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양면 이온빔 조사장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015147120
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양면 이온빔 조사장치 및 방법에 관한 것으로, 그 목적은 이온원 전극의 전극원판에 복수개의 전극구멍을 형성시켜 전극구멍을 통해 인출된 빔 전류분포를 각각의 유사-가우시안 분포를 중첩시켜 균일한 이온빔 분포 특성을 갖게 함으로서 양면에서 이온빔이 주입될 수 있는 것을 특징으로 하는 양면 이온빔 조사장치 및 방법을 제공함에 있다.상기 목적달성을 위한 본 발명은 피조사체인 필름(13)에 상단부 이온원(17)으로부터 빔이 조사되는 이온빔 조사방법에 있어서,상기 피조사체인 필름(13) 양측면에 상·하단 이온원(17,18)을 구비시켜 상·하단 양면에서 이온빔을 조사하되,상기 이온원(17,18) 전극의 전극원판(8)에 복수개의 전극구멍(10,11)을 형성시키고, 상기 전극구멍을 통해 인출된 빔 전류분포를 각각의 유사-가우시안 분포를 중첩시키는 단계를 포함함으로서 균일한 이온빔 분포 특성을 갖는 것을 요지로 한다.이온주입, 이온빔 조사장치, 진공챔버, 캐소드, 애노드
Int. CL H01J 37/30 (2006.01)
CPC H01J 37/3171(2013.01) H01J 37/3171(2013.01)
출원번호/일자 1020020081207 (2002.12.18)
출원인 한국원자력연구원, 주식회사 에이아이티신소재
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2004-0054882 (2004.06.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.12.18)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 에이아이티신소재 대한민국 대전광역시 동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재형 대한민국 대전광역시서구
2 송의기 대한민국 충청남도연기군
3 한장민 대한민국 대전광역시유성구
4 이재상 대한민국 대전광역시서구
5 길재근 대한민국 대전광역시서구
6 김보영 대한민국 대전광역시대덕구
7 양대정 대한민국 충청북도진천군
8 이찬영 대한민국 부산광역시동래구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최영규 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, B동 ***호 새천년 국제특허법률사무소 (가산동, 우림 라이온스밸리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2002-0420293-51
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document
2002.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2002-5299020-36
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0043720-91
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0448874-38
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2005.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0154993-35
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2007-5073714-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2007-5085193-38
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117707-02
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117973-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
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번호 청구항
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피조사체인 필름(13)에 상단부 이온원(17)으로부터 빔이 조사되는 이온빔 조사방법에 있어서,

상기 피조사체인 필름(13) 양측면에 상·하단 이온원(17,18)을 구비시켜 상·하단 양면에서 이온빔을 조사하되,

중첩원리를 이온원 전극에 적용시키기 위해 상기 이온원(17,18) 전극의 전극원판(8)에 복수개의 전극구멍(10,11)을 형성시키고, 상기 전극구멍을 통해 인출된 빔 전류분포를 각각의 유사-가우시안 분포를 중첩시키는 단계를 포함함으로서 균일한 이온빔 분포 특성을 갖는 양면 이온빔 조사방법


2 2

캐소드(1), 중간전극(2), 애노드(3), 반사전극(4), 인출전극(5), 필라멘트(6)로 구성되는 이온원에 있어서,

상기 중첩원리가 적용된 이온원은 애노드(3), 반사전극(4), 인출전극(5) 부분의 전극원판(8)에 복수 개의 전극 구멍(10,11)이 형성된 것을 특징으로 하는 양면 이온빔 조사장치


3 3

제 3 항에 있어서,

상기 중첩원리가 적용된 이온원(17,18)은 전극 전극 구멍 직경이 애노드(3)는 6mm, 반사전극(4)은 8mm, 인출전극(5)은 8mm로 두개의 전극구멍이 형성되고, 상기 전극 구멍 중심 사이의 거리가 16mm인 것을 특징으로 하는 양면 이온빔 조사장치


4 4

제 3 항에 있어서,

상기 중첩원리가 적용된 이온원(17,18)은 전극 구멍 직경이 애노드(3)는 8mm, 반사전극(4)은 12mm, 인출전극(5)은 12mm이고, 상기 전극 구멍 중심 사이의 거리가 16mm인 것을 특징으로 하는 양면 이온빔 조사장치











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