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고주파 스퍼터링 공정을 통하여 기판 상에 박막 형성시 사용되는 세라믹 표적 제조방법에 있어서,(Na0
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청구항 1에 있어서,상기 제 2 단계는 폴리에틸렌 용기 내에서 24시간 실시되는 것을 특징으로 하는 세라믹 표적 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 제 3 단계는 전기오븐에서 넣어 100℃에서 24시간 동안 건조시키는 것을 특징으로 하는 세라믹 표적 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 제 4 단계에서 일정한 압력은 500kgf/cm2 인 것을 특징으로 하는 세라믹 표적 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 제 5 단계는 650℃에서 2시간 동안 소결시키는 것을 특징으로 하는 세라믹 표적 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 제 5 단계 이전에 추가로 하소 공정을 거치는 것을 특징으로 하는 세라믹 표적 제조방법
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청구항 1 내지 6중에서 어느 한 항에 따라 제조된 세라믹 표적을 이용하여 고주파 스퍼터링 공정을 통하여 기판에 박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 세라믹 박막 형성방법
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청구항 7에 있어서,박막의 결정성을 향상시키기 위해 산소 분위기에서 후열 처리과정을 650~750℃에서 추가로 1시간 동안 거치는 것을 특징으로 하는 세라믹 박막 형성방법
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청구항 7에 있어서,상기 기판은 하부전극을 포함하는 Pt(111)/Ti/SiO2/Si 기판인 것을 특징으로 하는 세라믹 박막 형성방법
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