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고분자 용액을 도포하여 고분자 층을 형성하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 형성된 고분자 층에 방사선을 조사하여 정공 수송층을 형성하는 단계(단계 2);를 포함하는 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 고분자는 지방족 또는 방향족 열가소성 고분자인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 고분자는 폴리스타이렌계, 폴리비닐계, 폴리비닐클로라이드계, 폴리카바졸계, 폴리아크릴레이트계, 폴리올레핀계, 폴리이미드계, 폴리아미드계, 폴리아미드이미드계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리설폰계, 폴리에테르설폰계, 폴리에테르에테르케톤계, 폴리아세탈계 및 폴리페닐렌옥사이드계로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 고분자는 폴리스타이렌, 폴리비닐나프탈렌, 폴리비닐카바졸, 폴리비닐클로라이드, 폴리아크릴로나이트릴, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에테르, 폴리이미드, 폴리아세탈, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 폴리에테르에테르케톤 및 폴리페닐렌옥사이드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 고분자 용액의 고분자 함량은 전체 고분자 용액에 대하여 0
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 고분자 층의 두께는 1 내지 30 nm인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 2의 방사선은 이온빔, 전자빔, 감마선, 알파선 및 베타선으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 이온빔의 조사 에너지는 1 내지 300 KeV인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 이온빔의 총 이온 조사량은 1×1010 내지 1×1019 ions/cm2 인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 전자빔의 조사 에너지는 1 keV 내지 1 MeV인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 전자빔의 총 전자 조사량은 1×1014 내지 1×1020 electrons/cm2인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법
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제1항의 제조방법으로 제조된 유기 발광 소자용 정공 수송층
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기판;상기 기판 상부에 적층된 투명 전극층;상기 전극 상부에 적층된 제12항에 따른 정공 수송층;상기 정공 수송층 상부에 적층된 활성층; 및상기 활성층 상부에 적층된 음극;을 포함하는 유기 발광 소자
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기판 상부에 투명 전극층을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 형성된 투명 전극층 상부에 고분자 용액을 도포하여 고분자 층을 형성하는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 형성된 고분자 층에 방사선을 조사하여 정공 수송층을 형성하는 단계(단계 3);상기 단계 3에서 형성된 정공 수송층 상부에 활성층을 형성하는 단계(단계 4); 및상기 단계 4에서 형성된 활성층 상부에 음극을 형성하는 단계(단계 5);를 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법
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