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방사선 영상 센서 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015147775
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상기한 본 발명의 방사선 영상 센서 및 그 제조 방법에 따르면, 화합물 반도체 기판상에 액상의 전극용 금속화합물을 분사하여 금속 치환 방식을 통해 도전층을 형성하도록 함으로써, 방사선 영상 센서의 제조 방법을 단순화시켜 제조 비용을 절감할 수 있도록 하는 효과를 갖는다.
Int. CL H01L 27/14 (2006.01) H04N 5/32 (2006.01) G01N 23/04 (2006.01)
CPC G01T 1/2928(2013.01) G01T 1/2928(2013.01) G01T 1/2928(2013.01) G01T 1/2928(2013.01)
출원번호/일자 1020130086515 (2013.07.23)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-1487710-0000 (2015.01.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.23)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 하장호 대한민국 대전 서구
2 김한수 대한민국 충남 아산시
3 김영수 대한민국 대전 유성구
4 정만희 대한민국 인천 부평구
5 여순목 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0662569-46
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.06.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0381118-92
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0698639-66
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0698638-10
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0841127-60
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-1263997-39
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.12.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-1263998-85
9 등록결정서
Decision to Grant Registration
2015.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0009830-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
화합물 반도체 기판; 및상기 화합물 반도체 기판상에 액상의 전극용 금속화합물을 분사하여 화학적 금속 치환 방식을 통해 상기 화합물 반도체 기판 내에 금속 치환 도전층을 이루며 형성되는 전극;을 포함하고, 상기 화합물 반도체 기판은, Cd를 포함한 단결정 화합물 반도체 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지고, 상기 전극용 금속화합물은, Au, Ag, Al 또는 Pt 포함하는 금속화합물 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 방사선 영상 센서
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제1항에서, 상기 전극들은, 상기 화합물 반도체 기판의 일면에 형성되는 제1 도전층; 및상기 화합물 반도체 기판의 타일면에 형성되는 제2 도전층;을 포함하는 방사선 영상 센서
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제2항에서, 상기 제1 도전층은,복수 개의 독립된 픽셀 형태로 패터닝되어 형성되고, 상기 제2 도전층은,통합된 하나의 도전층을 이루며 형성되는 방사선 영상 센서
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제2항에서, 상기 제1 도전층 및 제2 도전층 모두 복수 개의 독립된 픽셀 형태로 패터닝되어 형성되는 방사선 영상 센서
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제1항의 방사선 영상 센서를 제조하기 위한 방사선 영상 센서 제조 방법에 있어서,상기 화합물 반도체 기판상에 상기 전극 형상에 따라 패터닝되어 천공된 마스크를 부착하는 단계;상기 마스크가 부착된 상기 화합물 반도체 기판 상에 액상의 상기 전극용 금속화합물을 분사하는 단계; 및상기 화합물 반도체 기판상에 분사된 액상의 상기 전극용 금속화합물이 금속 치환 방식을 통해 상기 화합물 반도체 기판 내에 상기 금속 치환 도전층을 이루며 전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 전극용 금속화합물 분사 단계는,액상의 상기 전극용 금속화합물을 상측에 위치하는 상기 화합물 반도체 기판을 향해 상향 분사 방식으로 이루어지는 방사선 영상 센서 제조 방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.