용액을 이용하는 것을 특징으로 하는 금속 리플로우법을 이용한 비등방성 소재의 제조방법
|
| 8 |
8
청구항 4에 있어서,상기 일렉트로 폴리싱은,직류 12~50V의 전압조건에서 1~10분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 금속 리플로우법을 이용한 비등방성 소재의 제조방법
|
| 9 |
9
청구항 4에 있어서,상기 아노다이징은,0
|
| 10 |
10
청구항 4에 있어서,상기 아노다이징은,직류 4~50V의 정전압에서 40~60분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 금속 리플로우법을 이용한 비등방성 소재의 제조방법
|
| 11 |
11
청구항 4에 있어서,상기 단계 a-3은,산 처리에 의한 화학적 에칭으로 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 리플로우법을 이용한 비등방성 소재의 제조방법
|
| 12 |
12
청구항 11에 있어서,상기 산 처리는,H3PO4 수용액, H3PO4 + CrO3 의 혼합 수용액 및 H3PO4 + H2CrO3의 혼합 수용액 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금속 리플로우법을 이용한 비등방성 소재의 제조방법
|
| 13 |
13
청구항 5에 있어서,상기 산 처리는,0
|
| 14 |
14
청구항 13에 있어서,상기 산 처리는,25~60℃의 온도에서 10~60 분간 수행하는 것을 특징으로 하는 금속 리플로우법을 이용한 비등방성 소재의 제조방법
|
| 15 |
15
청구항 1에 있어서,상기 단계 b는,상기 전도성 금속층을 무기물 기판상에 금속 페이스트를 도포하거나 금속 분말을 뿌리는 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 리플로우법을 이용한 비등방성 소재의 제조방법
|
| 16 |
16
청구항 1에 있어서,상기 전도성 금속층은,녹는점 30~300℃인 금속 또는 합금인 것을 특징으로 하는 금속 리플로우법을 이용한 비등방성 소재의 제조방법
|
| 17 |
17
청구항 16에 있어서,상기 전도성 금속층은,갈륨 또는 주석-은-구리 합금인 것을 특징으로 하는 금속 리플로우법을 이용한 비등방성 소재의 제조방법
|
| 18 |
18
청구항 1에 있어서,상기 단계 b는,진공 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 금속 리플로우법을 이용한 비등방성 소재의 제조방법
|
| 19 |
19
청구항 1에 있어서,상기 단계 c는,300~400℃ 온도에서, 10~20시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 금속 리플로우법을 이용한 비등방성 소재의 제조방법
|
| 20 |
20
청구항 19에 있어서,상기 단계 c는,동일한 온도 및 시간 조건으로 1회 더 수행하는 것을 특징으로 하는 금속 리플로우법을 이용한 비등방성 소재의 제조방법
|
| 21 |
21
규칙적으로 배열된 다수의 미세 관통공을 구비한 무기물 기판을 준비하는 단계;상기 무기물 기판상에 전도성 금속층을 형성하는 단계; 및상기 전도성 금속층이 형성된 무기물 기판을 소정의 온도로 열처리함으로써 용융된 상기 전도성 금속층이 상기 미세 관통공으로 흘러들어가 충전되도록 하는 단계를 포함하는 금속 리플로우법에 의해 제조된 비등방성 소재
|
| 22 |
22
청구항 21에 있어서,상기 무기물 기판은,알루미늄 양극산화물, 티타니아, 메조다공성 분자체 및 제올라이트 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 비등방성 소재
|
| 23 |
23
청구항 21에 있어서,상기 전도성 금속층은,갈륨 또는 주석-은-구리 합금인 것을 특징으로 하는 비등방성 소재
|
| 24 |
24
규칙적으로 배열된 다수의 미세 관통공을 구비한 무기물 기판을 준비하는 단계;상기 무기물 기판상에 전도성 금속층을 형성하는 단계; 및상기 전도성 금속층이 형성된 무기물 기판을 소정의 온도로 열처리함으로써 용융된 상기 전도성 금속층이 상기 미세 관통공으로 흘러들어가 충전되도록 하는 단계;를 포함하는 금속 리플로우법에 의해 제조된 비등방성 소재를 포함하는 인쇄회로기판
|
| 25 |
25
규칙적으로 배열된 다수의 미세 관통공을 구비한 무기물 기판을 준비하는 단계;상기 무기물 기판상에 전도성 금속층을 형성하는 단계; 및상기 전도성 금속층이 형성된 무기물 기판을 소정의 온도로 열처리함으로써 용융된 상기 전도성 금속층이 상기 미세 관통공으로 흘러들어가 충전되도록 하는 단계;를 포함하는 금속 리플로우법에 의해 제조된 비등방성 소재를 포함하는 커넥터 부재
|
