1 |
1
환형 변압기;상기 환형 변압기에서 출력되는 일정 교류 신호를 정류하고 정전압 회로를 이용하여 일정 DC 전압을 생성하는 고전압 전원회로;상기 고전압 전원회로에 의하여 생성된 상기 일정 DC 전압으로 바이어스되고, 입사되는 빛을 감지하여 광전 변환하는 광소자; 및상기 광소자 출력을 증폭하는 증폭 회로를 포함하고,상기 광소자는 애벌런치형 포토다이오드인 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 광 검출 회로
|
2 |
2
제1항에 있어서, 상기 고전압 전원회로는,상기 환형 변압기에서 출력되는 일정 교류 신호를 양파 배합 정류 방식으로 정류하는 정류 회로;상기 정류 회로의 출력을 받고 일정 정전압을 출력하는 정전압 IC; 및상기 정전압 IC의 출력 단자에 연결되어 상기 일정 DC 전압을 출력하는 출력회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 광 검출 회로
|
3 |
3
제2항에 있어서, 상기 정류 회로는,상기 일정 교류 신호의 일단자에 한 전극이 연결된 제1 다이오드;상기 일정 교류 신호의 일단자와 접지 사이에 연결된 제2 다이오드;상기 제1 다이오드의 다른 전극과 상기 정전압 IC 사이에 연결된 저항;상기 제1 다이오드와 상기 저항이 연결된 접점과 상기 일정 교류 신호의 다른 단자 사이에 연결된 제1 커패시터;상기 일정 교류 신호의 다른 단자와 상기 접지 사이에 연결된 제2 커패시터;상기 저항과 상기 정전압 IC가 연결된 접점과 상기 접지 사이에 연결된 제너 다이오드; 및상기 제너 다이오드와 병렬 연결된 제3 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 광 검출 회로
|
4 |
4
제2항에 있어서, 상기 출력회로는,상기 정전압 IC의 조정 단자와 접지 사이에 연결된 적어도 하나의 저항;상기 정전압 IC의 출력 단자와 상기 조정 단자 사이에 연결된 제2 저항; 및상기 정전압 IC의 출력 단자와 상기 접지 사이에 연결된 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 광 검출 회로
|
5 |
5
제4항에 있어서, 상기 적어도 하나의 저항은 가변 저항을 포함하고,상기 가변 저항의 조정에 의하여 상기 정전압 IC에서 출력되는 상기 일정 DC 전압의 레벨이 가변되는 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 광 검출 회로
|
6 |
6
제1항에 있어서, 상기 환형 변압기에서 출력되는 다른 교류 신호를 정류하여 생성한 DC 전원을 상기 증폭 회로에 공급하는 저전압 전원회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 광 검출 회로
|
7 |
7
제1 애벌런치 광소자;환형 변압기에서 출력되는 일정 교류 신호를 정류하고 정전압 회로를 이용하여 일정 DC 전압을 생성하여 상기 제1 애벌런치 광소자에 인가하며, 상기 제1 애벌런치 광소자에서 광전 변환된 신호를 증폭하는 제1 광 검출 회로;제2 애벌런치 광소자; 및다른 환형 변압기에서 출력되는 일정 교류 신호를 정류하고 정전압 회로를 이용하여 일정 DC 전압을 생성하여 상기 제2 애벌런치 광소자에 인가하며, 상기 제2 애벌런치 광소자에서 광전 변환된 신호를 증폭하는 제2 광 검출 회로를 포함하고, 상기 제1 광 검출 회로 출력 및 상기 제2 광 검출 회로 출력의 차이로부터 측정 물체의 결함 정보를 생성하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 회로
|
8 |
8
