맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

가돌리늄막을 가진 ｐＭＯＳＦＥＴ센서와 ｐＭＯＳＦＥＴ센서 및 감산기를 사용하여 감마선／열중성자를 동시에 검출하는 실시간 전자적 선량계 및 그 검출방법

  • 기술번호 : KST2015147069
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가돌리늄막을 가진 pMOSFET센서와 pMOSFET센서 및 감산기를 사용하여 감마선/열중성자를 동시에 검출하는 실시간 전자적 선량계 및 그 검출방법에 관한 것으로, 그 목적은 감마선 및 열중성자를 동시에 실시간으로 감지할 수 있는 단일 모듈의 소형의 전자적 선량계 및 그 검출방법을 제공하는데 있다.본 발명의 구성은 감마선/열중성자 동시 감지장치에 있어서, 산화층인 pMOSFET 칩(23)이 장치된 pMOSFET 어셈블리로 이루어진 pMOSFET센서(2)와, 산화층인 pMOSFET 칩(13)이 장착된 pMOSFET 어셈블리(14)와, 이 pMOSFET 칩(13)의 상부에 장치되며 내부에 핵반응막인 가돌리늄(Gd, 12)층이 코팅된 pMOSFET 보호 캡(11)으로 이루어진 Gd+pMOSFET 센서(1)와, 상기 Gd+pMOSFET센서(1)에서 pMOSFET 센서(2)의 감마선량을 감산하는 감산기(Subtracter, 3)와, 감산기(3)로부터 출력되는 열중성자에 의한 방사선량만을 표시하는 열중성자선량표시계(4)와, pMOSFET센서(2)로부터 검출된 감마선 선량만을 표시하는 감마선선량표시계(5)로 구성된 장치 및 이를 사용한 동시 검출방법을 특징으로 한다.가돌리늄, 선량계, 열중성자선량, 감마선선량, 감산기
Int. CL G01T 1/02 (2006.01)
CPC G01T 1/17(2013.01) G01T 1/17(2013.01) G01T 1/17(2013.01) G01T 1/17(2013.01)
출원번호/일자 1020010077287 (2001.12.07)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-0423536-0000 (2004.03.05)
공개번호/일자 10-2003-0046948 (2003.06.18) 문서열기
공고번호/일자 (20040318) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.12.07)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이남호 대한민국 대전광역시유성구
2 김승호 대한민국 대전광역시유성구
3 박일진 대한민국 경기도성남시중원구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최영규 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, B동 ***호 새천년 국제특허법률사무소 (가산동, 우림 라이온스밸리)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구소 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2001-0323482-41
2 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.12.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2001-0324860-75
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.09.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.10.17 수리 (Accepted) 9-1-2003-0050186-38
5 등록결정서
Decision to grant		 2004.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0083082-89
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2007-5073714-01
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2007-5085193-38
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117707-02
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117973-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

감마선/열중성자 동시 감지장치에 있어서,

산화층인 pMOSFET 칩(23)이 장치된 pMOSFET 어셈블리로 이루어진 pMOSFET센서(2)와,

산화층인 pMOSFET 칩(13)이 장착된 pMOSFET 어셈블리(14)와, 이 pMOSFET 칩(13)의 상부에 장치되며 내부에 핵반응막인 가돌리늄(Gd, 12)층이 코팅된 pMOSFET 보호 캡(11)으로 이루어진 Gd+pMOSFET 센서(1)와,

상기 Gd+pMOSFET센서(1)에서 pMOSFET 센서(2)의 감마선량을 감산하는 감산기(Subtracter, 3)와,

감산기(3)로부터 출력되는 열중성자에 의한 방사선량만을 표시하는 열중성자선량표시계(4)와,

pMOSFET센서(2)로부터 검출된 감마선 선량만을 표시하는 감마선선량표시계(5)로 구성된 것을 특징으로 하는 가돌리늄막을 가진 pMOSFET센서와 pMOSFET센서 및 감산기를 사용하여 감마선/열중성자를 동시에 검출하는 실시간 전자적 선량계

2 2

감마선/열중성자 동시 감지방법에 있어서,

산화층인 pMOSFET 칩(13)이 장착된 pMOSFET 어셈블리(14)와, 이 pMOSFET 칩(13)의 상부에 장치되며 내부에 핵반응막인 가돌리늄(Gd, 12)층이 코팅된 pMOSFET 보호 캡(11)으로 이루어진 Gd+pMOSFET 센서(1)에서는 감마선이 포함된 열중성자를 검출하고, 산화층인 pMOSFET 칩(23)이 장치된 pMOSFET 어셈블리로 이루어진 pMOSFET센서(2)에서는 감마선만을 검출하되, 감마선이 제외된 열중성자만을 검출시는 감산기(3)를 사용하여 Gd+pMOSFET 센서(1)에서 pMOSFET센서(2)에서 감마선량을 감산하고, 감마선량만을 검출시는 pMOSFET센서(2)에서 검출된 감마선량만을 사용하는 방법을 특징으로 하는 가돌리늄막을 가진 pMOSFET센서와 pMOSFET센서 및 감산기를 사용하여 감마선/열중성자를 동시에 검출하는 실시간 전자적 검출방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.