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고온,고압연소합성을이용한탄화물,붕화물또는질화물이도포된핵연료의제조방법

  • 기술번호 : KST2015146960
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄화물(carbides), 붕화물(borides) 또는 질화물(nitrides)이 도포된 핵연료를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 핵연료 표면에 ⅰ) 열분해 탄소(pyrolitic carbon), 붕소 또는 질소와 반응하여 탄화물, 붕화물 또는 질화물을 형성할 수 있는 화합물과 ⅱ) 열분해 탄소, 붕소 또는 질소를 화학증착법, 가스 침투법 또는 스퍼터링(sputtering)에 의해 핵연료 표면에 순차적으로 또는 역순으로 두층 이상 적층한 다음 상기 층을 고온 및 고압에서 연소합성시켜 탄화물, 붕화물 또는 질화물과 이들의 복합물이 적층으로 도포된 핵연료를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 제조방법은 탄화규소(SiC)와 기타 탄화물을 입자형(particle type)의 핵연료 표면에 도포하는 기존의 제조방법에 비해 값이 싸고, 저온에서 분해될 수 있으며, 반응 후 유해한 부산물의 발생이 적은 실란(silanes), 보란(borane) 등의 화합물을 사용하기 때문에 도포 공정 중에 핵연료의 특성에 영향을 미치지 않고 단시간에 경제적으로 도포할 수 있으며, 고온 연소 합성법으로 핵연료의 표면에 증착된 열분해 탄소를 규소 등과 반응시켜 탄화물 층을 형성하기 때문에 미세한 결정조직을 조절·유지할 수 있는 우수한 제조방법으로 탄화물 뿐만 아니라 붕화물 및 질화물을 원하는 핵연료 표면에 효과적으로 도포할 수 있는 우수한 제조방법이다.
Int. CL G21C 21/02 (2006.01.01)
CPC G21C 21/02(2013.01) G21C 21/02(2013.01)
출원번호/일자 1019970065414 (1997.12.02)
출원인 한국전력공사, 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-0285168-0000 (2000.12.29)
공개번호/일자 10-1999-0047158 (1999.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20010315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.02)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전력공사 대한민국 전라남도 나주시
2 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김봉구 대한민국 대전광역시 서구
2 나상호 대한민국 대전광역시 유성구
3 손동성 대한민국 대전광역시 유성구
4 이영우 대한민국 대전광역시 유성구
5 이정원 대한민국 대전광역시 유성구
6 최용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전력공사 대한민국 서울 강남구
2 한국원자력연구소 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.02 수리 (Accepted) 1-1-1997-0205411-34
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.02 수리 (Accepted) 1-1-1997-0205412-80
3 특허출원서
Patent Application		 1997.12.02 수리 (Accepted) 1-1-1997-0205410-99
4 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1998.10.22 수리 (Accepted) 1-1-1997-0717487-13
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.28 수리 (Accepted) 4-1-1999-0022674-59
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0052121-71
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.09.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0113412-16
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0057822-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2000-0045759-52
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.05.24 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2000-5148376-08
11 의견서
Written Opinion		 2000.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2000-5148375-52
12 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 2000.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0149816-72
13 등록사정서
Decision to grant		 2000.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0338103-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2001-0141382-18
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2007-5073714-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2007-5085193-38
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117973-29
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117707-02
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2007-5156605-02
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5153448-46
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2019-5136129-26
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5136893-80
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2020-5072225-46
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번호 청구항
1 1

핵연료 표면에 ⅰ) 열분해 탄소, 붕소 또는 질소와 반응하여 탄화물(carbides), 붕화물(borides) 또는 질화물(nitrides)을 형성할 수 있는 화합물과 ⅱ) 열분해 탄소, 붕소 또는 질소를 핵연료 표면에 순차적으로 또는 역순으로 두층 이상 적층한 다음 상기 층을 고온 및 고압에서 연소합성시켜 탄화물, 붕화물 또는 질화물과 이들의 복합물이 적층으로 도포된 핵연료를 제조하는 방법
2 2

제 1항에 있어서, 열분해 탄소의 탄소원은 메탄(CH4), 아세틸렌(C2H2), 에틸렌(C2H4) 또는 프로판(C3H8)인 것을 특징으로 하는 탄화물, 붕화물 또는 질화물과 이들의 복합물이 적층으로 도포된 핵연료를 제조하는 방법
3 3

제 1항에 있어서, 열분해 탄소, 붕소 또는 질소와 반응하여 탄화물, 질화물 또는 붕화물을 형성할 수 있는 화합물과 이들의 복합물은 규소(Si), 지르코늄(Zr) 또는 붕소(B) 화합물인 것을 특징으로 하는 탄화물, 붕화물 또는 질화물과 이들의 복합물이 적층으로 도포된 핵연료를 제조하는 방법
4 4

제 3항에 있어서, 규소 화합물은 실란(SiH4), 테트라메틸실란[(CH3)4Si] 또는 헥사메틸디실란(C6H18Si2)인 것을 특징으로 하는 탄화물, 붕화물 또는 질화물과 이들의 복합물이 적층으로 도포된 핵연료를 제조하는 방법
5 5

제 1항에 있어서, 핵연료 표면에 열분해 탄소, 질소 또는 붕소 및 이들과 반응하여 탄화물, 질화물 또는 붕화물을 형성할 수 있는 화합물을 도포하는 과정에 있어서, 화학증착법, 가스 침투법 또는 스퍼터링(sputtering) 방법을 통하여 도포하는 것을 특징으로 하는 탄화물, 붕화물 또는 질화물과 이들의 복합물이 적층으로 도포된 핵연료를 제조하는 방법
6 6

제 1항에 있어서, 고온 연소합성시의 열원은 레이저 빔, 아크 또는 마이크로파(microwave)인 것을 특징으로 하는 탄화물, 붕화물 또는 질화물과 이들의 복합물이 적층으로 도포된 핵연료를 제조하는 방법
7 7

제 1항에 있어서, 핵연료는 입자형(particle) 또는 소결체(pellet)가 사용되는 것을 특징으로 하는 탄화물, 붕화물 또는 질화물과 이들의 복합물이 적층으로 도포된 핵연료를 제조하는 방법
8 8

제 1항에 있어서, 핵연료 표면에 탄화물로서 탄화규소 층이 형성된 경우, 탄화규소층의 조성은 β-탄화규소(β-SiC)가 99% 이상이 되도록 하는 것을 특징으로 하는 탄화물, 붕화물 또는 질화물과 이들의 복합물이 적층으로 도포된 핵연료를 제조하는 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP02939470 JP 일본 FAMILY
2 JP11183677 JP 일본 FAMILY
3 US06190725 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP11183677 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP2939470 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH11183677 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US6190725 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.