제7항에 있어서, 상기 제1 광 검출 회로는 상기 제1 애벌런치 광소자에서 광전 변환된 신호를 증폭하는 제1 증폭기를 포함하고,상기 제2 광 검출 회로는 상기 제2 애벌런치 광소자에서 광전 변환된 신호를 증폭하는 제2 증폭기를 포함하며,상기 제1 광 검출 회로와 상기 제2 광 검출 회로를 공통 접지하고,상기 제1 증폭기 출력과 상기 제2 증폭기 출력의 차이로부터 상기 결함 정보를 생성하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 회로
|
9 |
9
제7항에 있어서, 상기 제1 광 검출 회로는 상기 제1 애벌런치 광소자에서 광전 변환된 신호를 2단 증폭하는 각 단의 제1 증폭기 및 제2 증폭기를 포함하고,상기 제2 광 검출 회로는 상기 제2 애벌런치 광소자에서 광전 변환된 신호를 2단 증폭하는 각 단의 제3 증폭기 및 제4 증폭기를 포함하며,상기 제1 광 검출 회로와 상기 제2 광 검출 회로를 공통 접지하고,상기 제2 증폭기 출력과 상기 제4 증폭기 출력의 차이로부터 상기 결함 정보를 생성하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 회로
|
10 |
10
제7항에 있어서, 상기 제1 광 검출 회로는 상기 제1 애벌런치 광소자에서 광전 변환된 신호를 2단 증폭하는 각 단의 제1 증폭기 및 제2 증폭기를 포함하고,상기 제2 광 검출 회로는 상기 제2 애벌런치 광소자에서 광전 변환된 신호를 2단 증폭하는 각 단의 제3 증폭기 및 제4 증폭기를 포함하며,상기 제1 증폭기 출력과 상기 제3 증폭기 출력은 서로 연결하고,상기 제2 증폭기 출력과 상기 제4 증폭기 출력의 차이로부터 상기 결함 정보를 생성하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 회로
|
11 |
11
제7항에 있어서, 상기 제1 광 검출 회로는 상기 제1 애벌런치 광소자에서 광전 변환된 신호를 2단 증폭하는 각 단의 제1 증폭기 및 제2 증폭기를 포함하고,상기 제2 광 검출 회로는 상기 제2 애벌런치 광소자에서 광전 변환된 신호를 2단 증폭하는 각 단의 제3 증폭기 및 제4 증폭기를 포함하며,상기 제2 증폭기 출력과 상기 제4 증폭기 출력은 서로 연결하고,상기 제1 증폭기 출력과 상기 제3 증폭기 출력의 차이로부터 상기 결함 정보를 생성하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 회로
|
12 |
12
제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 증폭기 및 제 4 증폭기 모두에서 양의 입력 단자에 인가되는 전압을 반고정 가변 저항으로 조정하여 제로점 조정하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정을 위한 회로
|
13 |
13
제1 광소자를 구동하는 제1 광 검출 회로 및 제2 광소자를 구동하는 제2 광 검출 회로를 이용하여 비접촉식으로 물체 결함을 측정하는 방법에 있어서,상기 제1 광 검출 회로에서 환형 변압기로부터 출력되는 일정 교류 신호를 정류하고 정전압 회로를 이용하여 일정 DC 전압을 생성하여 상기 제1 광소자에 인가하는 단계;상기 제1 광 검출 회로에서 상기 제1 광소자로부터 광전 변환된 신호를 제1 증폭하는 단계;상기 제2광 검출 회로에서 다른 환형 변압기에서 출력되는 일정 교류 신호를 정류하고 정전압 회로를 이용하여 일정 DC 전압을 생성하여 상기 제2 광소자에 인가하는 단계; 상기 제2광 검출 회로에서 상기 제2 광소자로부터 광전 변환된 신호를 제2 증폭하는 단계; 및 상기 제1 증폭된 신호와 상기 제2 증폭된 신호의 차이로부터 측정 물체의 결함 정보를 생성하는 단계를 포함하고,상기 광소자들은 애벌런치형 포토다이오드인 것을 특징으로 하는 비접촉식 물체 결함 측정 방법
|
14 |
14
제 13항의 방법을 실행하기 위한 프로그램이 기록되어 있는 것을 특징으로 하는 컴퓨터에서 판독 가능한 기록매체
|