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반도체 기판, 상기 반도체 기판의 상부에 단일 도선의 전극 구조로 이루어지는 제1 전극, 고주파 신호의 왜곡 및 신호 손실을 차단하도록 상기 제1 전극 상부에 형성되는 상부층 및 상기 반도체 기판 하부에 도전 물질을 이용해 형성되는 제2전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 반도체 기판의 상면에 지그재그 형상으로배열되는 지연선과 상기 지연선의 양단에 연결되는 제1 및 제2 캐소드를 포함하며, 상기 제2 전극은 바이어스 전원을 공급받는 애노드로 마련되는 반도체 센서,상기 반도체 센서에 마련된 제1 및 제2 캐소드와 애노드에 각각 연결되는 제1 내지 제3 전치 증폭기, 상기 제1 내지 제3 전치 증폭기에 각각 연결되는 제1 내지 제3 후치 증폭기,상기 제1 및 제2 캐소드에서 발생한 신호와 애노드의 신호를 이용해서 전위차 및 시간차를 계산하는 신호처리부 및 상기 신호처리부에서 계산된 결과에 기초하여 입사 방사선의 위치정보 및 에너지 정보를 판별하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 센서를 이용한 방사선 계측 시스템
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제5항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 전치 증폭기는 각각 입사된 방사선의 에너지로부터 상기 반도체 센서에 흡수된 전하 또는 전류를 적분해서 에너지 정보를 전압으로 전환하도록 전하 민감형 증폭기로 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 센서를 이용한 방사선 계측 시스템
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제6항에 있어서,상기 신호처리부는 콘스턴트 프랙션 타이밍 기법을 이용해서 상기 제1 및 제2 캐소드에서 발생한 신호와 애노드에서 발생한 신호의 전위차 및 시간차를 계산하는 것을 특징으로 하는 반도체 센서를 이용한 방사선 계측 시스템
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(a) 반도체 센서에 마련된 지연선에 입사된 방사선에 따라 발생한 신호를 증폭하는 단계,(b) 상기 (a)단계에서 증폭된 신호를 이용해서 상기 지연선에 접속된 제1 및 제2 캐소드에서 발생한 신호와 애노드에서 발생한 신호의 전위차 및 시간차를 계산하는 단계 및 (c) 상기 (b)단계에서 계산된 결과에 기초하여 입사 방사선의 위치 정보 및 에너지 정보를 판별하는 단계를 포함하고,상기 (a)단계에서 상기 지연선에서 발생한 신호는 입사된 방사선의 에너지로부터 상기 반도체 센서에 흡수된 전하 또는 전류이고,상기 지연선은 연속된 지그재그 형상의 도선으로 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 센서를 이용한 방사선 계측 방법
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제8항에 있어서, 상기 (a)단계는 (a1) 상기 제1 및 제2 캐소드와 애노드에 각각 연결된 제1 내지 제3 전치 증폭기를 이용해서 상기 제1 및 제2 캐소드와 애노드에서 발생한 신호를 증폭하는 단계 및 (a2) 상기 제1 내지 제3 전치 증폭기에 각각 연결된 제1 내지 제3 후치 증폭기를 이용해서 상기 제1 내지 제3 전치 증폭기에서 출력되는 신호를 증폭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 센서를 이용한 방사선 계측 방법
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제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 (b)단계는 콘스턴트 프랙션 타이밍 기법에 따라 상기 제1 및 제2 캐소드에서 발생한 신호와 애노드에서 발생한 신호의 지연을 동일하게 유지한 상태에서 신호를 반전시켜 하락 시점과 상승 시점의 시간차 및 전위차를 계산하는 것을 특징으로 하는 반도체 센서를 이용한 방사선 계측 방법
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