맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

수소이온 전도성막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015147376
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수소이온전도성막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 수소이온전도성막에 관한 것으로, 본 발명의 수소이온전도성막의 제조방법은 그라프트율의 조절이 용이하며, 술폰화도가 높고 수소이온전도도가 높을 뿐만 아니라 방사선에 의한 단량체의 호모폴리머의 형성이 없어 대규모로 방사선 조사가 가능하다.
Int. CL C08F 14/06 (2006.01) C08J 3/28 (2006.01) C08J 7/18 (2006.01) C08J 5/22 (2006.01)
CPC C08J 7/18(2013.01) C08J 7/18(2013.01) C08J 7/18(2013.01) C08J 7/18(2013.01) C08J 7/18(2013.01) C08J 7/18(2013.01) C08J 7/18(2013.01)
출원번호/일자 1020120133798 (2012.11.23)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-1446955-0000 (2014.09.26)
공개번호/일자 10-2014-0066503 (2014.06.02) 문서열기
공고번호/일자 (20141006) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.23)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신준화 대한민국 광주광역시 광산구
2 손준용 대한민국 전라북도 정읍시 금구
3 이선영 대한민국 전라북도 정읍시 금구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0969387-65
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.06.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.07.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0053964-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0197282-44
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0475612-15
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0475618-99
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0636877-20
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a)테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌(FEP, 이하 FEP), 페르플루오로알킬비닐에테르(PFA), 에틸렌테트라플루오로에틸렌(ETFE), 폴리비닐리덴플루오라이드(PVDF) 및 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리술폰(PSU), 폴리에테르술폰(PES), 폴리이미드(PI) 또는 폴리벤질이미다졸(PBI)을 포함하는 고분자 필름에 방사선을 조사하여 방사선 조사된 고분자막을 제조하는 단계; b)염화비닐벤질 단량체 또는 염화비닐벤질 단량체 용액을 제조하되, 상기 염화비닐벤질 단량체 용액에 대하여 아크릴아마이드가 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 방사선은 전자선, 이온빔 또는 감마선인 수소이온전도성막의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 방사선은 총조사선량이 1 ~ 300 kGy인 수소이온전도성막의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서, 상기 염화비닐벤질 단량체 용액은 용매에 대해 염화비닐벤질 단량체가 20 ~ 90 부피%로 포함된 것인 수소이온전도성막의 제조방법
6 6
삭제
7 7
제 5항에 있어서, 상기 용매는 메탄올, 사염화탄소, 클로로포름, 테트라하이드로퓨란), 디클로로메탄, 1,2-디클로로에탄, 톨루엔, 1,4-다이옥신, 헥산, 헵탄 및 이소프로판올에서 선택되는 어느 하나이상인 수소이온전도성막의 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 c)단계의 반응은 50 ~ 70 ℃에서 1 ~ 48시간동안 수행되는 수소이온전도성막의 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 c)단계 후 폴리염화비닐벤질이 그라프트된 고분자막을 건조하는 단계를 더 포함하는 수소이온전도성막의 제조방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 d)단계의 술폰화 반응은,1)상기 c)단계의 폴리염화비닐벤질이 그라프트된 고분자막을 티오우레아 용액과 반응시켜 티오우로늄 염을 도입시키는 단계; 2)상기 티오우로늄 염이 도입된 고분자막을 염기성용액에 첨가하여 가수분해시켜 티올기를 포함하는고분자막을 제조하는 단계; 및 3)상기 티올기를 포함하는 고분자막을 산화시키는 단계;를 포함하는 수소이온전도성막의 제조 방법
11 11
제1항 내지 제3항, 제5항 및 제 7항 내지 제10항의 어느 한 항에 따라 제조되는 수소이온전도성막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.