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이온 주입에 의한 투명 고분자 막의 표면 내구성 향상 및광 투과도 조절 방법

  • 기술번호 : KST2015147407
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이온을 주입하여 고분자 막의 표면 경도를 향상시키고 광 투과도를 조절하는 방법에 관한 것으로서, 구체적으로 100keV 이하의 저에너지 이온을 고분자 막 표면에 주입하여 고분자 막의 표면 경도를 향상시키고 광 투과도를 조절하는 방법에 관한 것이며, 본 발명에 의한 방법은 고분자 막 제품의 내구성을 향상시키기 위한 종래 화학적인 방법을 대체할 수 있을 뿐만 아니라 이온에너지, 이온 종류 및 이온의 주입량을 조절하여 투명 고분자 막의 자외선 차단 및 채색을 조절할 수 있으므로 다양한 산업 분야에 적용될 수 있어 높은 부가가치를 창출할 수 있다.
Int. CL H01J 37/317 (2006.01.01) H01J 37/317 (2006.01.01)
CPC H01J 37/3171(2013.01)
출원번호/일자 1020000010792 (2000.03.03)
출원인 한국원자력연구원, 한국전력공사
등록번호/일자 10-0350227-0000 (2002.08.13)
공개번호/일자 10-2001-0086865 (2001.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20020827) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.03.03)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국전력공사 대한민국 전라남도 나주시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재원 대한민국 대전광역시 유성구
2 이재형 대한민국 대전광역시서구
3 최병호 대한민국 서울특별시서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 렉스테크놀러지 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2000-0040792-40
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2000-0045759-52
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2001.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2001-0141382-18
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0022464-84
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.02.08 수리 (Accepted) 9-1-2002-0035493-19
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.03.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0095280-22
8 의견서
Written Opinion		 2002.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2002-0095281-78
9 등록결정서
Decision to grant		 2002.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0258057-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2007-5073714-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2007-5085193-38
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117973-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117707-02
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2007-5156605-02
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5153448-46
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2019-5136129-26
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5136893-80
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2020-5072225-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

투명한 고분자 막 표면에 50 keV 이하인 저에너지 이온을 이온량 1 × 1015 ∼ 1 × 1016 이온수/㎠으로 주입하여 가시광선을 투과하면서 자외선을 차단하는, 고분자 막의 광 투과도 조절 방법

2 2

제1항에 있어서, 투명한 고분자는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (polyethylene terephtanalte, PET), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에테르 설폰(polyether sulfone) 인 것을 특징으로 하는 고분자 막의 광 투과도 조절 방법

3 3

제1항에 있어서, 이온은 H, C, N, O, S, Cl, He, Ar 및 Xe로부터 선택되는 원자의 이온 또는 상기 원자들의 혼합 이온인 것을 특징으로 하는 고분자 막의 광 투과도 조절 방법

4 4

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