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금속기판 상에 절연층, 알루미늄층 및 구리층이 차례로 형성되고, 상기 절연층과 알루미늄층 사이에 이온빔 믹싱층이 형성되어 있는 금속인쇄배선 회로기판
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제 1항에 있어서, 상기 금속기판은 알루미늄 기판인 것을 특징으로 하는 금속인쇄배선 회로기판
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제 1항에 있어서, 상기 절연층은 알루미늄 기판을 아노다이징(anodizing)법으로 산화시킨 알루미늄 산화층인 것을 특징으로 하는 금속인쇄배선 회로기판
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제 1항에 있어서, 상기 절연층의 두께는 30 ~ 60 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 금속인쇄배선 회로기판
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제 1항에 있어서, 상기 알루미늄층의 두께는 500 ~ 1000 Å 인 것을 특징으로 하는 금속인쇄배선 회로기판
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6
제 1항에 있어서, 상기 구리층의 두께는 15 ~ 60 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 금속인쇄배선 회로기판
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금속 기판의 표면을 산화시켜 절연층을 형성시키는 단계(단계 1);상기 단계 1의 절연층 표면을 이온빔으로 표면처리 하는 단계(단계 2);상기 단계 2의 표면처리된 절연층에 알루미늄층을 형성시키는 단계(단계 3);상기 단계 3에서 절연층에 형성된 알루미늄층에 이온빔 믹싱법을 사용하여 절연층과 알루미늄층 간의 계면을 혼합시키는 단계(단계 4); 및상기 단계 4의 알루미늄층에 구리층을 형성시키는 단계(단계 5);를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속인쇄배선 회로기판의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 단계 1의 금속기판은 알루미늄 기판인 것을 특징으로 하는 금속인쇄배선 회로기판의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 단계 1의 금속 기판 표면을 아노다이징 방법으로 산화시켜 절연층을 만드는 것을 특징으로 하는 금속인쇄배선 회로기판의 제조방법
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10
제 7항에 있어서, 상기 단계 1의 절연층의 두께가 30 ~ 60 ㎛인 것을 특징으로 하는 금속인쇄배선 회로기판의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 단계 2의 절연층의 표면처리를 위한 이온빔은 헬륨, 질소, 아르곤, 크립톤 및 크세논 이온빔인 것을 특징으로 하는 금속인쇄배선 회로기판의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 단계 2의 절연층의 표면처리를 위한 이온빔은 5 ~ 10 keV의 세기로 조사되는 것을 특징으로 하는 금속인쇄배선 회로기판의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 단계 3의 알루미늄층의 두께는 500 ~ 1000 Å 인 것을 특징으로 하는 금속인쇄배선 회로기판의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 단계 4의 이온빔 믹싱법은 질소이온빔이 50 ~ 100 keV의 세기로 총 1×1016 ~ 5×1017 ion/㎠ 로 주입되는 것을 특징으로 하는 금속인쇄배선 회로기판의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 단계 5의 구리층의 두께가 15 ~ 60 ㎛ 인 것을 특징으로하는 금속인쇄배선 회로기판의 제조방법
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