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단결정 금속 박막의 제조 방법에 관한 것으로,기판에서 유기물 및 산화막을 제거하기 위한 세정 단계;상기 세정된 기판에 단결정 금속 박막을 형성하기 위한 대상금속의 씨앗층을 형성하는 단계; 및상기 씨앗층이 형성된 기판 상에 전해도금을 이용하여 단결정 금속 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 하는 단결정 금속박막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 (100) 단결정 실리콘 웨이퍼이고,상기 세정 단계는 RCA 용액을 이용하여 산화막을 제거하는 것을 특징으로 하는 단결정 금속박막 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 씨앗층을 형성하는 단계는,상기 세정이 완료된 기판 표면에 희석 불산을 이용하여 산화막을 제거하는 단계;이온제거수로 잔류물을 제거하는 단계; 및물리기상증착을 이용하여 씨앗층을 형성하는 단계;를 포함하는 단결정 금속박막 형성 방법
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제3항에 있어서,상기 씨앗층을 형성하는 단계는,물리기상증착을 위한 반응기에 투입하고, 10A/s 이하의 속도로 상기 대상금속의 씨앗층을 형성하는 것을 특징으로 하는 단결정 금속박막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 대상금속이 구리인 경우,상기 전해도금 단계에서 사용하는 전해도금 용액은 0
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제5항에 있어서,상기 전해도금 단계는 -0
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제5항에 있어서,상기 전해도금 용액의 온도는 상온 ~ 100℃로 하는 것을 특징으로 하는 단결정 금속박막 형성 방법
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제5항에 있어서,상기 대상금속이 니켈인 경우,상기 전해도금 용액은 황화니켈, 염화니켈, 붕산을 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 금속박막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 전해도금이 완료된 후, 형성된 단결정 금속 박막 상에 LIGA(LIthographie, Galvanoformung, Abformung) 공정 또는 마스크 플레이팅(Through-mask Plating) 방법을 이용하여 패터닝을 형성하는 단계를 더 포함하는 단결정 금속박막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 전해도금이 완료된 후 상기 형성된 단결정 금속 박막을 분리하는 단계를 더 포함하고,상기 박막을 분리하는 단계는 상기 기판에서 격자 상수차에 의한 응력을 이용하는 것을 특징으로 하는 방법
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