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탄소나노튜브(4a)의 바깥면에 중성자와 핵반응을 일으키고 전자를 방출하는 중성자전환층이 형성되되,상기 중성자전환층은 안쪽의 중성자반응층(4b)과, 바깥쪽의 전자방출층(4c)으로 구성되고,상기 중성자반응층(4b)은 붕소(B), 붕소화합물, 리튬(Li), 리튬화합물, 질소(N)화합물, 입사하는 중성자와 (n, α) 혹은 (n, p) 핵반응을 일으킬 수 있는 물질로 이루어진 군중에서 선택된 어느 하나로 형성된 것과, 우라늄(U), 우라늄화합물, 플루토늄, 플루토늄화합물, 입사하는 중성자와 핵분열반응을 일으키는 물질로 이루어진 군중에서 선택된 어느 하나로 형성된 것 중에서 선택된 하나로 이루어지고,상기 전자방출층(4c)은 요오드화 세슘(CsI), 브롬화 세슘(CsBr), 염화 칼륨(KCl), 요오드화 칼륨(KI), 산화 마그네슘(MgO)으로 이루어진 군중에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 중성자나노튜브
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중성자 검출장치에 있어서,기판(2)의 하면에 성장된 다수의 탄소나노튜브(4a)의 바깥면에 중성자와 핵반응을 일으키고 전자를 방출하도록, 안쪽에 붕소(B), 붕소화합물, 리튬(Li), 리튬화합물, 질소(N)화합물, 입사하는 중성자와 (n, α) 혹은 (n, p) 핵반응을 일으킬 수 있는 물질로 이루어진 군중에서 선택된 어느 하나로 형성되거나 우라늄(U), 우라늄화합물, 플루토늄, 플루토늄화합물, 입사하는 중성자와 핵분열반응을 일으키는 물질로 이루어진 군중에서 선택된 어느 하나로 형성된 중성자반응층(4b)과, 바깥쪽의 전자방출층(4c)으로 구성된 중성자전환층이 형성된 중성자나노튜브와; 상기 기판(2)의 상면에 탄소나노튜브의 길이 방향으로 표류전장이 걸리도록 형성된 표류전극(3)과;상기 표류전극에 전압을 인가하는 전압인가수단(10)과;상기 중성자나노튜브의 출력단(탄소나노튜브의 선단)과 이격 설치되어 중성자나노튜브의 출력단에서 방출된 전자신호를 수집하는 전자수집 전극(7)과;상기 전자수집 전극 하부에 부가설치되어 수집된 신호를 처리하는 신호처리회로기판(8)으로 결합구성되고,상기 결합구성된 장치의 둘레를 감싸도록 설치된 중성자감속재(9)를 포함되어 구성한 것을 특징으로 하는 중성자나노튜브를 이용한 중성자 검출장치
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제 7항에 있어서,상기 중성자나노튜브의 출력단(탄소나노튜브의 선단)과 전자수집 전극(7) 사이에 이격 설치되어 방출된 전자를 증폭하기 위한 마이크로챈널 플레이트(6)를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 중성자나노튜브를 이용한 중성자 검출장치
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제 7항에 있어서,속중성자를 열중성자로 변환시키기 위한 상기 중성자감속재(9)는 파라핀, 폴리에틸렌, H2O, ZrH2 등의 수소 함유물질, 흑연(C)으로 이루어진 군중에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 중성자나노튜브를 이용한 중성자 검출장치
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제 7항에 있어서,속중성자를 열중성자로 변환시키기 위한 상기 중성자감속재(9)는 파라핀, 폴리에틸렌, H2O, ZrH2 등의 수소 함유물질, 흑연(C)으로 이루어진 군중에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 중성자나노튜브를 이용한 중성자 검출장치
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