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실리콘 방사선 센서를 이용한 컴프턴 에지 검출 기반의 방사선 검출방법

  • 기술번호 : KST2015147718
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘 방사선 센서를 이용한 컴프턴 에지 검출 기반의 방사선 검출방법에 관한 것으로, (a) 실리콘 웨이퍼 상하면에 각각 제1 및 제2 SiO2층을 형성하는 단계, (b) 상기 실리콘 웨이퍼 상면의 제1 SiO2 층을 스핀 코팅하고, 실리콘 웨이퍼 하면의 제2 SiO2 층을 제거해서 폴리 실리콘을 증착하는 단계, (c) 상기 실리콘 웨이퍼 상면에 패터닝 작업을 하고 보론을 도핑하는 단계 및 (d) 상기 실리콘 웨이퍼 상면의 패턴 부분에 캐소드 전극을 형성하고, 실리콘 웨이퍼의 하면에 애노드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 구성을 마련하여, 통상의 실리콘 센서 제조방식을 이용해서 1mm 이상의 두께를 가지도록 제조된 실리콘 방사선 센서와 같이, 포토 피크 비율이 낮은 저 순도의 센서를 이용하더라도 컴프턴 에지 검출 방식을 이용해서 고에너지 감마선원의 종류를 용이하게 판별할 수 있다는 효과가 얻어진다.
Int. CL H01L 27/14 (2006.01) G01T 1/24 (2006.01)
CPC G01T 1/24(2013.01) G01T 1/24(2013.01)
출원번호/일자 1020130027683 (2013.03.15)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-1501455-0000 (2015.03.05)
공개번호/일자 10-2014-0112953 (2014.09.24) 문서열기
공고번호/일자 (20150311) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.15)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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1 정만희 대한민국 인천 부평구
2 하장호 대한민국 전북 전주시 완산구
3 김한수 대한민국 전라북도 정읍시 금구
4 김영수 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 웰 대한민국 서울특별시 서초구 방배로**길*, *~*층(방배동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0224637-02
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.11.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2013-0101798-91
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0421635-13
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0789372-83
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0800214-93
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.08.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0800215-38
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
9 등록결정서
Decision to grant
2015.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0059858-74
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번호 청구항
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(a) 실리콘 웨이퍼의 하면과 상면에 각각 게더링 층과 금속 필드 플레이트를 가지는 전극구조로 구성되고 표면상의 누설전류를 최소화도록 다수의 가드링 구조를 가지며 감마선원을 흡수해서 발생한 산란선 에너지 정보를 이용하도록 미리 설정된 두께 이상으로 제조되는 방사선 센서를 이용해서 감마선원의 에너지 스펙트럼을 분석하는 단계, (b) 상기 (a)단계에서 분석된 에너지 스펙트럼을 미분하여 컴프턴 에지의 에너지 정보를 검출하는 단계,(c) 상기 (b)단계에서 검출된 컴프턴 에지의 에너지 정보를 이용해 감마선원의 종류를 판별하는 단계 및 (d) 상기 감마선원이 서로 다른 에너지를 갖는 복수인 경우, 각 감마선원의 컴프턴 에지 피크를 이용해서 각 감마선원의 종류를 판별하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 방사선 센서를 이용한 컴프턴 에지 기반의 방사선 검출방법
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제9항에 있어서,(d) 상기 감마선원이 서로 다른 에너지를 갖는 복수인 경우, 각 감마선원의 컴프턴 에지 피크를 이용해서 각 감마선원의 종류를 판별하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 방사선 센서를 이용한 컴프턴 에지 검출 기반의 방사선 검출방법
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