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방사선 그라프트 방법으로 비닐벤질 클로라이드가 그라프트된 탄화수소계 필름을 이용한 연료전지막 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015148238
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 방사선 그라프트 중합법을 이용한 연료전지막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 연료전지막에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 방사선 동시조사법을 이용하여 비닐벤질클로라이드가 그라프트된 탄화수소계 고분자필름을 이용하여 양이온교환막 및 음이온교환막을 제조하는 방사선 그라프트 중합법을 이용한 연료전지막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 연료전지막에 관한 것이다. 본 발명의 연료전지막은 값비싼 불소계 고분자 필름 대신 저렴한 탄화수소계 고분자필름를 사용함으로써 비용이 절감될 뿐만 아니라, 내열성 및 기계적 물성이 우수하므로, 양이온 교환막, 음이온교환막 및 이를 이용한 연료전지막, 역삼투압막 등의 제조에 유용할 수 있다.
Int. CL C08J 7/04 (2006.01) H01M 8/10 (2006.01) H01M 8/02 (2006.01) C08J 5/22 (2006.01)
CPC H01M 8/1027(2013.01) H01M 8/1027(2013.01) H01M 8/1027(2013.01) H01M 8/1027(2013.01) H01M 8/1027(2013.01) H01M 8/1027(2013.01)
출원번호/일자 1020120098530 (2012.09.06)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-1394417-0000 (2014.05.07)
공개번호/일자 10-2014-0032104 (2014.03.14) 문서열기
공고번호/일자 (20140514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.06)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신준화 대한민국 광주광역시 광산구
2 손준용 대한민국 전라북도 정읍시 금구
3 황미림 대한민국 전라북도 전주시 완산구
4 고범석 대한민국 전라북도 정읍시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0718709-54
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.06.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0048309-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0789129-17
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0053142-82
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0053143-27
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0298356-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 폴리에테르에테르케톤, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리이미드, 폴리벤질이미다졸 중에서 선택되는 1종의 탄화수소계 고분자막을 비닐벤질 클로라이드 용액에 침지하고, 하기 [식 1] 및 [식 2]의 조건을 만족하는 방사선을 조사하여 폴리비닐벤질 클로라이드가 그라프트된 고분자 그라프트막을 제조하는 단계; 및b) 상기 고분자 그라프트막을 아민화하여 이온교환막을 제조하는 단계;를 포함하는 연료전지막의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 방사선은 이온빔, 전자빔, 감마선, 알파선 및 베타선을 포함하는 군으로부터 선택되는 연료전지막의 제조방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서, 상기 비닐벤질클로라이드 용액의 용매는 사염화탄소, 클로로포름, 디클로로메탄, 톨루엔, 1,1,2,2-테트라클로로에탄, 1,4-다이옥산, 1,2-디클로로에탄 및 디메틸포름아미드 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 연료전지막의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 b)단계는 상기 고분자 그라프트막을 3차 아민계 화합물과 반응시켜 상기 폴리비닐벤질 클로라이드의 염소 이탈기가 치환되어 4차 아민화된 음이온교환막 제조단계;를 포함하는 연료전지막의 제조방법
7 7
삭제
8 8
제 6항에 있어서, 상기 3차 아민계 화합물은 하기 화학식 1 내지 5에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 연료전지막의 제조방법
9 9
제 1항, 제 2항, 제 5항, 제 6항 및 제 8항 중에서 선택되는 어느 한 항의 제조방법으로 제조되는 연료전지막
10 10
제 9항에 있어서,상기 연료전지막은 아민화율이 50 내지 70%인 연료전지막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.