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Ｐｏｗｅｒ ｐＭＯＳＦＥＴ을 사용한 고준위 방사선용γ선 실시간 소형 선량계

  • 기술번호 : KST2015147025
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Power pMOSFET을 사용한 고준위 방사선용 γ선 실시간 소형 선량계에 관한 것으로, 그 목적은 1KRad와 100KRad 범위의 γ방사선 피폭에 대하여 선형적인 감지 특성을 갖는 Power pMOSFET을 이용한 방사선 누적센서와 100KRad 범위의 고준위 방사선 피폭에도 전혀 영향을 받지 않는 전자회로만으로 구성하여 고방사선 지역에서 사용되는 기기 및 장비의 방사선 피폭으로 인한 고장 및 오동작을 예방하고 이들의 수명을 예측할 수 있는 방사선 피폭 측정용 선량계를 제공하는데 있다.본 발명의 구성은 방사선을 감지하는 선량계를 구성함에 있어서, 방사선의 피폭량에 따라 선형적으로 문턱전압(Threshold Voltage)값이 증가하는 pMOSFET으로 된 누적센서(1)와; 상기 누적센서(1)의 문턱전압을 측정하기 위하여, 게이트 사이에 생기는 작은 전위 차로 인해 발생되는 작은 전류를 Power pMOSFET(1)의 드레인 전극에 일정하게 공급하는 JFET-1(2) 및 JFET-2(3)와; 상기 공급되는 전류를 pMOSFET의 종류에 맞게 조정하는 가변저항(4) 만으로 회로가 구성되는 것을 요지로한다.Power pMOSFET, JFET, 고준위 방사선, γ선, 선량계
Int. CL G01T 1/02 (2006.01.01) G01T 7/00 (2006.01.01) G01T 1/17 (2006.01.01)
CPC G01T 7/005(2013.01)
출원번호/일자 1019990064620 (1999.12.29)
출원인 한국원자력연구원, 한국전력공사
등록번호/일자 10-0353047-0000 (2002.09.04)
공개번호/일자 10-2001-0064424 (2001.07.09) 문서열기
공고번호/일자 (20020916) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.12.29)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국전력공사 대한민국 전라남도 나주시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이남호 대한민국 대전광역시유성구
2 김승호 대한민국 대전광역시유성구
3 육근억 대한민국 대전광역시동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최영규 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, B동 ***호 새천년 국제특허법률사무소 (가산동, 우림 라이온스밸리)
2 김경식 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, *층 (서초동, 모인터빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국수력원자력 주식회사 경상북도 경주시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.12.29 수리 (Accepted) 1-1-1999-0186067-19
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2000-0045759-52
3 복대리인선임신고서
Report on Appointment of Sub-agent		 2000.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2000-5315953-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2001-0141382-18
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0108697-09
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.05.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0166898-71
7 의견서
Written Opinion		 2002.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2002-0166897-25
8 등록결정서
Decision to grant		 2002.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0314434-30
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2007-5073714-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2007-5085193-38
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117707-02
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117973-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2007-5156605-02
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5153448-46
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2019-5136129-26
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5136893-80
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2020-5072225-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

방사선을 감지하는 선량계를 구성함에 있어서,

방사선의 피폭량에 따라 선형적으로 문턱전압(Threshold Voltage)값이 증가하는 pMOSFET(p Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 된 누적센서(1)와;

상기 누적센서(1)의 문턱전압을 측정하기 위하여, 게이트 사이에 생기는 작은 전위 차로 인해 발생되는 작은 전류를 Power pMOSFET(1)의 드레인 전극에 일정하게 공급하는 JFET(Junction Field Effect Transistor)-1(2) 및 JFET(Junction Field Effect Transistor)-2(3)와;

상기 공급되는 전류를 pMOSFET의 종류에 맞게 조정하는 가변저항(4) 만으로 회로가 구성되는 것을 특징으로 하는 Power pMOSFET을 사용한 고준위 방사선용 γ선 실시간 소형 선량계

2 2

제 1항에 있어서, 상기 pMOSFET은 방사선 검출범위가 1∼100KRad까지인 상용의 Power pMOSFET을 사용하는 것을 특징으로 하는 Power pMOSFET을 사용한 고준위 방사선용 γ선 실시간 소형 선량계

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.