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기판 상부에 선택적 방사선 조사를 통해 고분자 박막의 패턴을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 형성된 패턴을 탄화시켜 소오스-드래인 그래핀 전극을 형성하는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 형성된 소오스-드래인 그래핀 전극 상부에 유기 반도체층을 형성하는 단계(단계 3);상기 단계 3에서 형성된 유기 반도체층 상부에 유기 절연층을 형성하는 단계(단계 4); 및상기 단계 4에서 형성된 유기 절연층 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계(단계 5);를 포함하는 그래핀 전극을 이용한 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 1의 기판은 실리콘 웨이퍼, 유리기판 및 석영기판으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀 전극을 이용한 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 1의 고분자는 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile, PAN) 중합체, 리그닌 (lignin), 피치(pitch), 레이온(raynon), 폴리스티렌(polystyrene) 및 폴리메틸메타크릴레이트(poly(methylmethacrylate))로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀 전극을 이용한 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 3항에 있어서,상기 폴리아크릴로니트릴 중합체는 단일중합체 또는 아크릴로니트릴 함량이 85 중량% 이상인 폴리아크릴로니트릴을 포함하는 공중합체인 것을 특징으로 하는 그래핀 전극을 이용한 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 4항에 있어서,상기 폴리아크릴로니트릴을 포함하는 공중합체는 폴리(아크릴로니트릴-메틸 메타크릴레이트) 공중합체(poly(acrylonitrile-co-methyl methacrylate), 폴리(아크릴로니트릴-메틸 아크릴레이트) 공중합체(poly(acrylonitrile-co-methyl acrylate), 및 폴리(아크릴로니트릴-비닐 아세테이트) 공중합체(poly(acrylonitrile-co-vinyl acetate)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀 전극을 이용한 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 1의 고분자 박막은 고분자 함량이 0
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제 1항에 있어서,상기 단계 1의 방사선은 이온빔, 전자빔, 감마선, 알파선 및 베타선으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀 전극을 이용한 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 이온빔의 이온빔 조사 에너지는 1 내지 300 keV이고 총 이온 조사량은 1×1010 내지 1×1019 ions/cm2 인 것을 특징으로 하는 그래핀 전극을 이용한 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 전자빔의 전자빔 조사 에너지는 1 keV 내지 1 MeV이고 총 전자빔 조사량은 1×1014 내지 1×1020 electrons/cm2인 것을 특징으로 하는 그래핀 전극을 이용한 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 3의 유기 반도체층은 p형 유기 반도체 물질 및 n형 유기 반도체 물질인 것을 특징으로 하는 그래핀 전극을 이용한 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 1항에 기재된 유기 박막 트랜지스터의 제조방법에 따라 제조되는 유기 박막 트랜지스터
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