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레이저 유도 초음파 검사 시스템에서 향상된 SNR의 신호획득을 위한 광 검출 회로 및 방법

  • 기술번호 : KST2015147212
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 레이저 유도 초음파 검사 시스템에서 향상된 SNR의 신호 획득을 위한 광 검출 회로 및 방법에 관한 것으로서, 상기 광 검출 회로에서는, 환형 변압기에서 출력되는 110V 교류 신호를 고전압 전원회로에서 정류하고 저전압용 정전압 IC를 이용하여 안정화된 200V 정도의 DC 전압을 생성하여 APD에 인가해 준다. 이에 따라, 상기 APD가 레이저를 감지하여 전기적 신호로 변환시킨 신호를 증폭 회로가 증폭하여 출력한다. 상기 증폭 회로는 두개의 고속 증폭기들을 이용하여 음의 증폭 신호(NEGAO) 또는 양의 증폭 신호(POSIO)를 출력할 수 있다. 물체의 결함 측정을 위하여 두개의 APD들을 구동하고 APD들의 각 출력 차이를 획득하기 위하여, 추가 회로 없이 각각의 음의 증폭 신호들(NEGAO1, NEGAO2) 또는 양의 증폭 신호들(POSIO1, POSIO2)의 배선 조합 만으로 간단히 저잡음 결함 정보를 얻을 수 있다.레이저 유도 초음파 검사 시스템, APD, 전원 회로, 고속 앰프
Int. CL G01J 1/44 (2006.01)
CPC G01J 1/44(2013.01) G01J 1/44(2013.01) G01J 1/44(2013.01) G01J 1/44(2013.01) G01J 1/44(2013.01)
출원번호/일자 1020050109925 (2005.11.17)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-0662084-0000 (2006.12.20)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20061228) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.11.17)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김민석 대한민국 대전광역시 유성구
2 백성훈 대한민국 대전광역시 유성구
3 임창환 대한민국 대전광역시 유성구
4 차형기 대한민국 대전광역시 유성구
5 김철중 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태영 대한민국 경기도 하남시 미사강변한강로 *** (망월동, 미사강변 SK V* center) *동 지식산업센터 ***호(태영상표법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구소 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2005-0660579-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.09.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.10.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0066457-39
4 등록결정서
Decision to grant
2006.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0656661-68
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2007-5073714-01
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2007-5085193-38
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117707-02
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117973-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
환형 변압기;상기 환형 변압기에서 출력되는 일정 교류 신호를 정류하고 정전압 회로를 이용하여 일정 DC 전압을 생성하는 고전압 전원회로;상기 고전압 전원회로에 의하여 생성된 상기 일정 DC 전압으로 바이어스되고, 입사되는 빛을 감지하여 광전 변환하는 광소자; 및상기 광소자 출력을 증폭하는 증폭 회로를 포함하고,상기 광소자는 애벌런치형 포토다이오드인 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 광 검출 회로
2 2
제1항에 있어서, 상기 고전압 전원회로는,상기 환형 변압기에서 출력되는 일정 교류 신호를 양파 배합 정류 방식으로 정류하는 정류 회로;상기 정류 회로의 출력을 받고 일정 정전압을 출력하는 정전압 IC; 및상기 정전압 IC의 출력 단자에 연결되어 상기 일정 DC 전압을 출력하는 출력회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 광 검출 회로
3 3
제2항에 있어서, 상기 정류 회로는,상기 일정 교류 신호의 일단자에 한 전극이 연결된 제1 다이오드;상기 일정 교류 신호의 일단자와 접지 사이에 연결된 제2 다이오드;상기 제1 다이오드의 다른 전극과 상기 정전압 IC 사이에 연결된 저항;상기 제1 다이오드와 상기 저항이 연결된 접점과 상기 일정 교류 신호의 다른 단자 사이에 연결된 제1 커패시터;상기 일정 교류 신호의 다른 단자와 상기 접지 사이에 연결된 제2 커패시터;상기 저항과 상기 정전압 IC가 연결된 접점과 상기 접지 사이에 연결된 제너 다이오드; 및상기 제너 다이오드와 병렬 연결된 제3 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 광 검출 회로
4 4
