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기판(3)의 하부면에 형성되어 중성자와 핵반응을 일으키고 하전입자를 방출하는 박막형태의 중성자반응층(2)과, 상기 중성자반응층 하부면에 형성된 탄소나노튜브(4)를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 중성자핵반응을 이용한 나노튜브형 중성자 검출장치
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제 1항에 있어서; 상기 중성자반응층(2)은 붕소(B), 붕소화합물, 리튬(Li), 리튬화합물, 질소(N)화합물, 입사하는 중성자와 (n, α) 혹은 (n, p) 핵반응을 일으킬 수 있는 물질 로 이루어진 군중에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 중성자핵반응을 이용한 나노튜브형 중성자 검출장치
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제 1항에 있어서; 상기 중성자반응층(2)은 우라늄(U), 우라늄화합물, 플루토늄, 플루토늄화합물, 입사하는 중성자와 핵분열반응을 일으키는 물질로 이루어진 군중에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 중성자핵반응을 이용한 나노튜브형 중성자 검출장치
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4
제 1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브가 형성된 기판(3)에는 기판면에 수직방향으로 표류전장이 걸리도록 표류전극(6)과 전압인가수단(10)이 부가되어 구성된 것을 특징으로 하는 중성자핵반응을 이용한 나노튜브형 중성자 검출장치
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제 1항에 있어서, 상기 중성자 검출장치의 둘레에 중성자감속재(11)가 설치된 것을 특징으로 하는 중성자핵반응을 이용한 나노튜브형 중성자 검출장치
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제 5항에 있어서; 속중성자를 열중성자로 변환시키기 위한 상기 중성자감속재(11)는 파라핀, 폴리에틸렌, H2O, ZrH2 등의 수소 함유물질, 흑연(C)으로 이루어진 군중에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 중성자핵반응을 이용한 나노튜브형 중성자 검출장치
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7
제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중성자반응층(2)과 탄소나노튜브(4)를 포함하는 기판(3)과, 상기 탄소나노튜브의 출력단(선단)에 약간 이격되어 상기 탄소나노튜브에서 방출된 전자신호를 수집하기 위한 신호검출전극(9)이 설치되고, 상기 신호검출전극에 신호처리회로기판(8)이 부가되어 구성된 것을 특징으로 하는 중성자핵반응을 이용한 나노튜브형 중성자 검출장치
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8
제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중성자반응층(2)과 탄소나노튜브(4)를 포함하는 기판(3)과, 상기 탄소나노튜브의 출력단에 약간 이격되어 전자를 증폭하기 위한 마이크로챈널 플레이트(12)가 설치되고, 상기 마이크로챈널 플레이트에서 방출된 전자신호를 수집하기 위해 신호처리회로기판(8)의 상부면에 형성된 신호검출전극(9)이 상기 마이크로챈널 플레이트의 출력단에 약간 이격되어 설치되고, 상기 신호검출전극에 신호처리회로가 부가되어 구성된 것을 특징으로 하는 중성자핵반응을 이용한 나노튜브형 중성자 검출장치
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8
제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중성자반응층(2)과 탄소나노튜브(4)를 포함하는 기판(3)과, 상기 탄소나노튜브의 출력단에 약간 이격되어 전자를 증폭하기 위한 마이크로챈널 플레이트(12)가 설치되고, 상기 마이크로챈널 플레이트에서 방출된 전자신호를 수집하기 위해 신호처리회로기판(8)의 상부면에 형성된 신호검출전극(9)이 상기 마이크로챈널 플레이트의 출력단에 약간 이격되어 설치되고, 상기 신호검출전극에 신호처리회로가 부가되어 구성된 것을 특징으로 하는 중성자핵반응을 이용한 나노튜브형 중성자 검출장치
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