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저에너지 베타선 방출핵종 직접측정을 위한 이중구조무기형광 함침막 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015148116
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저에너지 베타선 방출핵종 직접측정을 위한 이중구조 무기형광 함침막 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 저에너지 베타선 방출핵종 측정을 위한 무기형광 함침막에 있어서 폴리설폰으로 이루어진 무기 지지체와, 상기 무기 지지체 위에 폴리설폰과 저에너지 베타선 방출핵종 측정이 가능한 무기 형광물질로 이루어진 막으로 구성된 이중구조 무기형광 함침막 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 치밀한 구조를 지닌 무기 지지체와 이에 완전히 고착된 함침막의 이중구조를 가져 막의 안정성 및 기능성의 향상을 이룰 수 있어 저에너지 베타선 방출핵종 직접측정을 위한 자동화장치에 장착하여 효율적인 탐지를 할 수 있다.고분자막, 무기형광, 함침막, 저에너지 베타선 측정.
Int. CL G01T 1/204 (2006.01)
CPC G01T 1/204(2013.01)
출원번호/일자 1020020061554 (2002.10.09)
출원인 한국원자력연구원, 한국수력원자력 주식회사
등록번호/일자 10-0440240-0000 (2004.07.03)
공개번호/일자 10-2004-0032427 (2004.04.17) 문서열기
공고번호/일자 (20040715) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.10.09)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국수력원자력 주식회사 대한민국 경상북도 경주시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이근우 대한민국 대전광역시서구
2 서범경 대한민국 대전광역시유성구
3 박진호 대한민국 대전광역시유성구
4 한명진 대한민국 대구광역시수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구소 대한민국 대전 유성구
2 한국수력원자력 주식회사 대한민국 서울특별시 강남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.10.09 수리 (Accepted) 1-1-2002-0331658-57
2 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2002.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2002-0342047-28
3 보정통지서
Request for Amendment		 2002.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2002-0073909-20
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.04.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0029204-14
6 등록결정서
Decision to grant		 2004.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0261264-12
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2007-5073714-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2007-5085193-38
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117973-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117707-02
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2008-5145739-98
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2010-5177354-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.18 수리 (Accepted) 4-1-2016-5034922-43
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번호 청구항
1 1

저에너지 베타선 방출핵종 측정을 위한 무기형광 함침막에 있어서, 폴리설폰으로 이루어진 무기 지지체와;

상기 무기 지지체 위에 폴리설폰과 저에너지 베타선 방출핵종 측정이 가능한 무기 형광물질로 이루어진 막으로 구성된 이중구조 무기형광 함침막

2 2

제 1항에 있어서, 무기 형광물질이 NaI(Tl), Y3Al5O12(Ce), YAlO3(Ce), Bi4(GeO4), CaF2(Eu), CsI(Tl) 및 세륨 활성화된 이트륨 실리케이트으로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 특징으로 하는 이중구조 무기형광 함침막

3 3

제 1항에 있어서, 상기 폴리설폰과 무기 형광물질의 비가 1

4 4

폴리설폰와 용매를 혼합하여 투명한 1차 제막용액을 제조하는 단계(단계 1);

상기 1차 제막용액을 기질위에 코팅 및 건조시켜 폴리설폰 필름을 제조하는 단계(단계 2);

폴리설폰, 무기형광 물질 및 용매를 혼합하여 2차 제막용액을 제조하는 단계(단계 3); 및

상기 2차 제막용액을 단계 2의 폴리설폰 필름위에 코팅 및 고형화시켜 함침막을 제조하는 단계(단계 4)로 이루어진 이중구조 무기형광 함침막의 제조방법

5 5

제 4항에 있어서, 상기 단계 1 및 단계 3에서 사용되는 용매가 메틸렌클로라이드, 클로로벤젠, 디메틸포름아마이드, 메틸피롤리돈, 디메틸설폭사이드, 디메틸아세에테이트, 벤조나이트릴 및 테트라메틸우레아 중에서 선택된 것을 특징으로 하는 이중구조 무기형광 함침막의 제조방법

6 6

제 4항에 있어서, 상기 단계 1의 폴리설폰과 용매가 1

7 7

제 4항에 있어서, 상기 단계 3의 폴리설폰, 무기형광 물질 및 용매가 1:0

8 8

제 4항에 있어서, 상기 단계 4의 고형화가 C1∼C4의 알콜 또는 물에 의한 상전환에 의하거나, 대기중에 증발시키는 것을 특징으로 하는 이중구조 무기형광 함침막의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.