| 1 |
1
(a) 실리콘 산화물 용액을 기판에 도포 및 소결하여 실리콘 산화물 박막을 제조하는 단계,(b) 상기 실리콘 산화물 박막을 액체 전해질 내에서 전기화학적으로 환원시켜 다공성의 실리콘막을 형성하는 단계, 및(c) 상기 다공성의 실리콘막을 재소결하여 평평한 실리콘 박막을 제조하는 단계를 포함하고,상기 단계 (a)의 실리콘 산화물 용액에 탄소 산화물을 더 첨가하거나, 상기 단계 (a)의 실리콘 산화물 용액에 붕소(B), 질소(N), 알루미늄(Al), 인(P), 황(S), 갈륨(Ga), 비소(As), 셀레늄(Se), 인듐(In), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 텔루륨(Te) 또는 이들의 산화물을 더 첨가하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막의 제조방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 단계 (b)의 액체 전해질에 탄소 산화물을 첨가함으로써, 탄소를 전착시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막의 제조방법
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 단계 (b) 이후에, 760 Torr 미만의 저압 용기내에서 액체 전해질을 끓이거나 또는 수용액으로 세척하여, 액체 전해질을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막의 제조방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 단계 (a)의 실리콘 산화물은, 모래, 유리, 석영, 바위, 세라믹, 실리카(SiO2), 테트라에톡시실란(TEOS), 테트라메톡시실란, 실리콘 알콕시, 또는 사염화 규소인 것을 특징으로 하는 실리콘 박막의 제조방법
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 단계 (a)의 실리콘 산화물 용액은, 모래, 유리, 석영, 바위, 세라믹, 실리카(SiO2), 테트라에톡시실란(TEOS), 테트라메톡시실란, 실리콘 알콕시, 또는 사염화 규소를 물, 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화칼슘, 수산화루비듐, 수산화스트론튬, 수산화세슘, 수산화바륨, 불산, 염산, 황산, 질산, 인산, 규산나트륨, 에탄올, 메탄올, 벤젠, 톨루엔, 헥산, 펜탄, 사이클로헥산, 클로로포름, 디에틸에테르, 다이클로로메탄(DCM), 테트라하이드로퓨란(THF), 에틸아세테이트, 아세톤, 아세토니트릴, 디메틸폼아미드(DMF), 디메틸술폭사이드(DMSO), 또는 프로필렌카보네이트에 녹인 것임을 특징으로 하는 실리콘 박막의 제조방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서, 상기 단계 (a)의 기판은 금속, 탄소, 또는 실리콘인 것을 특징으로 하는 실리콘 박막의 제조방법
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서, 상기 단계 (a)의 도포는 스핀코팅, 잉크젯코팅, 캐스팅, 붓질, 디핑(dipping), 물리증착, 또는 화학증착을 이용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막의 제조방법
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서, 상기 단계 (b)의 액체 전해질은 고온 용융염인 것임을 특징으로 하는 실리콘 박막의 제조방법
|
| 10 |
10
제 9 항에 있어서, 상기 고온 용융염은 LiCl, KCl, NaCl, RbCl, CsCl, FrCl, CaCl2, MgCl2, SrCl2, BaCl2, AlCl3, ThCl3, LiF, KF, NaF, RbF, CsF, FrF, CaF2, MgF2, SrF2, BaF2, AlF3, ThF3, LiPF6, LiBr, NaBr, KBr, RbBr, CsBr, FrBr, LiI, NaI, KI, RbI, CsI, 및 FrI로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막의 제조방법
|
| 11 |
11
제 1 항에 있어서, 상기 단계 (b)의 액체 전해질은 아세토니트릴(acetonitrile), 테트라플루오르붕산염(tetrafluoroborate), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 클로라이드(1-butyl-3-methylimidazolium chloride), 1-부틸-1-메틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드(1-butyl-1-methylpyrrolidinium bis(trifluoromethlylsulfonyl)imide), 1-부틸피리디늄클로라이드(1-butylpyridinium chloride), 콜린클로라이드(choline chloride), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨클로라이드(1-butyl-3-methylimidazolium chloride), 디메틸에틸페닐암모늄브로마이드(dimethylethylphenylammonium bromide), 디메틸포름아미드(dimethylformamide), 디메틸술폰(dimethyl sulfone), 디메틸설폭사이드(dimethyl sulfoxide), 에틸렌카보네이트(ethylene carbonate), 디메틸카보네이트(dimethyl carbonate), 에틸메틸카보네이트(ethyl-methyl carbonate), 에틸렌-디아민테트라-아세트산테트라소듐(ethylene-diaminetetra-acetic acid tetrasodium), 에틸렌글리콜(ethlyene