제2항에 있어서, 상기 출력회로는,상기 정전압 IC의 조정 단자와 접지 사이에 연결된 적어도 하나의 저항;상기 정전압 IC의 출력 단자와 상기 조정 단자 사이에 연결된 제2 저항; 및상기 정전압 IC의 출력 단자와 상기 접지 사이에 연결된 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 광 검출 회로
5 5
제4항에 있어서, 상기 적어도 하나의 저항은 가변 저항을 포함하고,상기 가변 저항의 조정에 의하여 상기 정전압 IC에서 출력되는 상기 일정 DC 전압의 레벨이 가변되는 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 광 검출 회로
6 6
제1항에 있어서, 상기 환형 변압기에서 출력되는 다른 교류 신호를 정류하여 생성한 DC 전원을 상기 증폭 회로에 공급하는 저전압 전원회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 광 검출 회로
7 7
제1 애벌런치 광소자;환형 변압기에서 출력되는 일정 교류 신호를 정류하고 정전압 회로를 이용하여 일정 DC 전압을 생성하여 상기 제1 애벌런치 광소자에 인가하며, 상기 제1 애벌런치 광소자에서 광전 변환된 신호를 증폭하는 제1 광 검출 회로;제2 애벌런치 광소자; 및다른 환형 변압기에서 출력되는 일정 교류 신호를 정류하고 정전압 회로를 이용하여 일정 DC 전압을 생성하여 상기 제2 애벌런치 광소자에 인가하며, 상기 제2 애벌런치 광소자에서 광전 변환된 신호를 증폭하는 제2 광 검출 회로를 포함하고, 상기 제1 광 검출 회로 출력 및 상기 제2 광 검출 회로 출력의 차이로부터 측정 물체의 결함 정보를 생성하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 회로
8 8
제7항에 있어서, 상기 제1 광 검출 회로는 상기 제1 애벌런치 광소자에서 광전 변환된 신호를 증폭하는 제1 증폭기를 포함하고,상기 제2 광 검출 회로는 상기 제2 애벌런치 광소자에서 광전 변환된 신호를 증폭하는 제2 증폭기를 포함하며,상기 제1 광 검출 회로와 상기 제2 광 검출 회로를 공통 접지하고,상기 제1 증폭기 출력과 상기 제2 증폭기 출력의 차이로부터 상기 결함 정보를 생성하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 회로
9 9
제7항에 있어서, 상기 제1 광 검출 회로는 상기 제1 애벌런치 광소자에서 광전 변환된 신호를 2단 증폭하는 각 단의 제1 증폭기 및 제2 증폭기를 포함하고,상기 제2 광 검출 회로는 상기 제2 애벌런치 광소자에서 광전 변환된 신호를 2단 증폭하는 각 단의 제3 증폭기 및 제4 증폭기를 포함하며,상기 제1 광 검출 회로와 상기 제2 광 검출 회로를 공통 접지하고,상기 제2 증폭기 출력과 상기 제4 증폭기 출력의 차이로부터 상기 결함 정보를 생성하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 회로
10 10
제7항에 있어서, 상기 제1 광 검출 회로는 상기 제1 애벌런치 광소자에서 광전 변환된 신호를 2단 증폭하는 각 단의 제1 증폭기 및 제2 증폭기를 포함하고,상기 제2 광 검출 회로는 상기 제2 애벌런치 광소자에서 광전 변환된 신호를 2단 증폭하는 각 단의 제3 증폭기 및 제4 증폭기를 포함하며,상기 제1 증폭기 출력과 상기 제3 증폭기 출력은 서로 연결하고,상기 제2 증폭기 출력과 상기 제4 증폭기 출력의 차이로부터 상기 결함 정보를 생성하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 회로
11 11
제7항에 있어서, 상기 제1 광 검출 회로는 상기 제1 애벌런치 광소자에서 광전 변환된 신호를 2단 증폭하는 각 단의 제1 증폭기 및 제2 증폭기를 포함하고,상기 제2 광 검출 회로는 상기 제2 애벌런치 광소자에서 광전 변환된 신호를 2단 증폭하는 각 단의 제3 증폭기 및 제4 증폭기를 포함하며,상기 제2 증폭기 출력과 상기 제4 증폭기 출력은 서로 연결하고,상기 제1 증폭기 출력과 상기 제3 증폭기 출력의 차이로부터 상기 결함 정보를 생성하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 회로
12 12
제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 증폭기 및 제 4 증폭기 모두에서 양의 입력 단자에 인가되는 전압을 반고정 가변 저항으로 조정하여 제로점 조정하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 회로
13 13
제1 광소자를 구동하는 제1 광 검출 회로 및 제2 광소자를 구동하는 제2 광 검출 회로를 이용하여 비접촉식으로 물체 결함을 측정하는 방법에 있어서,상기 제1 광 검출 회로에서 환형 변압기로부터 출력되는 일정 교류 신호를 정류하고 정전압 회로를 이용하여 일정 DC 전압을 생성하여 상기 제1 광소자에 인가하는 단계;상기 제1 광 검출 회로에서 상기 제1 광소자로부터 광전 변환된 신호를 제1 증폭하는 단계;상기 제2광 검출 회로에서 다른 환형 변압기에서 출력되는 일정 교류 신호를 정류하고 정전압 회로를 이용하여 일정 DC 전압을 생성하여 상기 제2 광소자에 인가하는 단계; 상기 제2광 검출 회로에서 상기 제2 광소자로부터 광전 변환된 신호를 제2 증폭하는 단계; 및 상기 제1 증폭된 신호와 상기 제2 증폭된 신호의 차이로부터 측정 물체의 결함 정보를 생성하는 단계를 포함하고,상기 광소자들은 애벌런치형 포토다이오드인 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정 방법
14 14
제 13항의 방법을 실행하기 위한 프로그램이 기록되어 있는 것을 특징으로 하는 컴퓨터에서 판독 가능한 기록매체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.