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이종 방사선 측정 센서 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015147866
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이종 방사선 측정 센서 및 그 제조 방법이 개시된다. 반도체 기판, 반도체 기판의 하면에 형성된 적어도 하나의 하부전극, 반도체 기판의 상면에 하부전극과 전기적으로 연결되는 복수의 상부전극 및 복수의 상부전극 상에 각각 다른 물질과 반응하는 감지막을 포함한다.
Int. CL G01T 1/24 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130160009 (2013.12.20)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0073239 (2015.07.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 취하
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020160080768;
심사청구여부/일자 Y (2013.12.20)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김한수 대한민국 전라북도 전주시 완산구
2 하장호 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 정만희 대한민국 인천광역시 부평구
4 김영수 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.12.20 취하 (Withdrawal) 1-1-2013-1168967-84
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0328287-46
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.06.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0580483-97
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0580484-32
6 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2015.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0067245-18
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0730653-28
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1248794-16
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-1248775-48
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0277218-66
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.04.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0409072-58
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0409066-84
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0413346-59
14 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2016.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0623845-09
15 [특허 등 절차 취하]취하(포기)서
[Withdrawal of Procedure such as Patent, etc.] Request for Withdrawal (Abandonment)
2016.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0624043-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판;상기 반도체 기판의 하면에 형성된 적어도 하나의 하부전극;상기 반도체 기판의 상면에 상기 하부전극과 전기적으로 연결되는 복수의 상부전극; 및상기 복수의 상부전극 상에 각각 다른 물질과 반응하는 감지막;을 포함하는 이종 방사선 측정 센서
2 2
제 1항에 있어서,상기 감지막은,엑스선 및 감마선 중 적어도 어느 하나를 감지하는 제1 감지막;알파선 및 베타선 중 적어도 어느 하나를 감지하는 제2 감지막; 및중성자를 감지하는 제3 감지막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 방사선 측정 센서
3 3
제 2항에 있어서,상기 제1 감지막은,상부전극의 상면에 섬광체를 형성하고, 상기 형성된 섬광체에 반사막을 형성하는 것을 특징으로 하는 이종 방사선 측정 센서
4 4
제 2항에 있어서,상기 제3 감지막은,상부전극의 상면에 중성자 반응 물질을 형성하고, 상기 형성된 중성자 반응 물질에 금속 전극을 형성하여 캡슐화하는 것을 특징으로 하는 이종 방사선 측정 센서
5 5
제 1항에 있어서,상기 복수의 상부전극 중 어느 하나의 상부전극은 Pb+, Cu+, Pb 및 Cu 중 어느 하나의 금속박막으로 형성된 차폐(shielding)막을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 방사선 측정 센서
6 6
제 1항에 있어서,상기 하부 전극은,상기 이종의 방사선을 측정하기 위해 전치 증폭기(preamplifier), 증폭기(amplifier), 주문형 반도체(Application Specific Integrated Circuit, ASIC), 아날로그 디지털 변환기(Analog-Digital Converter, ADC), 마이크로 채널 구조(Micro Channel Architecture) 및 카운터(counter) 중 적어도 하나의 전자소자를 포함하는 전자회로와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 이종 방사선 측정 센서
7 7
제 1항에 있어서,상기 하부전극 및 상기 상부전극은,반도체 종류에 따라 핀형(PIN type) 및 쇼트키형(Schottky type) 중 어느 하나로 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 이종 방사선 측정 센서
8 8
제 1항에 있어서,상기 반도체 기판의 상면 및 하면은,각 전극 사이의 누설전류를 차단하는 가드 전극(Guard electrode)을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 이종 방사선 측정 센서
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP06353900 JP 일본 FAMILY
2 JP28539324 JP 일본 FAMILY
3 KR101648395 KR 대한민국 FAMILY
4 US10620325 US 미국 FAMILY
5 US20160327656 US 미국 FAMILY
6 WO2015093690 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2016539324 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP6353900 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US10620325 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US2016327656 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO2015093690 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국원자력연구원 원자력연구개발사업 화합물 반도체 방사선 센서 및 계측기 기술 개발