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고속 중성자 선량을 측정하는 제1 센서부;
저속 및 고속 중성자 선량을 측정하는 제2 센서부;
상기 제2 센서부를 둘러싸고 있으며, 저속 중성자와 반응하여 상기 제2 센서부에 전기적 신호를 야기하는 이온을 발생시키는 중성자 전환부; 및
상기 제2 센서부에서 얻어진 저속 및 고속 중성자 신호와 상기 제1 센서부에서 얻어진 고속 중성자 신호의 차이에 의해 저속 중성자 신호를 추출하는 저속 중성자 추출부;
를 포함하고,
상기 제1 센서부 및 상기 제2 센서부는 반도체를 구비하며, 상기 제1 센서부 및 제2 센서부로부터 에너지 영역별 중성자 선량이 동시에 측정되는 것을 특징으로 하는 저속 및 고속 중성자 측정 센서장치
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2
제 1 항에 있어서,
상기 중성자 전환부는 중성자 전환물질로 이루어진 막인 것을 특징으로 하는 저속 및 고속 중성자 측정 센서장치
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3
제 2 항에 있어서,
상기 중성자 전환물질은 붕소(B), 리튬(Li) 또는 가돌로늄(Gd) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 저속 및 고속 중성자 측정 센서장치
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4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 센서부 및 상기 제2 센서부는 탄화 또는 질화물 계열의 광대역 반도체 중 적어도 어느 하나로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 저속 및 고속 중성자 측정 센서장치
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삭제
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중성자의 선량을 측정하는 중성자 측정 시스템에 있어서,
저속 및 고속 중성자 측정 센서장치;
상기 센서장치로부터 측정된 중성자 신호를 처리하는 신호 처리 장치; 및
상기 신호 처리 장치를 통과한 중성자 신호를 바탕으로 측정된 중성자를 개수화하여 표시하는 표시장치;
를 포함하고,
상기 저속 및 고속 중성자 측정 센서장치는,
고속 중성자 선량을 측정하는 제1 센서부;
저속 및 고속 중성자 선량을 측정하는 제2 센서부;
상기 제2 센서부를 둘러싸고 있으며, 상기 저속 중성자와 반응하여 상기 제2 센서부에 전기적 신호를 야기하는 이온을 발생시키는 중성자 전환부; 및
상기 제2 센서부에서 얻어진 저속 및 고속 중성자 신호와 상기 제1 센서부에서 얻어진 고속 중성자 신호의 차이에 의해 저속 중성자 신호를 추출하는 저속 중성자 추출부;
를 포함하며,
상기 제1 센서부 및 상기 제2 센서부는 반도체를 구비하며, 상기 제1 센서부 및 제2 센서부로부터 에너지 영역별 중성자 선량이 동시에 측정되는 것을 특징으로 하는 저속 및 고속 중성자 측정 시스템
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7
제 6 항에 있어서,
상기 중성자 전환부는 중성자 전환물질로 이루어진 막이며, 상기 중성자 전환물질은 붕소 또는 리튬 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 저속 및 고속 중성자 측정 시스템
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8
제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
상기 제1 센서부 및 상기 제2 센서부는 탄화 또는 질화물 계열의 광대역 반도체 중 적어도 어느 하나로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 저속 및 고속 중성자 측정 시스템
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9
제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
상기 신호 처리부는 상기 제1 및 제2 센서부로부터의 중성자 신호를 증폭하는 소신호 증폭기를 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 저속 및 고속 중성자 측정 시스템
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10
제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
보조전원장치를 더 포함하고,
상기 보조전원장치는 상기 제1 및 제2 센서부에 연결되어 상기 제1 및 제2 센서부에서 중성자 선량의 측정이 용이하도록 하는 추가 전원을 공급하는 것을 특징으로 하는 저속 및 고속 중성자 측정 시스템
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11
중성자 선량을 측정하는 중성자 측정 방법에 있어서,
제1 센서부에서 고속 중성자를 측정하여 고속 중성자 신호를 추출하고, 동시에 제2 센서부에서 저속 및 고속 중성자를 측정하여 저속 및 고속 중성자 신호를 추출하는 단계;
상기 측정된 저속 및 고속 중성자 신호와 상기 측정된 고속 중성자신호의 차이를 바탕으로 저속 중성자 신호를 추출하는 단계;
상기 고속 중성자 신호 및 상기 저속 중성자 신호를 증폭하는 단계; 및
상기 증폭된 고속 중성자 신호 및 저속 중성자 신호를 개수화하여 표시하는 단계;
를 포함하고,
상기 제1 센서부 및 상기 제2 센서부는 탄화 또는 질화물 계열의 광대역 반도체 중 적어도 어느 하나로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 저속 및 고속 중성자 측정 방법
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제 11 항에 있어서,
상기 고속 중성자 측정은 상기 고속 중성자가 상기 반도체와 반응하여 전기 신호를 발생시킴으로써 이루어지고,
상기 저속 중성자 측정은 상기 저속 중성자가 상기 제2 센서부 둘레에 형성된 중성자 전환물질과 반응하여 이온을 발생시키고, 상기 이온이 상기 반도체와 반응하여 전기 신호를 발생시킴으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 저속 및 고속 중성자 측정 방법
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