glycol), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨(1-ethyl-3-methylimidazolium), 1-옥틸-1-메틸-피롤리디늄비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드(1-octyl-1-methyl-pyrrolidinium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide), 헥사플루오로포스페이트(hexafluorophosphate), 1-프로필-3-메틸이미다졸륨클로라이드(1-propyl-3-methylimidazolium chloride), 트리헥실-테트라데실-포스포늄비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드(trihexyl-tetradecyl-phosphonium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide), 테트라부틸암모늄클로라이드비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드(tetrabutylammonium chloride bis(trifluoromethylsulfonyl)imide), 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran) 및 트리메틸페닐암모늄클로라이드(trimethylphenylammonium chloride)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막의 제조방법
|
| 12 |
12
제 1 항에 있어서, 상기 단계 (a)의 소결은 100℃ 이상에서 1초 이상 가열함으로써 행해지고, 상기 단계 (c)의 재소결은 1350℃ 이상에서 1초 이상 가열함으로써 행해지는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막의 제조방법
|
| 13 |
13
제 1 항에 있어서, 상기 단계 (a)의 실리콘 산화물에 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 프론슘(Fr), 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 라듐(Ra), 붕소(B), 탄소(C) 알루미늄(Al), 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 아세닉(As), 셀레늄 (Se), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브데늄(Mo), 테크네튬 (Tc), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 카드뮴(Cd), 인듐(In), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 텔루륨(Te), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈럼(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 금(Au), 수은(Hg), 탈륨(Tl), 납(Pb), 비스무스(Bi), 폴로늄(Po), 악티늄(Ac), 세륨(Ce), 프라서디뮴(Pr), 니오디뮴(Nd), 프로메티움(Pm), 사마리움(Sm), 유로피움(Eu), 가돌리늄(Gd), 터븀(Tb), 디느프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 어븀(Er), 튤륨(Tm), 이터븀(Yb), 루테튬(Lu), 탈륨(Th)
|
| 14 |
14
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 탄소 산화물에 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 프론슘(Fr), 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 라듐(Ra), 붕소(B), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 아세닉(As), 셀레늄 (Se), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브데늄(Mo), 테크네튬 (Tc), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 카드뮴(Cd), 인듐(In), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 텔루륨(Te), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈럼(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 금(Au), 수은(Hg), 탈륨(Tl), 납(Pb), 비스무스(Bi), 폴로늄(Po), 악티늄(Ac), 세륨(Ce), 프라서디뮴(Pr), 니오디뮴(Nd), 프로메티움(Pm), 사마리움(Sm), 유로피움(Eu), 가돌리늄(Gd), 터븀(Tb), 디느프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 어븀(Er), 튤륨(Tm), 이터븀(Yb), 루테튬(Lu), 탈륨(Th)
|
| 15 |
15
제 1 항에 있어서, 상기 단계 (b)의 전기화학적 환원은 -2
|
| 16 |
16
삭제
|
| 17 |
17
삭제
|
| 18 |
18
삭제
|
| 19 |
19
삭제
|
| 20 |
20
삭제
|
| 21 |
21
삭제
|
| 22 |
22
제 1 항, 제 2 항 및 제 4 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 막
|
| 23 |
23
제 22 항의 막을 포함하는 소자
|
| 24 |
24
제 23 항에 있어서, 상기 소자는 반도체, 태양전지, 이차전지, 연료전지, 물분해전지, 원자로 핵연료, 방사성 동위원소 생산용 타겟, 화학반응 촉매, 또는 센서인 것을 특징으로 하는 소자
|
